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公开(公告)号：KR100800509B1
公开(公告)日：2008-02-04
申请号：KR1020060129245
申请日：2006-12-18
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: A conductive paste, and a multilayered ceramic substrate prepared by using the paste are provided to reduce the pore at the circumference of a via hole generated during the constrained sintering process of low temperature cofired ceramic(LTCC). A conductive paste comprises 80-95 wt% of silver(Ag) particles having an average particle size of 5 micrometers or more, and is filled into the via hole of a multilayered ceramic substrate so as to be sintered. Preferably the silver particles are spherical. Preferably the conductive paste comprises further 3-18.9 wt% of an organic binder; 0.1-1 wt% of a dispersant and 1-10 wt% of a solvent; and/or a combination particle of silver and palladium(Pd).
Abstract translation: 提供使用该糊料制备的导电浆料和多层陶瓷基材，以减少在低温共烧陶瓷（LTCC）的约束烧结过程中产生的通孔周围的孔。 导电性糊料包含80-95重量％的平均粒径为5微米以上的银（Ag）颗粒，并且填充到多层陶瓷基板的通孔中以进行烧结。 银颗粒最好是球形的。 优选地，导电糊还包含3-18.9重量％的有机粘合剂; 0.1-1重量％的分散剂和1-10重量％的溶剂; 和/或银和钯（Pd）的组合颗粒。
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公开(公告)号：KR100784411B1
公开(公告)日：2007-12-11
申请号：KR1020060118752
申请日：2006-11-29
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H04B1/0057 , H01P1/213 , H04W88/02
Abstract: A front end module in a dual band terminal is provided to obtain a high Q value at a low inductance value by forming a serial/parallel resonator at a high pass filter, which filters signals of the second band, so that the serial/parallel resonator can work as a parallel resonator for a higher frequency than signals of the second band and a serial resonator for signals of the second band. A front end module in a dual band terminal is comprised of a low pass filter(310), a high pass filter(320), and a filter(330) for the second band. The low pass filter(310) passes signals of the first band among the signals received through an antenna(300). The high pass filter(320), in which a serial/parallel resonator is embedded, passes signals of the second band among the signals received through the antenna. The filter(330) filters signals of the second band, which passes through the high pass filter(320). The serial/parallel resonator comprises a parallel resonator and a capacitor connected with the parallel resonator. The parallel resonator is resonated at a frequency higher than signals of the second band. For signals of the second band, the parallel resonator works as an inductor.
Abstract translation: 提供双带终端中的前端模块以通过在高通滤波器处形成串联/并联谐振器来获得低电感值的高Q值，该高通滤波器对第二频带的信号进行滤波，使得串/并联谐振器 可以作为与第二频带的信号相比更高的频率的并联谐振器和用于第二频带的信号的串行谐振器。 双频带终端中的前端模块包括用于第二频带的低通滤波器（310），高通滤波器（320）和滤波器（330）。 低通滤波器（310）通过天线（300）接收的信号中的第一频带的信号通过。 串联/并联谐振器嵌入的高通滤波器（320）通过天线接收的信号中的第二频带的信号通过。 滤波器（330）对通过高通滤波器（320）的第二频带的信号进行滤波。 串联/并联谐振器包括并联谐振器和与并联谐振器连接的电容器。 并联谐振器以比第二频带的信号高的频率谐振。 对于第二频带的信号，并联谐振器用作电感器。
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公开(公告)号：KR100712419B1
公开(公告)日：2007-04-27
申请号：KR1020060051445
申请日：2006-06-08
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 3차원의 구조로, 초광대역의 신호를 필터링하는 대역통과필터를 구성한다.
본 발명에 따르면, 순차적으로 적층되는 제 1 내지 제 4 유전체 기판으로 이루어지고, 제 1 유전체 기판은 배면에 제 1 접지패턴이 형성되며, 제 2 유전체 기판은 상면에 제 2 접지패턴이 형성되며, 제 1 및 제 2 유전체 기판의 사이에는 스트립라인 패턴이 형성된다. 그리고 제 4 유전체 기판의 상면에는 필터패턴과 입력 및 출력 커플드 라인패턴이 형성된다.
초광대역, UWB, 대역통과필터, 적층, 고유전율, 저유전율,Abstract translation: 本发明构成了用于对具有三维结构的超宽带信号进行滤波的带通滤波器。
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公开(公告)号：KR100681259B1
公开(公告)日：2007-02-09
申请号：KR1020050101119
申请日：2005-10-26
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: A multi-layered front-end module for a dual-band terminal is provided to minimize the size by patterning components of a diplexer and a matching unit for matching a transmitting stage with a receiving stage of a SAW duplexer on a dielectric substrate, instead of mounting them on a substrate, in order to arrange them three-dimensionally. A multi-layered front-end module for a dual-band terminal is comprised of the first dielectric layer and the second dielectric layer. At the first dielectric layer, a SAW duplexer(130) and a SAW filter(120), connected with a diplexer(110), respectively, are mounted in a chip type. Also, a plurality of ports which will be wire-bonded are formed at the first dielectric layer. The second dielectric layer is laminated on a bottom of the first dielectric layer. Electrode patterns for a plurality of components forming the diplexer are formed on the second dielectric layer. The first dielectric layer and the second dielectric layer are electrically connected with each other through a via hole.
