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    이방전도막과 그 제조방법
    55.
    发明公开
    이방전도막과 그 제조방법 失效
    各向异性导电膜及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020040091683A

    公开(公告)日：2004-10-28

    申请号：KR1020047013653

    申请日：2003-03-03

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 카시하라히데키 ,  야마모토마사미치 ,  요리타준 ,  토시오카히데아키 ,  오소에가와미사코 ,  코야마케이지 ,  마지마마사토시 ,  타니요시에

    IPC: H01B5/16

    CPC classification number: H01R4/04 ,  G01R1/06755 ,  G01R1/073 ,  G01R3/00 ,  H01R43/007 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/258 ,  Y10T428/31678

    Abstract: 본 발명은, 인접하는 전극간의 피치가 작아도 막의 면방향의 합선을 일으키지 않기 때문에, 특히 반도체 패키지의 실장용으로서, 가일층의 고밀도실장화의 요구에 충분히 대응할 수 있는 이방전도막이나, 그것보다도 저압의 접속으로 보다 확실하게 전도 접속할 수 있고, 또한 대전류가 흘러도 용단하지 않아서, 고주파의 신호로도 대응 가능하며, 특히 콘택트프로브의 실장용으로서 매우 적합한 이방전도막, 및 이들 이방전도막의 제조방법을 제공하는 것을 과제로 한 것이며, 그 해결수단에 있어서, 이방전도막은, 전도성분으로서, 미세한 금속입자가 다수, 사슬형상으로 연결된 형상을 가지는 금속분말을 함유하는 것이며, 특히 반도체 패키지의 실장용의 경우는 금속분말의 사슬의 길이를, 전도 접합하는 인접하는 전극간의 거리미만으로 하고, 또 콘 택트프로브의 실장용의 경우는 사슬의 지름을, 1㎛을 초과하며, 또한 20㎛이하의 범위로 한다. 또 제조방법은, 그 적어도 일부를, 상자성을 가지는 금속으로 형성한 사슬을 자기장에 의해서 배향시키면서 막을 형성하는 것을 특징으로 한 것이다.

    도전페이스트와 그것을 이용한 도전막, 도금방법 및미세금속부품의 제조방법
    56.
    发明公开
    도전페이스트와 그것을 이용한 도전막, 도금방법 및미세금속부품의 제조방법 失效
    도전페이스트와그것을이용다운막，도금방법및미세금속부품의제조방

    公开(公告)号：KR1020040044466A

    公开(公告)日：2004-05-28

    申请号：KR1020047002575

    申请日：2002-08-21

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 요리타준 ,  이나자와신지 ,  마지마마사토시 ,  카시하라히데키 ,  사카모토토시히로 ,  토시오카히데아키

    IPC: H01B1/22

    CPC classification number: H05K3/205 ,  C25D1/08 ,  C25D1/10 ,  C25D5/022 ,  H01L21/283 ,  H01L21/2885 ,  H05K3/202 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/035

    Abstract: 도전막등의 전기저항치를 현상(現狀) 보다 더욱더 작게 할 수 있는 도전페이스트와 도전율에 이방성을 가지는 도전막과, 균일한 결정구조를 가지는 도금피막을 형성하는 도금방법과, 양호한 특성을 가지는 미세금속부품의 제조방법을 제공한다.
    도전페이스트는, 미세한 금속입자가 다수, 사슬형상으로 연결된 형상의 금속분말을 배합했다. 도전막은, 도전페이스트를 도포해서 형성한 도막에 자장을 걸어, 상자성(常磁性)을 가지는 사슬형상의 금속분말을 일정방향으로 배향시켰다. 도금방법은, 도전페이스트로부터 형성한 도전막위에, 전기도금에 의해서 도금피막을 성장시킨다. 미세금속부품의 제조방법은, 도금방법에 의해서, 형(3)의, 미세한 통공패턴의 부분에서 노출한 도전막(1)위에, 선택적으로 도금피막(4')을 성장시켜서, 미세금속부품을 제조한다.

    Abstract translation: 本发明提供能够进一步降低导电膜等的电阻的导电膏，具有各向异性导电性的导电膜，用于形成具有均匀晶体结构的镀敷涂层的镀敷方法以及制造方法 生产具有良好性能的精细金属部件。 ＆lt; ??＆gt;导电膏是这样混合的，即具有细链金属颗粒形式的金属粉以链状连接。 导电膜是这样的，即通过施加导电性过去，通过向涂膜施加磁场而使具有顺磁性的链状金属粉末沿恒定方向取向。 电镀方法通过电镀在由导电膏制成的导电膜上生长电镀涂层。 一种精细金属部件的生产方法，其选择性地在暴露于模具3中的精细通孔图案的一部分处的导电膜1上生长镀覆涂层4'以产生精细金属部件。 ＆lt;图像＆GT;

    커패시터와 그의 제조 방법
    59.
    发明授权
    커패시터와 그의 제조 방법 有权
    电容器

    公开(公告)号：KR101801615B1

    公开(公告)日：2017-11-27

    申请号：KR1020127032625

    申请日：2011-05-27

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 오타노부히로 ,  호소에아키히사 ,  마지마마사토시 ,  닛타코지 ,  아와즈토모유키 ,  오쿠노카즈키 ,  가토마사히로 ,  사카이쇼이치로 ,  이나자와신지

    IPC: H01G11/26 ,  H01G11/74

    CPC classification number: H01G9/012 ,  H01G9/04 ,  Y02E60/13 ,  Y02T10/7022 ,  Y10T29/417

    Abstract: 정극(正極;10), 부극(負極;20) 및, 이들전극층(10, 20)의사이에배치되는고체전해질층(30)을구비한다. 이커패시터(100)의적어도한쪽의전극층(10(20))은, Al 다공체(11)와, 이 Al 다공체(11)에보존유지(保持)되어, 전해질을분극시키는전극재료(12(13))를구비한다. 그 Al 다공체(11)의표면의산소량은, 3.1질량% 이하이다. Al 다공체(11)의표면의산소량이 3.1질량% 이하라는것은, Al 다공체(11)의표면에고저항의산화피막이거의형성되어있지않은것과동일하다. 그때문에, 이 Al 다공체(11)에의해전극층(10(20))의집전면적을크게할 수있고, 이로써커패시터(100)의용량을향상시킬수 있다.

    Abstract translation: 并且，在正极10与负极20之间以及电极层10与20之间配置有固体电解质层30。 电极层（10，20）的电容器100中的至少一个的，Al多孔体11中，被保持（保持）存储在Al多孔体11中，对电解液的极化电极材料（12（13） ）和。 Al多孔体11的表面的氧含量为3.1质量％以下。 氧在Al多孔体（11）的表面的量低于3.1％（重量），相同的是，Al多孔体（11）的表面上的是基本上不形成涂层的抗氧化性。 因此，可以通过铝多孔体11增加电极层10（20）的集电面积，由此可以提高电容器100的容量。

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