公开(公告)号：KR100653709B1

公开(公告)日：2006-12-04

申请号：KR1020040092686

申请日：2004-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광희 ,  김진용 ,  정숙진 ,  조규호 ,  임한진 ,  이진일 ,  김기철 ,  임재순

IPC: H01L27/04

Abstract: 엠아이엠 커패시터의 형성방법들 및 그에 의해 제조된 엠아이엠 커패시터들을 제공한다. 엠아이엠 커패시터를 형성하는 방법들은 반도체기판 상에 하부전극을 형성하는 것을 구비한다. 상기 하부전극에 후처리 공정을 적용하여 산화시킨다. 상기 후처리 공정이 적용된 상기 하부전극 상에 하부 유전막을 형성하고, 상기 하부 유전막 상에 상부 유전막을 형성한다. 상기 하부 유전막은 상기 상부 유전막 보다 큰 에너지 밴드 갭을 갖는 유전막으로 형성한다. 상기 상부 유전막 상에 상부전극을 형성한다. 상기 상부전극은 상기 하부전극 보다 큰 일 함수를 갖는 금속막으로 형성한다.
엠아이엠 커패시터, 고유전막, 누설전류, 금속 전극

公开(公告)号：KR100481848B1

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：KR1019980054955

申请日：1998-12-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임재순 ,  김영관 ,  최성제 ,  이상인

IPC: H01L27/108

Abstract: 본 발명은 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 디램 셀 캐패시터용 유전막 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 유전막 제조 방법은 반응 소스로서 알킬 금속과 산화제로서 O
3 또는 활성화된 산소 라디칼을 사용함으로써, 화학적 결함의 발생이 억제된 고유전막을 원자층 증착 방식으로 형성한다. 이와 같이 본 발명에 따른 유전막 제조 방법은 증착된 고유전막 내부에 화학적 결함의 생성을 억제하므로, 벌크 상태의 고유전 특성과 양호한 절연 특성을 그대로 지닌 고유전막을 확보하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100555543B1

公开(公告)日：2006-03-03

申请号：KR1020030098232

申请日：2003-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경석 ,  박홍배 ,  김봉현 ,  김성태 ,  권종완 ,  이정현 ,  김기철 ,  임재순 ,  남갑진 ,  김영선

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/308 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31645

Abstract: 원자층 증착법에 의한 고유전막 형성 방법 및 그 고유전막을 갖는 커패시터의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 고유전막 형성 방법은, 원자층 증착법을 사용하여 고유전율의 유전막을 형성하는 방법으로서, 금속 성분을 포함하는 전구체를 공급한 후 퍼지하는 단계와, 산화제를 공급한 후 퍼지하는 단계와, 질소 성분을 포함하는 반응 소스를 공급한 후 퍼지하는 단계를 포함한다.
고유전막, 원자층 증착법

公开(公告)号：KR100536030B1

公开(公告)日：2005-12-12

申请号：KR1020030011794

申请日：2003-02-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임재순 ,  김성태 ,  김영선 ,  황기현 ,  남갑진 ,  김기철 ,  이주원 ,  박재영

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/57 ,  H01L21/3141 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65

Abstract: 반응 방지막을 갖는 반도체 장치의 커패시터의 형성 방법이 개시되어 있다.상기 커패시터의 하부 전극으로서 제1도전막을 기판 상에 형성한다. 그리고, 상기 제1도전막의 상변이가 발생하지 않는 온도 조건에서 상기 제1도전막 상에 산화를 방지하기 위한 반응 방지막을 형성한다. 계속해서, 상기 반응 방지막 상에 유전막을 형성하고, 상기 유전막 상에 제2도전막을 형성한다. 이때, 상기 커패시터를 형성하기 위한 공정들은 저온 분위기에서 실시된다. 이와 같이, 상기 커패시터를 저온 분위기에서 형성함으로서 열적 손상에 의한 불량을 현저하게 줄일 수 있다.

