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公开(公告)号：KR100270611B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019970046677
申请日：1997-09-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: PURPOSE: A method for electrostatic thermal bonding is provided to obtain reduction of manufacturing cost, stability and reliability of the product by bonding a semiconductor substrate and a glass substrate after a hydrophilic treatment. CONSTITUTION: A glass substrate and a semiconductor substrate are cleaned by immersing the same in a hydrophilic solution for a few minutes. The hydrophilic solution is provided by mixing ammonia, peroxide and deionized water with one another in a ratio of 4:1:6 and annealing the mixed solution in a range of from 45deg.C to 100deg.C. The hydrophilic-treated glass substrate and semiconductor substrate are dried in the next step. The dried substrates are firstly bonded directly each other. The directly bonded substrates are finally bonded by applying a voltage ranging from 200V to 700V and a temperature ranging from 200deg.C to 500deg.C.
Abstract translation: 目的：提供一种用于静电热粘合的方法，以在亲水处理之后通过粘合半导体衬底和玻璃衬底来降低制造成本，稳定性和可靠性。 构成：将玻璃基板和半导体基板浸渍在亲水性溶液中清洗几分钟。 通过将氨，过氧化物和去离子水以4:1:6的比例混合并将混合溶液在45℃至100℃范围内退火而提供亲水性溶液。 亲水处理的玻璃基板和半导体基板在下一步骤中干燥。 干燥的基材首先直接接合。 通过施加200V〜700V的电压和200〜500℃的温度，直接键合的基板最终结合。
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公开(公告)号：KR100176324B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950032843
申请日：1995-09-29
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 다이오드형 전계방출소자의 전계방출부와 양극간의 거리조절방법에 관한 것으로, 음극 기판과 양극 기판 사이에 절연박막 및 홈을 형성시키는 방법에 의해 전계방출부의 끝부분과 양극 표면간의 거리를 1㎛ 이하로부터 수 백 ㎛에 이르기까지 수십 Å 수준의 분해능으로 조절할 수 있도록 하여 전계방출부로 부터의 전계 분포를 정확히 실측할 수 있을 뿐 아니라 전계방출 전압 및 방출 전류을 효과적으로 제어할 수 있으며, 아울러 전계방출표시소자는 물론 마이크로 팁을 이용한 터널링 세서 제조 등에도 응용 가능한 고신뢰성의 다이오드형 전계방출소자를 구현할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1019980054434A
公开(公告)日：1998-09-25
申请号：KR1019960073595
申请日：1996-12-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 기판들간의 직접 접합방법에 관한 것으로, 두 장의 기판을 직접 접합함에 있어 접합될 기판의 표면을 친수화시키고 물층을 존재하게 한 뒤 두 기판을 맞닿게 함으로써 초기 접합을 보다 향상시키고자 한 것이다.
이는 종래의 SDB 방법이 친수화 처리를 한 후 표면을 건조시킨 후 초기 접합을 이루는데 비해, 표면이 젖은 상태에서 두 기판을 맞닿게 한 뒤 수 시간동안 유지함으로써 초기 접합을 이루는 것으로 WDB 방법으로 새롭게 명명되었다.
이러한 WDB 방법은 맞닿는 기판쌍의 위에 하중을 주고 최대 500℃에 이르기까지 열처리를 함으로써, 실리콘 기판은 물론 실리콘 웨이퍼에 비해 표면의 거칠기가 상대적으로 큰 유리 기판 등에 대해서도 보다 향상된 특성을 지닌 접합이 이루어지도록 한 것이다.-
公开(公告)号：KR1019970008260A
公开(公告)日：1997-02-24
申请号：KR1019950020245
申请日：1995-07-10
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 전계방출소자(field emitter display) 제조방법에 관한 것으로, 제1반도체기판을 결정 의존성 식각하여 몰드를 형성하고, 이를 이용하여 팁 어래이를 형성한 뒤 제2반도체기판을 상기 팁 어래이에 접합하여 소자 제조를 완료하므로써, 1) 몰드(mold)용 기판과 팁 어래이의 받침대로 쓰이는 기판이 동일 재질(예컨대, 단결정 실리콘)로 형성되어 VLSI 기술과의 호환성이 있으며, 2) 아울러 비교적 평탄한 반도체 표면 상에서 사진식각공정을 비롯한 후처리 공정(예컨대, 게이트 절연막 및 게이트 전극 패터닝 공정)이 진행되므로 단차(step coverage)등에 의한 공정상의 어려움을 제거할 수 있어, 팁 높이에 제한없이 공정을 용이하게 실시할 수 있게 되고, 또한 3) 양질의 열산화막을 게이트 절연막으로 활용할 수 있는 고신뢰성의 전계방출소자를 구현할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1019960039180A