Abstract translation: 提供用于双频带终端的多层前端模块以通过图案化双工器的组件以及用于匹配发射级与SAW双工器的接收级在电介质衬底上的匹配单元来最小化尺寸，而不是 将它们安装在基板上，以便三维地布置它们。 用于双频带终端的多层前端模块由第一电介质层和第二电介质层组成。 在第一介电层处，分别与双工器（110）连接的SAW双工器（130）和SAW滤波器（120）以芯片类型安装。 而且，将在第一电介质层上形成将被引线键合的多个端口。 第二介电层层压在第一介电层的底部上。 用于形成双工器的多个部件的电极图案形成在第二介电层上。 第一介电层和第二介电层通过通孔彼此电连接。
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公开(公告)号：KR102013884B1
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：KR1020170176295
申请日：2017-12-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L23/66 , H01L23/552 , H01L23/538 , H01L23/28 , H01L23/485 , H01L25/07
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101879933B1
公开(公告)日：2018-07-19
申请号：KR1020160058995
申请日：2016-05-13
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L23/373 , H01L23/29 , H01L23/053 , H01L23/055 , H01L23/522 , H01L23/498 , H01L21/78 , H01L23/48
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2924/18162
Abstract: 본발명의일실시예에따른반도체패키지는적어도하나이상의수용홀을포함하며, 상기수용홀을중심으로일정간격이격되어, 복수개로분할된베이스기판, 상기수용홀에실장되는적어도하나이상의반도체칩 및상기수용홀의내측면과상기반도체칩 사이의이격공간에형성되는충진부재를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170133886A
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：KR1020160065262
申请日：2016-05-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/488 , H01L23/482
Abstract: 본발명은적어도하나이상의수용홀을포함하며, 금속재질로형성되는베이스기판, 상기수용홀에실장되는적어도하나이상의반도체칩, 상기반도체칩의각 측면과후면, 상기수용홀의내측면, 상기베이스기판의후면에형성되는중간층및 상기중간층상에, 상기수용홀의내측면과상기반도체칩 사이의이격공간에충진되고, 상기반도체칩의후면및 상기베이스기판의후면을커버하도록, 솔더재질로형성되고, 후면이균일하게평탄화된방열부재를포함하는반도체패키지를제공한다.
Abstract translation: 本发明包括至少一个接收孔，金属基底基板，在至少一个半导体芯片，每个侧面和后面，所述半导体芯片的所述容纳孔的内表面的，底板被安装在形成在容纳孔 在中间层和形成在背面侧的中间层，填充在所述容纳孔的内表面和该半导体芯片之间的间隔空间，它形成在焊料材料的背面和覆盖半导体芯片的基础衬底的后表面， 提供了包括在后表面中平坦化的散热构件的半导体封装。
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公开(公告)号：KR101607259B1
公开(公告)日：2016-03-29
申请号：KR1020140187007
申请日：2014-12-23
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/108
Abstract: 본발명은수동소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명에 MIM(Metal Insulator Metal) 커패시터는기판의일면상에형성된커패시터박막패턴, 커패시터박막패턴이형성된기판을식각하여형성된트렌치(trench), 트렌치를충진하면서기판상에형성되어있으며커패시터를구성하는금속층들을노출시키는커패시터용배선홀들이형성되어있는절연층및 IM 커패시터용배선홀들에도전성물질을충진하여형성된커패시터전극배선을포함하고, 기판의타면은트렌치에형성된절연층이노출되도록연마되어있는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 기판의타면즉, 수동소자가형성되는기판의일면과대향하는반대면이연마되어트렌치에형성된절연층이노출된구조를갖기때문에, 인접단위소자로의전기적누설의통로를원천적으로차단하여전기적손실을차단할수 있고, 이에따라, 최종제품인수동소자의고주파영역에서의전기적특성이크게향상되는효과가있다.