公开(公告)号：KR100518524B1

公开(公告)日：2005-10-04

申请号：KR1019990002591

申请日：1999-01-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최성제 ,  김영선 ,  임재순 ,  박흥수

IPC: H01L21/31

Abstract: 원자층 형성용 반응챔버 및 이를 이용한 물질막 형성방법에 관해 개시되어 있다. 웨이퍼 스테이지 위에 구비된 샤워헤드를 통해 소오스 가스가 웨이퍼 위로 유입되고, 상기 스테이지 둘레의 바닥에 구비된 펌핑 포트를 통해 상기 소오스 가스가 유출되는 원자층 형성용 반응챔버에 있어서, 상기 샤워헤드 및 스테이지 둘레의 반응챔버 벽에 소정의 두께를 갖는 내부벽이 구비되어 있고, 상기 스테이지 둘레의 상기 챔버 바닥 상에 상기 펌핑 포트를 노출시키는 소정 두께의 내부 바닥이 구비되어 있어 좁은 내부 공간 체적을 갖는 원자층 형성용 반응챔버를 제공한다. 이러한 반응챔버를 사용함으로써 펄싱시간 및 퍼징시간을 짧게하면서도 충분한 두께의 물질막을 균일하게 형성할 수 있다. 펄싱 및 퍼징 시간이 짧아짐으로써 물질막을 적층하는데 소요되는 시간이 줄어든다. 이에 따라, 단위시간당 웨이퍼 가공능력이 증가되므로 반도체 장치의 생산성이 증가된다.

公开(公告)号：KR100480622B1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：KR1020020063024

申请日：2002-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남갑진 ,  이승환 ,  김기철 ,  임재순 ,  김성태 ,  김영선

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/02186 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 유전율 및 누설 전류 특성을 개선할 수 있는 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 반도체 메모리 소자는, 반도체 기판, 반도체 기판상에 형성되는 하부 전극, 상기 하부 전극 상부에 형성되는 티타늄, 탄탈륨을 포함하는 산화막으로 구성되는 유전막, 및 상기 유전막 상부의 상부 전극을 포함한다. 이때, 상기 유전막내의 티타늄 농도는 두께에 따라 상이하며, 상기 유전막 중 하부 전극과 근접하는 부분의 티타늄의 농도는 0.1 내지 15%임이 바람직하다.

公开(公告)号：KR1020050007496A

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：KR1020030046173

申请日：2003-07-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남갑진 ,  권종완 ,  최한메 ,  임재순 ,  이승환 ,  김기철 ,  김성태 ,  김영선

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90

Abstract: PURPOSE: A method for forming a composite layer is provided to reduce a leakage current by preventing generation of an interfacial oxidizing layer while using vapor as an oxide agent, and to increase a dielectric constant by forming a dielectric layer made of a composite layer. CONSTITUTION: The first metal precursor is introduced to a substrate(200) installed in a chamber to form the first absorption layer on the substrate. The first metal precursor not contributing to the formation of the first absorption layer is eliminated. The first oxidizing agent that has weak oxidizing power with respect to the substrate at the first temperature is introduced to the first absorption layer to prevent the substrate from being oxidized and to avoid the formation of an interfacial oxide layer, so that the first absorption layer is oxidized to form the first metal oxide layer. The first oxidizing agent not contributing to the formation of the first metal oxide layer is eliminated. The second metal precursor is introduced to the first metal oxide layer to form the second absorption layer on the first metal oxide layer. The second metal precursor that does not contribute to the formation of the second absorption layer is removed. The second oxidizing agent that has stronger oxidizing power than the first oxidizing agent at the first temperature is introduced to the second absorption layer so that the second absorption layer is oxidized more quickly than the growth speed of the first metal oxide layer to form the second metal oxide layer.

Abstract translation: 目的：提供一种形成复合层的方法，通过在蒸气作为氧化剂的同时防止产生界面氧化层来减少漏电流，并通过形成由复合层制成的电介质层来提高介电常数。 构成：将第一金属前体引入安装在腔室中的衬底（200），以在衬底上形成第一吸收层。 消除了不有助于形成第一吸收层的第一金属前体。 在第一温度下相对于基板具有弱氧化能力的第一氧化剂被引入第一吸收层，以防止基底被氧化并避免形成界面氧化物层，使得第一吸收层为 氧化形成第一金属氧化物层。 消除了不有助于形成第一金属氧化物层的第一氧化剂。 将第二金属前体引入第一金属氧化物层，以在第一金属氧化物层上形成第二吸收层。 除去对第二吸收层的形成无贡献的第二金属前体。 在第一温度下具有比第一氧化剂更强的氧化能力的第二氧化剂被引入第二吸收层，使得第二吸收层比第一金属氧化物层的生长速度更快地被氧化以形成第二金属 氧化层。

