화학 기계식 연마시스템 및 이의 기판 이송 시스템
    51.
    发明授权
    화학 기계식 연마시스템 및 이의 기판 이송 시스템 有权
    化学机械抛光系统及其基板传输系统

    公开(公告)号:KR101188579B1

    公开(公告)日:2012-10-05

    申请号:KR1020100043440

    申请日:2010-05-10

    Abstract: 본 발명은 화학 기계식 연마(CMP) 시스템에 관한 것으로, 상면에 플래튼 패드가 장착되어 회전 가능하게 설치된 하나 이상의 연마 정반과; 미리 정해진 경로를 따라 설치된 코일과; 한 쌍 이상의 N극의 영구자석 스트립과 S극의 영구자석 스트립이 상기 코일과 마주보면서 이격되도록 교대로 배열되고, 연마하고자 하는 기판을 하부에 장착하는 캐리어 헤드를 구비하여 상기 경로를 따라 이동 구동되는 기판 캐리어 유닛을; 포함하여 구성되어, 기판 캐리어 유닛의 외부에 설치된 코일에 인가되는 전류의 제어를 통하여 기판 캐리어 유닛을 이동시킴에 따라, 구동력을 발생시키는 이동 구동 수단을 구비하지 않더라도 기판 캐리어 유닛을 보다 낮은 동력으로 정확하게 이동시킬 수 있으며, 이동 구동 수단에 전원을 공급하는 배선의 꼬임 현상으로부터 자유로워지므로 각각의 기판을 독립적으로 이동시킬 수 있고, 순환형 경로로 기판이 이송되어 기판의 연마 공정을 쉼없이 연속적으로 행할 수 있도록 하는 화학 기계적 연마 시스템 및 이에 사용되는 기판 이송 시스템을 제공한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种化学机械抛光(CMP)系统,所述至少一个抛光台板配备有上表面和可转动地在压板垫; 沿预定路径安装的线圈; 的永磁体的条带和一对N极的在其上移动沿所述路径被驱动到承载头用于安装基片的S极的永久磁铁片被抛光且交替地布置,以同时面向线圈在下部间隔开 衬底载体单元; 并且通过控制施加到设置在衬底承载单元外部的线圈的电流来移动衬底承载单元,使得衬底承载单元可以精确地 基板可以独立移动并且基板可以被转移到循环路径,使得基板的抛光过程可以连续进行而不中断 并为此使用基板传送系统。

    전기 배선의 꼬임을 방지하는 화학 기계식 연마시스템
    52.
    发明授权
    전기 배선의 꼬임을 방지하는 화학 기계식 연마시스템 有权
    化学机械抛光系统,防止电线缠绕

    公开(公告)号:KR101115688B1

    公开(公告)日:2012-03-06

    申请号:KR1020100041124

    申请日:2010-04-30

    Abstract: 본발명은화학기계식연마(CMP) 시스템에관한것으로, 상면에플래튼패드가장착되어회전가능하게설치된하나이상의연마정반과; 미리정해진경로를따라설치된가이드레일과; 연마하고자하는기판을하부에장착한상태연마정반가이드레일을따라이동하고, 상기기판과일체연마회전하는제1회전축과; 회전구동력을전달받아마회전하는피동축과; 상기피동축의회전구동력을정반과;회전축의회전구동력으로동력전달하는동력전달부를구비한기판캐리어유닛과; 상기기판캐리어유닛이상기연마정반상에위치하면상기기판캐리어유닛이파지하고있는상기기판이마회전하는회전구동력을정반기판캐리어유닛에전달하나정반기판을회전시키하는상기기판캐리어유닛에도킹가능하게설치된도킹유닛을포함하나구성되어, 다수의연마정반에서반기판을연속의연마연마하고자기판캐리어유닛을이동시키더라도, 기판캐리어유닛의이동치된해 전기배선이마꼬이는현상을근본의연마제거하나연속의인연마공정을가능하게하나생산성이향상되고고장의위험을줄인화학기계식연마시스템및 그방법을제공한다.

