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公开(公告)号：KR1020030008320A
公开(公告)日：2003-01-25
申请号：KR1020010043722
申请日：2001-07-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김종필
IPC: G11B20/04
Abstract: PURPOSE: A portable device with an initializing function and an initialization control method of the portable device are provided to carry out the initialization with a minimum power consumption, and minimize the standby time for the operation of user's command by increasing the initialization speed if the user's command is input before the initialization operation is finished. CONSTITUTION: A portable device with an initializing function includes a memory(143), a key input part(148) provided with keys for setting the operation of the device, an engine part(120) for reading information recorded on a recording media while rotating the media to output the read information, and a control part(141) for controlling the engine part to copy attribute information recorded on the media to the memory at a first reading speed in association with the power supply, wherein the attribute information is read out at a second reading speed higher than the first reading speed when a key input is received from the key input part before the copying of the attribute information is finished.
Abstract translation: 目的：提供具有便携式设备的初始化功能和初始化控制方法的便携式设备，以最小的功耗进行初始化，并且如果用户的命令增加初始化速度，则最小化用户命令的操作的待机时间 在初始化操作完成之前输入命令。 构成：具有初始化功能的便携式装置包括存储器（143），设置有用于设置装置的操作的键的键输入部分（148），用于读取记录在记录介质上的信息的发动机部分（120），同时旋转 所述媒体输出读取信息，以及控制部分，用于控制所述引擎部分，以与所述电源相关的第一读取速度将记录在所述媒体上的属性信息复制到所述存储器，其中所述属性信息被读出 当在属性信息复制完成之前从键输入部分接收到键输入时，以比第一读取速度高的第二读取速度。
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公开(公告)号：KR1020010097188A
公开(公告)日：2001-11-08
申请号：KR1020000021045
申请日：2000-04-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C8/08
CPC classification number: G11C7/1063
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치를 공개한다. 그 장치는 복수개의 핀들을 구비한 반도체 메모리 장치에 있어서, 제어신호에 응답하여 상기 복수개의 소정 개수의 핀들로부터 인가되는 소정 비트의 제1데이터를 선택하여 출력하고, 제어신호의 반전된 신호에 응답하여 소정 개수의 핀들로부터 인가되는 소정 비트의 제2데 선택하여 소정 개수의 내부의 패드들로 각각 출력하기 위한 제어회로로 구성되어 있다.
따라서, 패키지 상태에서 노출되어 있지 있는 내부의 패드들을 상태에서와 마찬가지로 사용할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020010089014A
公开(公告)日：2001-09-29
申请号：KR1020000014100
申请日：2000-03-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김종필
IPC: H04L12/28
Abstract: PURPOSE: A method for converting a message of a network interworking node is provided to perform the conversion between an XUDT message and an LUDT message in the interworking node for performing interworking between an N-ISDN and a B- ISDN. CONSTITUTION: A message receiving unit(104a) searches whether a received message is an XUDT message to be transmitted to a B-ISDN or an LUDT message to be transmitted to an N-ISDN when the message is received from various networks. A buffer(106) stores the received message. If the received message is the XUDT message to be transmitted to the B-ISDN, an assemble unit receives all user data including the XUDT message to store the user data in the buffer(106), assembles the user data to be formatted as the LUDT message, and transmits the formatted LUDT message to the B-ISDN. If the received message is the LUDT message to be transmitted to the N-ISDN, a segment unit receives all user data including the LUDT message to store the user data in the buffer(106), segments the user data to be formatted as the XUDT message, and transmits the formatted XUDT message to the N-ISDN. A message transmitting unit(104b) receives messages from the assemble unit and the segment unit(108) and transmits the received messages to a terminating node.
Abstract translation: 目的：提供一种用于转换网络互通节点的消息的方法，用于执行互通节点中的XUDT消息和LUDT消息之间的转换，以进行N-ISDN和B-ISDN之间的互通。 构成：当从各种网络接收到消息时，消息接收单元（104a）搜索接收到的消息是要发送到B-ISDN的XUDT消息还是要发送到N-ISDN的LUDT消息。 缓冲器（106）存储所接收的消息。 如果接收到的消息是要发送到B-ISDN的XUDT消息，则组装单元接收包括用于将用户数据存储在缓冲器（106）中的XUDT消息的所有用户数据，将要格式化为LUDT的用户数据 消息，并将格式化的LUDT消息发送到B-ISDN。 如果接收到的消息是要发送到N-ISDN的LUDT消息，则段单元接收包括LUDT消息的所有用户数据以将用户数据存储在缓冲器（106）中，将要格式化为XUDT的用户数据分段 消息，并将格式化的XUDT消息发送到N-ISDN。 消息发送单元（104b）从组合单元和分段单元（108）接收消息，并将接收到的消息发送到终止节点。
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公开(公告)号：KR100164519B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950029204
申请日：1995-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 개시된 특성 테스트 장치 및 그 방법은 하나의 프로버/핸들러로 복수의 IC의 전기적 특성을 동시에 테스트 하여 테스트 시간을 단축하고, 설치 공간 및 작업자의 작업공간을 줄이는 것이다.
