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    ＭＲＡＭ과 그 제조 및 구동방법
    53.
    发明授权
    ＭＲＡＭ과 그 제조 및 구동방법 有权
    磁性RAM及其制造和驱动方法

    公开(公告)号：KR100493161B1

    公开(公告)日：2005-06-02

    申请号：KR1020020068768

    申请日：2002-11-07

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 유인경 ,  박완준

    IPC: G11C11/15

    CPC classification number: H01L27/226 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16

    Abstract: MRAM과 그 제조 및 구동방법에 관해 개시되어 있다. 여기서 본 발명은 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 이미터에 연결된 비트라인, 상기 BJT와 연결되고 데이터가 저장되는 MTJ(Magnetic Tunneling Junction)층, MTJ층에 연결된 워드라인, 상기 MTJ층과 이격되게 상기 BJT와 연결된 플레이트 라인 및 상기 각 구성요소들 사이에 구비된 층간 절연막을 구비하되, 상기 MTJ층은 상기 BJT의 베이스 및 컬렉터에 연결되어 있고, 상기 플레이트 라인은 컬렉터에 연결되어 있으며, 상기 비트 라인에 상기 MTJ층에 저장된 데이터를 읽는 과정에서 그 신호 증폭을 위한 증폭 수단이 연결된 MRAM과 그 제조 및 구동방법을 제공한다. 이러한 본 발명을 이용하면, 비트 라인이 금속이고 BJT가 사용되기 때문에, MTJ층에 흐르는 전류를 해독하는데 방해가 되는, MOS 트랜지스터와 기타 기생저항에 기인하는 직렬저항을 최소화 할 수 있어 데이터를 정확하게 읽을 수 있다. 또 MOS 트랜지스터를 사용할 때보다 집적도를 높일 수 있음은 물론, MOS 트랜지스터 사용시 적용이 어려웠던 자기 저항비(MR ratio)가 작은 MTJ층도 사용할 수 있다.

    자기 램 및 그 제조방법
    54.
    发明公开
    자기 램 및 그 제조방법 有权
    磁性随机存取存储器及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020050039233A

    公开(公告)日：2005-04-29

    申请号：KR1020030074663

    申请日：2003-10-24

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박상진 ,  김태완 ,  박완준 ,  이장은

    IPC: H01L27/115

    CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01L43/12

    Abstract: 자기 램 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 스윗칭 소자와 이에 연결된 MTJ셀을 포함하는 자기 램에 있어서, 상기 MTJ셀은 자성막과 이에 내재된 금속막으로 이루어진 핀드막을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 램을 제공한다. 이러한 본 발명을 이용하면, 스트레이 자기장에 기인한 스위칭 필드 쉬프트와 킹크(kink)를 방지할 수 있어 신뢰성을 높일 수 있다.

    고선택성을 가지는 자기저항 메모리
    55.
    发明授权
    고선택성을 가지는 자기저항 메모리 有权
    고선택성을가지는자기저항메모리

    公开(公告)号：KR100468861B1

    公开(公告)日：2005-01-29

    申请号：KR1020030000778

    申请日：2003-01-07

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이경진 ,  박완준

    IPC: G11C11/15

    CPC classification number: B82Y25/00 ,  H01F10/324

    Abstract: A magnetoresistive random access memory is provided. The magnetoresistive random access memory includes a first magnetic layer of which the direction of a magnetic vector is fixed, a second magnetic layer which is positioned in parallel with the first magnetic layer and of which the direction of a magnetic vector is reversible, and a non-magnetic layer interposed between the first and second magnetic layers, the second magnetic layer having an aspect ratio of 2 or less, a thickness of 5 nm or less, and a saturation magnetization of 800 emu/cm 3 or less. The magnetoresistive random access memory has kink-free, magneto-resistance characteristics, thereby exhibiting high selectivity regardless of process capability.

    Abstract translation: 提供磁阻随机存取存储器。 该磁阻随机存取存储器包括磁矢量的方向固定的第一磁层，与第一磁层平行设置并且磁矢量的方向可逆的第二磁层，以及非磁性层 所述第二磁性层具有2或更小的纵横比，5nm或更小的厚度以及800emu / cm 3的SUPER饱和磁化强度 ;或更少。 磁阻随机存取存储器具有无扭结的磁阻特性，因此无论过程能力如何都表现出高选择性。

    마그네틱 랜덤 엑세스 메모리 및 그 작동 방법
    56.
    发明授权
    마그네틱 랜덤 엑세스 메모리 및 그 작동 방법 有权
    마그네틱랜덤엑세스메모리및그작동방법

    公开(公告)号：KR100450794B1

    公开(公告)日：2004-10-01

    申请号：KR1020010078885

    申请日：2001-12-13

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박완준 ,  김태완 ,  송이헌 ,  박상진 ,  감비노리차드제이

    IPC: G11C11/15

    CPC classification number: G11C19/0808 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

    Abstract: A magnetic random access memory using magnetic domain drag is provided. The magnetic random access memory includes a data storage unit including a fixed layer, a non-magnetic layer, and a free layer; a data input unit electrically connected to both ends of the free layer, for applying current to the free layer to input data into the data storage unit; and a data output unit electrically connected to the free layer and the fixed layer to output data stored in the data storage unit. Accordingly, the magnetic random access memory has more excellent performance than that using a switching field to record data.

    Abstract translation: 提供了一种使用磁畴拖曳的磁性随机存取存储器。 磁随机存取存储器包括：数据存储单元，包括固定层，非磁性层和自由层; 数据输入单元，电连接到自由层的两端，用于向自由层施加电流以将数据输入到数据存储单元; 以及电连接到自由层和固定层以输出存储在数据存储单元中的数据的数据输出单元。 因此，磁性随机存取存储器比使用开关场来记录数据的性能更优异。 ＆lt;图像＆GT;

    마그네틱 랜덤 엑세스 메모리 및 그 작동 방법
    57.
    发明公开
    마그네틱 랜덤 엑세스 메모리 및 그 작동 방법 有权
    磁性随机存取存储器及其操作方法

    公开(公告)号：KR1020030048842A

    公开(公告)日：2003-06-25

    申请号：KR1020010078885

    申请日：2001-12-13

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박완준 ,  김태완 ,  송이헌 ,  박상진 ,  감비노리차드제이

    IPC: G11C11/15

    CPC classification number: G11C19/0808 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

    Abstract: PURPOSE: A magnetic random access memory and a method for operating the same are provided to use a magnetic thin film having a high polarization characteristics with a low driving power by removing the problems of the conventional method employing the switching magnetic field. CONSTITUTION: A magnetic random access memory having a data storage unit(31) provided with a fixed layer, a non-magnetic layer and a free layer includes a data input block electrically connected to the both ends of the free layer so as to input the data to the data storage unit(31) for inputting the data by applying the current to the free layer and a data output block electrically connected to the free layer and the fixed layer so as to output the data stored at the data storage unit(31).

    Abstract translation: 目的：提供一种磁性随机存取存储器及其操作方法，通过消除采用开关磁场的传统方法的问题，使用具有低驱动功率的高极化特性的磁性薄膜。 构成：具有设置有固定层，非磁性层和自由层的数据存储单元（31）的磁性随机存取存储器包括电连接到自由层的两端的数据输入块，以便输入 数据存储单元（31），用于通过向自由层施加电流来输入数据;以及数据输出块，电连接到自由层和固定层，以便输出存储在数据存储单元（31）中的数据 ）。

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