    로터리 유니온을 구동하는 공압 공급관의 꼬임을 방지하는 화학 기계식 연마시스템
    53.
    发明授权
    로터리 유니온을 구동하는 공압 공급관의 꼬임을 방지하는 화학 기계식 연마시스템 有权
    化学机械抛光系统,防止空压管电线从双绞

    公开(公告)号:KR101110268B1

    公开(公告)日:2012-02-16

    申请号:KR1020100041121

    申请日:2010-04-30

    CPC classification number: B24B37/345 B24B37/30

    Abstract: 본 발명은 화학 기계식 연마(CMP) 시스템에 관한 것으로, 상면에 플래튼 패드가 장착되어 회전 가능하게 설치된 하나 이상의 연마 정반과; 미리 정해진 경로를 따라 설치된 가이드 레일과; 연마하고자 하는 기판을 하부에 장착한 상태로 상기 가이드 레일을 따라 이동하고, 장착한 기판의 연마 공정 중에 상기 기판을 하방으로 가압하는 로터리 유니온을 구비한 기판 캐리어 유닛과; 상기 기판 캐리어 유닛이 상기 연마 정반 상에 위치하면 상기 기판 캐리어 유닛이 파지하고 있는 상기 기판을 하방으로 가압하는 상기 로터리 유니온에 공압을 공급하도록 상기 기판 캐리어 유닛에 도킹 가능하게 설치된 도킹 유닛을 포함하여 구성되어,다수의 연마 정반에서 기판을 연속적으로 연마하고자 기판 캐리어 유닛을 이동시키더라도, 기판 캐리어 유닛의 이동에 의해 공압 공급관이 꼬이는 현상을 근본적으로 제거하여 연속적인 연마 공정을 가능하게 하여 생산성이 향상되고 미리 정해진 크기의 공압을 신뢰성있게 오랜 시간동안 고장없이 공급할 수 있는 화학 기계식 연마 시스템 및 그 방법을 제공한다.

    화학 기계식 연마시스템의 기판 이송 장치
    54.
    发明公开
    화학 기계식 연마시스템의 기판 이송 장치 有权
    化学机械抛光系统基板传输装置

    公开(公告)号:KR1020110123962A

    公开(公告)日:2011-11-16

    申请号:KR1020100043468

    申请日:2010-05-10

    CPC classification number: H01L21/67219 H01L21/304 H01L21/67766 H01L21/68707

    Abstract: PURPOSE: The substrate transport apparatus of a chemical-mechanical polishing system is provided to simplify the process control of a substrate transfer by transferring a plurality of substrates to a subsequent process at one time. CONSTITUTION: A fixing unit(210) is fixed to a frame. A transport unit(230) is able to transfer the fixing unit to one side. A substrate grip unit(220) is opened downward which mounts a substrate on a holder. The substrate grip unit is formed in order to prepare a receiving space which has al width smaller than the diameter of the substrate. The substrate grip unit is fixed in a transport plate. The transport plate is transferred according to a transport rail which is fixed in the transport unit. The substrate which passes a chemical mechanical polishing process is transferred to a scrubbing station.

    Abstract translation: 目的:提供化学机械抛光系统的基板输送装置,以便通过一次将多个基板转印到后续工艺来简化基板转印的工艺控制。 构成:固定单元(210)固定在框架上。 传送单元(230)能够将定影单元传送到一侧。 基板握持单元(220)向下开口,将基板安装在支架上。 形成基板夹持单元,以便制备宽度小于基板直径的容纳空间。 基板夹持单元固定在输送板中。 运输板根据运输轨道传送,运输轨道固定在运输单元中。 通过化学机械抛光工艺的基底被转移到洗涤台。

    화학 기계식 연마시스템 및 이의 기판 이송 시스템
    55.
    发明公开
    화학 기계식 연마시스템 및 이의 기판 이송 시스템 有权
    化学机械抛光装置及其基板传输系统

    公开(公告)号:KR1020110121511A

    公开(公告)日:2011-11-07

    申请号:KR1020100041127

    申请日:2010-04-30

    CPC classification number: H01L21/67219 H01L21/304 H01L21/67706 H01L21/67745

    Abstract: PURPOSE: A chemical-mechanical polishing system and a substrate transport system thereof are provided to include a substrate carrier unit equipping a target polishing substrate on a polishing plate, thereby maximizing process efficiency. CONSTITUTION: A substrate carrier unit(120) moves while a target polishing substrate is equipped. A first guide rail guides the movement of the substrate carrier unit along a predetermined first path in order to place a substrate mounted by the substrate carrier unit in the upper part of a polishing plate. A carrier holder(135) moves along a predetermined second path(133) while the substrate gripped unit is griped. The carrier holder is able to move the substrate carrier unit along the first path(132) guided by the first guide rail. The substrate carrier unit is arranged in order to be able to communicate between the first path and second path.