公开(公告)号：KR1020040105456A

公开(公告)日：2004-12-16

申请号：KR1020030036834

申请日：2003-06-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임재순 ,  남갑진 ,  김영선 ,  권종완 ,  김기철 ,  최한메

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for forming a capacitor dielectric layer is provided to restrict generation of leakage current by forming a complex dielectric layer with a dielectric having an excellent leakage characteristic and a dielectric layer having a large dielectric constant. CONSTITUTION: A first reaction material is chemically absorbed into a substrate by supplying a first reaction gas(51). The first reaction gas is purged(52). A second reaction material is chemically absorbed into the substrate by supplying a second reaction gas(53). The second reaction gas is purged(54). The first and the second reaction materials are oxidized by supplying an oxidizer. A complex oxide of first and second oxides is formed by oxidizing the first and the second reaction materials(55).

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成电容器电介质层的方法，通过形成具有优异漏电特性的电介质和具有大介电常数的电介质层的复电介质层来限制漏电流的产生。 构成：通过提供第一反应气体（51）将第一反应材料化学吸收到基底中。 第一反应气体被吹扫（52）。 通过供应第二反应气体（53）将第二反应材料化学吸收到基底中。 第二反应气体被清除（54）。 第一和第二反应物质通过供给氧化剂被氧化。 通过氧化第一和第二反应材料（55）形成第一和第二氧化物的复合氧化物。

公开(公告)号：KR1020040088172A

公开(公告)日：2004-10-16

申请号：KR1020030022285

申请日：2003-04-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남갑진 ,  김성태 ,  김영선 ,  권종완 ,  김기철 ,  임재순

IPC: H01L21/8242

Abstract: PURPOSE: A method for forming a semiconductor device with a capacitor is provided to prevent degradation of a dielectric film by performing diffusion plasma annealing after depositing the dielectric film. CONSTITUTION: A lower electrode(112a) is formed on a semiconductor substrate(101). A pretreatment layer(114) is formed on the lower electrode by using a rapid thermal nitridation method, a rapid thermal oxidation method or chemical vapor deposition method. A dielectric film is deposited on the resultant structure. By performing diffusion plasma annealing, an annealed dielectric film(116a) is formed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成具有电容器的半导体器件的方法，以通过在沉积电介质膜之后进行扩散等离子体退火来防止电介质膜的劣化。 构成：在半导体衬底（101）上形成下电极（112a）。 通过使用快速热氮化法，快速热氧化法或化学气相沉积法在下电极上形成预处理层（114）。 在所得结构上沉积介电膜。 通过进行扩散等离子体退火，形成退火的电介质膜（116a）。

公开(公告)号：KR1020040076447A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：KR1020030011794

申请日：2003-02-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임재순 ,  김성태 ,  김영선 ,  황기현 ,  남갑진 ,  김기철 ,  이주원 ,  박재영

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/57 ,  H01L21/3141 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65

Abstract: PURPOSE: A method for forming a capacitor of a semiconductor device is provided to reduce the thermal damage of the capacitor and a contact resistor by forming the capacitor under the low temperature of 600 degrees centigrade. CONSTITUTION: The first conductive layer(12) is formed on an upper surface of a substrate(10). An anti-reaction layer(14) for preventing the oxidation of the first conductive layer is formed on an upper surface of the first conductive layer under predetermined temperature conditions in order to prevent a phase transition phenomenon. A dielectric layer(16) is formed on a surface of the anti-reaction layer. The second conductive layer(18) is formed on a surface of the dielectric layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的电容器的方法，通过在600摄氏度的低温下形成电容器来减少电容器和接触电阻器的热损伤。 构成：第一导电层（12）形成在基板（10）的上表面上。 为了防止相变现象，在第一导电层的上表面上，在规定的温度条件下，形成防止第一导电层氧化的防反应层（14）。 在抗反应层的表面上形成介电层（16）。 第二导电层（18）形成在电介质层的表面上。