본 발명은 하나의 프로버/핸들러에 복수의 IC를 일정 간격으로 탑재하고, 테스트 시작신호를 발생하고 발생한 테스트 시작신호에 따라 복수의 테스트 장치가 상기 프로버/핸들러에 탑재된 복수의 IC의 전기적 특성을 각기 테스트하여 양품 또는 불량품인지를 판단하며, 판단 결과 양품일 경우에 테스트 장치가 테스트 종료신호를 발생하며, 복수의 테스트 장치가 모두 테스트 종료 신호를 발생할 경우에 테스트를 종료하고, 불량품일 경우에 불량신호를 발생하여 이를 표시한 후 테스트 종료 신호를 발생하여 테스트를 종료하는 것으로 복수의 테스트 장치와 하나의 프로버/핸들러를 사용하여 복수의 IC들을 동시에 테스트하므로 프로버/핸들러가 테스트 장치보다 고가이거나, IC들을 연속적으로 테스트하기 위하여 다음에 테스트할 IC로 이동하기 위한 프� ��버/핸들러의 이동시간이 길거나 또는 청정도의 관리가 요구되는 작업 공간을 늘리지 않고 생산량을 증가시키기 위하여 테스트 장치를 추가로 늘릴 경우에 매우 효과적이다.-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970016607A
公开(公告)日：1997-04-28
申请号：KR1019950029204
申请日：1995-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 복수개의 반도체 직접 회로를 일정 간격으로 탑재하고 검사 시작 신호를 출력하는 프로버와, 상기 프로버에서 출력되는 검사 시작 신호에 의해 반도체 직접 회로의 특성을 테스트하여 이에 해당된 신호를 출력하는 복수개의 검사 장치와, 상기 복수개의 검사 장치에서 출력되는 검사 종료 신호를 조합하여 프로버에 클리어신호를 공급하는 인터페이스 수단으로 구성되어, 복수개의 반도체 집적회로의 전기적 특성을 동시에 테스트하므로 검사 시간을 단축할 수 있고, 고가의 범용 검사 장치와 프로버 장치를 늘리지 않고도 병렬검사를 함으로 검사 장치를 저렴하게 구성할 수 있는 반도체 집적회로의 특성 테스트 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101738894B1
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020100109162
申请日：2010-11-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28008 , H01L21/28123 , H01L21/76 , H01L21/76232 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L29/165 , H01L29/49 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/7848
Abstract: 공정의균일성을확보할수 있는게이트형성방법및 이를이용한반도체소자의제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른게이트형성방법은소자분리막이형성되어있고, 상기소자분리막의상면이기판의상면보다상승되어있는기판의전면에절연막및 도전막을순차적으로형성하는단계, 상기도전막의상면을평탄화하는단계및 상기절연막및 도전막을패터닝하여게이트전극을형성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150001181A
公开(公告)日：2015-01-06
申请号：KR1020130073969
申请日：2013-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J35/065 , A61B6/02 , A61B6/025 , A61B6/4007 , A61B6/502 , H01J35/08 , H01J2235/068 , H01J2235/087 , H01J2235/088
Abstract: 엑스선 발생기 및 이를 포함한 엑스선 촬영 장치를 제공한다. 본 엑스선 발생기는, 1차원 또는 2차원으로 배열되며, 전자를 방출하는 복수 개의 전자 방출 소자; 및 상기 복수 개의 전자 방출 소자에서 방출된 전자들에 의해 엑스선을 방출하며, 두께가 균일하지 않는 영역을 포함하는 에노드 전극;을 포함한다.
Abstract translation: 提供一种能够获得断层图像的X射线发生器和包括该X射线摄影装置的X射线摄影装置。 X射线发生器包括一个或二维排列并发射电子的多个电子发射器件。 包括不同厚度的区域的阳极电极通过电子发射器件的电子发射X射线。
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60.发明授权
公开(公告)号：KR100842923B1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020070022550
申请日：2007-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L29/7834 , B82Y10/00 , G11B9/1409 , H01L21/28123 , H01L29/66636
Abstract: A method of manufacturing an enhancement semiconductor probe and an information storage device using the same are provided to reduce a process variable in device performance and to increase reliability of mass production by anisotropic-wet-etching a silicon substrate using side-walls. A method of manufacturing an enhancement semiconductor probe comprises the steps of: forming a first etching mask pattern(110a) on a silicon substrate(100c) to form a tip part of the probe in a first direction and forming side-wall areas at two sides of the first etching mask pattern; anisotropic-etching the silicon substrate to form two inclined surfaces of the probe; forming source and drain areas(160,170,180,190) on the silicon substrate by injecting dopants, using the side-wall area as masks, and removing the side-wall areas; removing the first etching mask pattern; forming a second etching mask pattern to form a tip part of the probe in a second direction; forming space layers at two sides of the second etching mask pattern; and etching the silicon substrate by photographing and etching processes and removing the space layers.
Abstract translation: 提供一种制造增强半导体探针的方法和使用其的信息存储装置，以减少器件性能中的工艺变量，并且通过使用侧壁对硅衬底进行各向异性湿蚀刻来提高批量生产的可靠性。 一种制造增强型半导体探针的方法包括以下步骤：在硅衬底（100c）上形成第一蚀刻掩模图案（110a），以在第一方向上形成探针的尖端部分，并在两侧形成侧壁区域 的第一蚀刻掩模图案; 各向异性蚀刻硅衬底以形成探针的两个倾斜表面; 通过注入掺杂剂在硅衬底上形成源极和漏极区域（160,170,180,190），使用侧壁区域作为掩模，并去除侧壁区域; 去除第一蚀刻掩模图案; 形成第二蚀刻掩模图案以在第二方向上形成探针的末端部分; 在第二蚀刻掩模图案的两侧形成空间层; 并通过拍摄和蚀刻工艺蚀刻硅衬底并去除空间层。
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