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公开(公告)号：KR1020010086688A
公开(公告)日：2001-09-15
申请号：KR1020000010384
申请日：2000-03-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A cleaning equipment for supplying fluoric solution diluted at a precise dilution ratio is to fabricate the fluoric solution diluted at the precise dilution ratio to use the fluoric solution in a cleaning process of a wafer. CONSTITUTION: A fluorine gas supplying portion supplies fluorine gas through a fluorine gas supplying pipe. A wafer to be cleaned is disposed in a cleaning bath(100). A diffuser(200) is connected through a circulating pipe(310,350) to the cleaning bath and also connected to the fluorine gas supplying pipe to dissolve the fluorine gas in solvent supplied through the circulating pipe from the cleaning bath and thus fabricate diluted fluoric solution. The fabricated fluoric solution is supplied through the circulating pipe to the cleaning bath. A cleaning equipment further has a controlling valve(470) and a regulator(450) disposed at the fluorine gas supplying pipe to supply a desired amount of fluorine gas.
Abstract translation: 目的：用于提供以精确稀释比稀释的氟溶液的清洁设备是制造以精确稀释比稀释的氟溶液，以在晶片清洗过程中使用氟溶液。 构成：氟气供给部通过氟气供给管供给氟气。 待清洗的晶片设置在清洗槽（100）中。 扩散器（200）通过循环管道（310,350）连接到清洗槽，并且还连接到氟气供应管，以将氟气从溶解在循环管道中的溶剂中溶解，并制成稀释的氟溶液。 所制造的氟溶液通过循环管道供应到清洗槽。 清洁设备还具有设置在氟气供给管上的控制阀（470）和调节器（450），以供应所需量的氟气。
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公开(公告)号：KR1020010063320A
公开(公告)日：2001-07-09
申请号：KR1019990060355
申请日：1999-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A cleaning method for semiconductor substrate is provided to enhance yield and reliability of a semiconductor device manufacturing process by effectively removing copper and other byproducts from a semiconductor substrate. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is polished using chemical mechanical polishing to expose an interlayer insulation film and a copper wiring layer. The semiconductor substrate is first cleaned using a cleaning solution composition including deionized water and urea or thiurea 0.01 to 10 wt% based upon the weight of deionized water to stabilize the exposed copper wiring layer. The semiconductor substrate is second cleaned using a cleaning solution composition including deionized water and hydrofluoric acid 0.05 to 0.5wt% based upon the weight of deionized water and urea or thiourea 0.01 to 10wt% to remove metal particle pollution on the exposed interlayer insulation film.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体衬底的清洁方法，以通过有效地从半导体衬底去除铜等副产物来提高半导体器件制造工艺的成品率和可靠性。 构成：使用化学机械抛光对半导体衬底进行抛光以暴露层间绝缘膜和铜布线层。 首先使用包含去离子水和尿素或硫脲的清洗溶液组合物清洗半导体衬底，该组合物以去离子水的重量计为0.01至10重量％以稳定暴露的铜布线层。 使用去离子水和氢氟酸的清洗溶液组合物将半导体衬底进行第二次清洗，该组合物基于去离子水和0.05至0.5重量％的尿素或硫脲重量0.05-0.5重量％，以除去暴露的层间绝缘膜上的金属颗粒污染。
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公开(公告)号：KR1020010058668A
公开(公告)日：2001-07-06
申请号：KR1019990066022
申请日：1999-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C11D7/02
CPC classification number: C11D11/0047
Abstract: PURPOSE: A cleansing solution for removing impurities from semiconductor substrate is provided to effect etching function to smooth surface or etched side of defected film after the etching process and to remove various impurities remaining on the substrate. CONSTITUTION: The cleansing solution comprises electrolytic ionic liquid and fluoride base compound containing 0.01-50 wt.% HF or NH4. The cleansing method comprises a first step of preparing the electrolytic ionic liquid by means of an apparatus for producing the ionic liquid; a second step of adding the fluoride base compound into the apparatus; a third step of producing the cleansing solution with both of the ionic liquid and the fluoride compound; and a fourth step of contacting the cleansing solution to the semiconductor substrate by means of any cleansing equipments. The adding step is to flow the fluoride compound into the apparatus through an intermediate chamber equipped to the apparatus.
Abstract translation: 目的：提供一种用于从半导体衬底去除杂质的清洁溶液，以实现蚀刻功能，以在蚀刻工艺之后使缺陷膜的表面或蚀刻侧光滑，并去除残留在衬底上的各种杂质。 构成：清洁溶液包含含0.01-50重量％HF或NH 4的电解离子液体和氟化物碱化合物。 清洗方法包括通过用于制备离子液体的装置制备电解离子液体的第一步骤; 将氟化物碱化合物添加到该装置中的第二步骤; 用离子液体和氟化物二者制备清洗液的第三步骤; 以及通过任何清洁设备将清洁溶液与半导体衬底接触的第四步骤。 添加步骤是通过配备到该设备的中间室将氟化合物流入设备。
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公开(公告)号：KR1020010037313A
公开(公告)日：2001-05-07
申请号：KR1019990044754
申请日：1999-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: An apparatus for cleaning a pad of a chemical mechanical polisher is provided to easily eliminate metal residue in a groove of a polishing pad, by spraying cleaning liquid having sonic energy to the surface of the polishing pad. CONSTITUTION: A robot arm(200) moves over the entire surface region on a polishing pad(100) of a chemical mechanical polisher, capable of reciprocating from a predetermined position of the polishing pad to a standby position(500) separated from the polishing pad by a predetermined interval. A carrier(300) moves together with the robot arm, adhered to an end of the robot arm. A cleaning liquid transfer pipe(350) is inserted into the carrier. A brush assembly(400) eliminates residue on a groove of the polishing pad by spraying the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid transfer pipe of the carrier to the surface of the polishing pad, adhered to the carrier.
Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁化学机械抛光机的垫的设备，以便通过将具有声能的清洗液喷射到抛光垫的表面上来容易地消除抛光垫的凹槽中的金属残留物。 构成：机器人臂（200）在化学机械抛光机的抛光垫（100）上的整个表面区域上移动，能够从抛光垫的预定位置往复抛到与抛光垫分离的备用位置（500） 以预定间隔。 载体（300）与机器人臂一起移动，粘附到机器人手臂的一端。 将清洁液体输送管（350）插入到载体中。 刷组件（400）通过将从载体的清洗液输送管提供的清洗液体喷射到粘附在载体上的抛光垫的表面，从而消除抛光垫的凹槽上的残留物。
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公开(公告)号：KR100234384B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019960034519
申请日：1996-08-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 반도체 소자의 스페이서 형성방법 및 이를 이용한 원통형 커패시터 제조방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 반도체 기판 상에 물질 패턴을 형성하는 공정, 물질 패턴 측벽에 실리콘으로 된 스페이서를 형성하는 공정, 물질 패턴을 제거하는 공정 및 자외선이 조사된 염소(Cl
2 ) 가스를 사용하여 상기 스페이서의 끝부분을 완만하게 만드는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 스페이서의 첨예부분을 완만하게 할 수 있고, 원통형 커패시터의 누설전류 특성을 향상시킬 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980073441A
公开(公告)日：1998-11-05
申请号：KR1019970008712
申请日：1997-03-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 세정액 및 이를 이용한 반도체 소자의 세정 방법을 개시한다. 금속 실리사이드(silicide)층이 노출된 반도체 기판을 불화붕소수소산(HBF
4 )과 탈이온수(DI Water)가 혼합된 세정액을 사용한다. 상기 세정액을 이용하여 반도체 소자를 세정하는 방법으로는 먼저 반도체 기판 상에 금속 실리사이드(silicide)층을 형성한다. 불화붕소수소산(HBF
4 )과 탈이온수(DI Water)가 혼합된 용액을 세정액으로 사용하여 상기 반도체 기판을 세정한다. 즉, 금속 실리사이드(silicide)층이 노출된 반도체 기판을 세정할 때 불화붕소수소산(HBF
4 )과 탈 이온수를 혼합한 용액을 세정액으로 사용함으로써 금속 실리사이드층 및 자연 산화막의 식각율을 낮게할 수 있고 그 결과 콘택 프로 파일이 변화되지 않아 소자 성능이 안정된다.-
公开(公告)号：KR1019980040621A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960059845
申请日：1996-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: 샤우어 설비를 갖는 웨트 스테이션이 개시되어 있다. 이 장비는 세정용액을 담는 내부액조와, 상기 내부액조의 측상부에 설치되고 상기 내부액조의 내부를 향하여 복수의 미세한 홀이 형성된 샤우어 설비를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 샤우어 설비를 통하여 내부액조의 표면에 유기용매 및 탈이온수를 순차적으로 분사시키어 상기 내부액조의 표면에 코팅된 표면활성제를 제거할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980016831A
公开(公告)日：1998-06-05
申请号：KR1019960036525
申请日：1996-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼를 세정시키기 위한 세정 공정의 QDR 공정에서 탈이온수의 난류성 유동을 제거하여 웨이퍼의 표면상에 형성되는 부산물 및 불순물 입자를 용이하게 제거시킬 수 있는 세정 장치에 관하여 기재하고 있다. 이는, 반도체 웨이퍼가 장착가능한 수납 공간을 갖는 배스와, 상기 배스의 상부에 장착되어서 탈이온수를 상기 배스의 수납 공간에 분무시키는 적어도 2개의 탈이온수 분무 노즐로 이루어져 있고 상기 탈이온수 분무 노즐을 조정 각도로 조절시키기 위한 제어 시스템을 부가적으로 구비한다. 따라서, 본 발명에 따르면, QDR 배스의 수납 공간에 충진되는 탈이온수의 수위를 압력 센서에 의하여 측정한 후 이러한 측정값을 전기적 신호로 수신하는 제어 시스템의 작동에 의하여 탈이온수를 분무시키는 탈이온수 분무 노즐의 분무 각도를 조절시킴으로서 탈이온수의 난류성 유동을 제거하며 그 결과 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 반응 부산물 및 불순물 입자를 효과적으로 제거할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980015263A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960034519
申请日：1996-08-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 반도체 소자의 스페이서 형성방법 및 이를 이용한 원통형 커패시터 제조방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 반도체 기판 상에 물질 패턴을 형성하는 공정, 물질 패턴 측벽에 실리콘으로 된 스페이서를 형성하는 공정, 물질 패턴을 제거하는 공정 및 자외선이 조사된 염소(Cl
2 ) 가스를 사용하여 상기 스페이서의 끝부분을 완만하게 만드는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 스페이서의 첨예부분을 완만하게 할 수 있고, 원통형 커패시터의 누설전류 특성을 향상시킬 수 있다. -
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