    Abstract translation: 目的:提供化学机械抛光系统及其基板输送系统,以包括在抛光板上配备目标抛光基板的基板载体单元,从而最大化处理效率。 构成:当配备目标抛光衬底时,衬底载体单元(120)移动。 第一导轨沿着预定的第一路径引导衬底载体单元的运动,以便将由衬底载体单元安装的衬底放置在抛光板的上部。 承载架(135)沿着预定的第二路径(133)移动,同时抓住基板夹持单元。 载体保持器能够沿着由第一导轨引导的第一路径(132)移动基板载体单元。 布置基板载体单元以便能够在第一路径和第二路径之间进行通信。

    씨엠피의 클리닝 장치
    56.
    发明公开
    씨엠피의 클리닝 장치 无效
    清洁CMP装置

    公开(公告)号:KR1020090052981A

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:KR1020070119572

    申请日:2007-11-22

    CPC classification number: H01L21/67051 B05B1/005 B24B37/015

    Abstract: 본 발명은 씨엠피의 클리닝 장치에 관한 것으로서, 즉 본 발명은 씨엠피의 클리닝 장치는 회전 가능하게 구비되는 플래튼(10)의 상부에 장착되는 연마 패드(20)의 일측 상부에서 슬러리와 세정수를 분사하는 복수의 노즐(41)(42)을 구비하는 노즐 암(40)을 통하여 상기 연마 패드(20)에 잔류하는 슬러리와 연마 부산물을 제거하는 씨엠피 클리닝 장치에 있어서, 상기 노즐 암(40)에 연결되는 세정수 공급 라인(43)에는 초음파 진동 챔버(50)를 구비하고, 상기 초음파 진동 챔버(50)에는 반도체 공정 중 설비의 냉각에 사용되는 프로세스 냉각수(PCW)와 N2가스를 혼합하여 공급되도록 하며, 혼합된 프로세스 냉각수와 N2가스는 상기 초음파 진동 챔버(50)에서 초음파 진동을 가해 상기 연마 패드(20)에 분사하도록 하여 연마 패드(20)의 그루브(21)에 낀 슬러리를 효과적으로 � ��거할 수 있도록 하여 슬러리의 고형화와 그로 인한 웨이퍼 스크래치를 방지하는 동시에 연마 패드(20)와 웨이퍼(W)간 마찰에 의한 고온의 마찰열을 적절하게 냉각시킬 수 있도록 하는 것이다.
    씨엠피, 폴리싱 헤드, 연마 패드, 세정

    에어 실린더 장치 및 그를 구비하는 웨이퍼 세정장치
    57.
    发明公开
    에어 실린더 장치 및 그를 구비하는 웨이퍼 세정장치 无效
    用于空气缸的设备和使用相同的清洗设备

    公开(公告)号:KR1020090012391A

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:KR1020070076157

    申请日:2007-07-30

    CPC classification number: H01L21/67046

    Abstract: A wafer cleaning equipment including the air-cylinder apparatus is provided to maximize the productivity by controlling the gap between a plurality of brushes. A plurality of cylinders(256) has the internal space. The air outlet(257) is formed in the internal space. The air supply portion supplies the air of the prescribed input through a plurality of air outlets. A plurality of pistons(258) is formed in order to be reciprocated in the linearity in a plurality of cylinder inner spaces. The gear(261) moves a plurality of pistons to the opposite direction between a plurality of cylinders. A plurality of blocks is combined with a plurality of pistons. The distance between a plurality of blocks is controlled by controlling the translation distance of a plurality of pistons.