Abstract translation: 无源器件及其制造方法技术领域本发明涉及无源器件及其制造方法。 本发明的金属绝缘体金属（MIM）电容器包括：形成在基板的一个平面上的电容器薄膜图案; 通过蚀刻形成有电容器薄膜图案的基板而形成的沟槽; 绝缘层，其在填充沟槽的同时形成在衬底上，并且具有用于暴露构成电容器的金属层的电容器的线槽; 以及电容电极线，其通过将导电材料填充到用于IM电容器的线槽中而形成。 抛光衬底的另一个平面，使得形成在沟槽上的绝缘层可以被暴露。 根据本发明，由于形成在作为与被动元件形成的基板的一个平面相对的基板的另一平面的沟槽中的绝缘层具有绝缘层露出的结构， 该装置可以通过基本上阻挡泄漏到相邻单元装置的电流而阻断电气损耗，因此可以改善作为最终产品的无源装置的高频区域中的电气特性。
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公开(公告)号：KR101582612B1
公开(公告)日：2016-01-05
申请号：KR1020140052324
申请日：2014-04-30
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본발명은동축관통실리콘비아구조체에관한것이다. 본발명은중심폴(pole)의측벽을둘러싸는캐버티(cavity)가형성되어있는기판, 상기중심폴의측벽과상면에형성되어있는내부도전체, 상기캐버티의측벽과상기캐버티의측벽상부에서외곽으로연장되는기판의일부에형성된외부도전체및 상기내부도전체와상기외부도전체를전기적으로절연시키도록상기캐버티를포함하는영역에형성된충전절연층을포함하여구성된다. 본발명에따르면, 고단차비를갖는실리콘구조를 TSV 코어메탈(core metal)의일부분으로사용함으로써, 고단차비도금공정의어려움을해결하고, 도금시간을단축시켜쉽고빠르게동축관통실리콘비아구조체를제조할수있다.
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公开(公告)号：KR1020150102310A
公开(公告)日：2015-09-07
申请号：KR1020140024038
申请日：2014-02-28
Applicant: 전자부품연구원 , 전북대학교산학협력단
IPC: H01P5/10
CPC classification number: H01P5/10 , H01P3/08 , H03D7/1408 , H03D9/0633
Abstract: 본 발명은 넓은 대역폭과 높은 격리 특성을 통해 광대역 전력 증폭기를 포함하는 다양한 RF 시스템에 적용 가능한 높은 격리 특성을 갖는 광대역 마이크로파 발룬에 관한 것으로, 특성 임피던스
Z
t 를 갖는 두개의 수평 λ/4 전송선로; 특성 임피던스
Z
1 과
Z
2 를 갖는 두개의 수직 λ/2 전송선로를 포함하는 것을 특징으로 하며, 광대역 특성 뿐만 아니라 높은 격리도 특성을 가지는 발룬 구조를 제공함으로 차동 증폭기 등 높은 격리도가 요구되는 회로에 적용 가능하고, 광대역 브랜치 라인 발룬은 수평 λ/4 전송선로(
Z
t )와 수직 λ/2 전송선로(
Z
1 과
Z
2 )에 각각 서로 다른 특성 임피던스를 적용하여 광대역 특성을 만들어 낼 수 있으며, 등가 회로는 세 단자 모두를 정합할 수 있고, 수직 λ/2 전송선로(
Z
2 )에 저항기와 병렬 중앙 λ/4 전송선로를 구성함으로써 두 평형 출력 단자 사이에 높은 격리 특성을 제공하는 효과가 있다. 또한 중앙 λ/4 전송선로의 특성 임피던스가 낮아 구현이 힘들 때에 결합 및 절단이 개방되고 격리단이 단락된 λ/4 결합 전송선로로 대체하여 보통의 전송선로로 구현 가능한 높은 격리 특성을 갖는 광대역 발룬을 설계할 수 있는 효과를 가진다.Abstract translation: 本发明涉及具有高隔离性能的宽带微波平衡 - 不平衡变换器，其能够通过宽带宽和高隔离性能应用于包括宽带电放大器在内的各种RF系统。 宽带微波平衡不平衡变换器包括：具有特性阻抗Z_t的两个水平λ/ 4传输线; 以及具有特性阻抗Z_1和Z_2的两个垂直λ/ 2传输线。 提供了不仅具有宽带特性而且具有高隔离性能的平衡 - 不平衡转换结构，以应用于需要高隔离度的差分放大器等电路。 宽带分支线平衡不平衡变换器可以分别对水平λ/ 4传输线（Z_t）和垂直λ/ 2传输线（Z_1和Z_2）分别应用不同种类的属性阻抗来产生宽带属性。 等效电路可以匹配所有三个端子。 在垂直λ/ 2传输线（Z_2）中形成电阻器和平行的中心λ/ 4传输线，因此在两个水平输出端子之间提供了高隔离性能。 此外，当中心λ/ 4传输线的性能阻抗很低时，几乎不能实现，具有开启耦合和切断和闭合隔离端的λ/ 4耦合传输线取代了它，从而设计了具有高隔离度的宽带平衡 - 不平衡变换器 可以通过一般传输线实现的属性。
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