고밀도 실장용 박막 콘덴서, 그 제조방법 및 고밀도 실장 기판
    53.
    发明授权
    고밀도 실장용 박막 콘덴서, 그 제조방법 및 고밀도 실장 기판 有权
    用于高密度嵌入式基板的薄膜冷凝器,以及用于制造薄膜冷凝器和包含薄膜冷凝器的高密度嵌入式基板的方法

    公开(公告)号:KR101358939B1

    公开(公告)日:2014-02-06

    申请号:KR1020120054827

    申请日:2012-05-23

    Abstract: 본 발명은 고밀도 실장용 박막 콘덴서, 그 제조방법 및 고밀도 실장 기판에 관한 것이다. 본 발명은 지지기판; 상기 지지기판 상에 형성된 하부전극; 상기 하부전극 상에 형성된 유전체 박막; 및 상기 유전체 박막 상에 형성된 상부전극을 포함하되, 상기 상부전극은 유전체 박막 상에 이격 간격을 두고 형성된 2개의 상부전극을 포함하는 고밀도 실장용 박막 콘덴서 및 그 제조방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 적어도 2개 이상의 적층 기재; 상기 적층 기재에 내장되고, 상기 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 따른 박막 콘덴서들; 상기 적층 기재의 내부에 형성되고, 상기 박막 콘덴서들을 직렬 또는 병렬로 연결하는 내부 접속전극; 상기 적층 기재들 중에서 최외측에 위치한 적층 기재의 표면에 형성되고, 상기 내부 접속전극과 연결된 표면 전극; 및 상기 표면 전극과 범프를 통해 연결된 집적회로를 포함하는 고밀도 실장 기판을 제공한다. 본 발명에 따르면, 구조적으로 간단하여 제조비용을 절감할 수 있으며, 높은 실장효과를 갖는다.

    산화물 전자소자 및 그 제조방법
    54.
    发明授权
    산화물 전자소자 및 그 제조방법 有权
    氧化物电子器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR101348937B1

    公开(公告)日:2014-01-09

    申请号:KR1020120090297

    申请日:2012-08-17

    Abstract: The present invention relates to an oxide electronic device and a manufacturing method thereof. The oxide electronic device comprises: an oxide substrate; an oxide thin film including a different type of oxide from the oxide substrate and formed on the oxide substrate; and a ferroelectric material layer formed on the oxide thin film and controlling the conductivity of two-dimensional electron gas (2DEG) generated on the oxide thin film and the oxide substrate. The manufacturing method comprises the following steps: forming the oxide thin film by depositing oxide which is different from the oxide substrate on the oxide substrate; and forming the ferroelectric material layer controlling the conductivity of 2DEG generated on the oxide thin film and the oxide substrate on the oxide thin film. By using the methods, the conductivity of 2DEG generated on the interface between the different types of oxide can be stably controlled through a non-volatile method by the ferroelectric material layer. Therefore, the conductivity of 2DEG can be constantly maintained without external electric energy, and the device does not require a lot of energy to be operated.

    Abstract translation: 本发明涉及一种氧化物电子器件及其制造方法。 氧化物电子器件包括:氧化物衬底; 氧化物薄膜,其包含来自所述氧化物基板的不同类型的氧化物,并形成在所述氧化物基板上; 以及形成在氧化物薄膜上并控制在氧化物薄膜和氧化物基板上产生的二维电子气(2DEG)的导电性的铁电材料层。 该制造方法包括以下步骤:通过在氧化物基板上沉积与氧化物基板不同的氧化物来形成氧化物薄膜; 并且形成在氧化物薄膜和氧化物薄膜上的氧化物衬底上产生的2DEG的导电性的铁电体材料层。 通过使用该方法,可以通过铁电材料层的非挥发性方法稳定地控制在不同类型的氧化物之间的界面上产生的2DEG的电导率。 因此,不用外部电能可以不间断地维持2DEG的导电性,并且该装置不需要大量的能量来操作。

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