    Abstract translation: 提供包括气缸装置的晶片清洁设备,以通过控制多个电刷之间的间隙来最大化生产率。 多个气缸(256)具有内部空间。 空气出口(257)形成在内部空间中。 供气部分通过多个空气出口供应规定输入的空气。 多个活塞(258)形成为在多个气缸内部空间中以线性的方式往复运动。 齿轮261将多个活塞移动到多个气缸之间的相反方向。 多个块与多个活塞组合。 通过控制多个活塞的平移距离来控制多个块之间的距离。

    화학적 기계적 연마 장치에 사용되는 연마 헤드 및 연마방법
    58.
    发明授权
    화학적 기계적 연마 장치에 사용되는 연마 헤드 및 연마방법 失效
    化学机械抛光装置和抛光方法中使用的抛光头

    公开(公告)号:KR100621629B1

    公开(公告)日:2006-09-19

    申请号:KR1020040040984

    申请日:2004-06-04

    Inventor: 부재필 이주영

    CPC classification number: B24B37/30

    Abstract: 본 발명은 화학적 기계적 연마 장치에 사용되는 연마 헤드에 관한 것으로, 연마 헤드는 캐리어를 가지며, 캐리어의 저면에는 지지대와 지지대로부터 일정거리 이격되어 지지대의 하부를 감싸도록 배치되는 멤브레인을 가진다. 지지대와 멤브레인 사이의 공간에는 적어도 하나의 구획링이 배치되며, 상기 공간으로 유입되는 공기에 의해 구획링의 접촉부가 눌러져 구획링은 상술한 공간을 분리된 복수의 공간으로 구획한다. 또한, 구획링 내에 공기가 유입될 수 있는 공간이 제공되어 웨이퍼의 영역별 경계에서 연마율이 낮아지는 것을 방지한다.
    연마 헤드, 구획링, 연마율

    기판 처리 방법 및 장치
    59.
    发明公开
    기판 처리 방법 및 장치 有权
    的基板处理方法和装置

    公开(公告)号:KR1020050108915A

    公开(公告)日:2005-11-17

    申请号:KR1020040034351

    申请日:2004-05-14

    Abstract: 본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 연마 단계와 세정 단계를 포함한다. 연마 단계는 종말점 검출법에 의해 웨이퍼의 하부막이 노출될 때까지 연마가 이루어지는 중간 연마 단계와 폐루프 제어에 의한 가변 타임 방식에 의해 설정두께까지 연마가 이루어지는 최종 연마 단계를 포함한다. 또한, 세정 단계는 탈이온수로 웨이퍼를 세척하는 단계, 불산을 포함한 약액으로 웨이퍼를 브러시 세정하는 단계, 암모니아를 포함한 약액으로 웨이퍼를 브러시 세정하는 단계, 암모니아, 과산화수소, 그리고 탈이온수의 혼합 약액으로 웨이퍼를 세정하는 단계, 그리고 마란고니 원리를 이용한 건조 단계를 포함한다.

    화학적 기계적 연마 시스템 및 그 방법
    60.
    发明公开
    화학적 기계적 연마 시스템 및 그 방법 无效
    用于控制化学机械抛光的系统和方法

    公开(公告)号:KR1020050073891A

    公开(公告)日:2005-07-18

    申请号:KR1020040002004

    申请日:2004-01-12

    CPC classification number: B24B37/04 B24B37/013

    Abstract: 본 발명은 화학적 기계적 연마 시스템 및 그 방법에 관한 것으로, 웨이퍼의 막질을 연마하는 화학적 기계적 연마 방법에 있어서, 엔드 포인트 검출(EPD) 방식에 의해 상기 막질을 연마하는 단계와; 상기 엔드 포인트 검출(EPD) 방식에 의해 연마된 후 잔류하는 막질의 두께 데이터를 측정하는 단계와; 폐루프 제어 방식(CLC)에 의해 상기 두께 데이터에 대응하는 연마 시간을 계산하는 단계와; 상기 계산된 연마 시간동안 상기 잔류 막질을 연마하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 화학적 기계적 연마(CMP) 공정후 두께 산포를 종래에 비해 더 잘 관리할 수 있으며, 언더 CMP된 경우 필요한 경우 자동적으로 재연마 공정을 진행할 수 있다. 또한, 오퍼레이터에 의하여 CMP 진행 레시피(recipe)를 설정할 필요도 없으며, 결과적으로 완전 자동 시스템(Full Auto System)을 구현할 수 있는 효과가 있다.

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