公开(公告)日：1996-11-21
申请号：KR1019950008890
申请日：1995-04-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 발명은 결정의존성 습식식각을 이용하여 제조된 실리콘 팁 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 특히 (110) 면지수를 갖는 단결정 실리콘 기판에 대해 결정의존성 식각을 행하여 기둥모양을 갖는 실리콘 구조물을 행하고, 이 기둥의 끝부분을 뾰족하게 함으로써 전계방출소자용 실리콘 팁 어레이의 제조에 응용할 수 있도록 한 것이다. 본 발명에 의한 실리콘 팁은 바늘(needle) 모양을 하고 있으며, 제조방법은 먼저 (110) 실리콘 기판 상에 결정방향을 고려하여 평행사변형 또는 사각형의 식각마스크를 형성한 뒤, 이를 결정의존성 식각하고, 다음으로 샤프닝(sharpening) 공정을 통하여 팁을 제작하는 것으로, 팁의 밑부분이 차지하는 면적이 작아지게 되므로, 고밀도 팁 어레이를 제작할 수 있으며, 아울러 팁의 종횡비를 매우 크게 할 수 있는 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100637942B1
公开(公告)日：2006-10-23
申请号：KR1020040069858
申请日：2004-09-02
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 전계방출형 표시소자(FED; Field Emission Display) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 탄소 나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자 제작시에 캐소드 기판에 스크린을 프린팅하는 방법으로 탄소 나노튜브 후막을 형성하고 유기물 제거공정을 거친 후에 표면처리하는 전계방출형 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 전계방출형 표시소자(FED; Field Emission Display)는 캐소드 기판; 상기 캐소드 기판 상에 형성된 캐소드 전극; 카본 나노튜브 페이스트를 사용하여 상기 캐소드 전극 상에 형성된 카본 나노튜브 후막; 형광체막이 도포된 애노드 기판; 상기 애노드 기판 상에 형성된 투명한 애노드 전극; 및 상기 애노드 기판과 캐소드 기판 사이에 탑재된 스페이서;를 포함한다.
카본 나노튜브 후막, 표면처리, 전계방출형, 표시소자-
公开(公告)号：KR100623091B1
公开(公告)日：2006-09-18
申请号：KR1020030068178
申请日：2003-10-01
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 박막트랜지스터 제조방법에 대해 개시한다. 본 발명은, 기판 위에 게이트전극, 게이트 절연막, 활성층인 펜타신을 순차적으로 적층 형성한 후, 노출된 펜타신에 수소 플라즈마 표면처리를 수행하고 이어서 소스/드레인 전극을 형성시킨다. 여기서, 유기 박막트랜지스터의 유기 활성층 재료로 사용되는 펜타신은 높은 전도성을 가진 유기물질로서 p형 반도체의 특성을 나타내며 박막 형태로 성장되었을 때 매우 높은 이동도를 가져 유기 박막트랜지스터의 활성층으로 사용된다. 본 발명에서는 패터닝된 펜타신에 수소 플라즈마 처리를 수행하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 그레인 사이즈(grain size)에 의해 전기적 특성이 좌우되는 펜타신 표면의 거칠기(roughness)가 완화되어져 산란작용 및 트랩현상을 억제시킬 뿐만 아니라 포텐셜 장벽을 낮춰 이동도를 향상시킴으로써 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 플렉시블(flexible)한 기판에도 적용됨을 특징으로 한다.
수소, 플라즈마, 펜타신, 박막트랜지스터, 이동도, 점멸비Abstract translation: 公开了一种制造薄膜晶体管的方法。 本发明中，这样顺序层叠之后，以形成一个神栅电极，栅极绝缘膜，五的衬底上的有源层，并五苯的暴露表面上，然后通过形成源/漏电极上执行氢等离子体处理。 在此，使用的采取在有机薄膜晶体管的有源层具有非常高的流动性，当GOD被用作有机薄膜晶体管为具有高导电性的有机材料制成的有机戊活性材料，表示生长到形成薄膜的p型半导体的特性。 在本发明中，在图案化的并五苯上进行氢等离子体处理。 因此，通过降低提高的势垒的晶粒尺寸的移动性，以及对其中在其电特性通过抑制散射和诱捕现象影响的并五苯表面的松弛（粒径）粗糙度（粗糙度）改善的电特性 可以。 本发明的特征还在于它应用于柔性基板。
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公开(公告)号：KR100620075B1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：KR1020040101279
申请日：2004-12-03
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 후막 및 이를 이용한 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학센서 감지막에 관한 것으로, 보다 상세하게는 탄소나노튜브 페이스트를 제작하는 제1공정, 상기 제작된 탄소나노튜브 페이스트를 기판의 전극 상에 스크린 인쇄법 또는 잉크젯 인쇄법을 사용하여 후막을 형성시키는 제2공정, 상기 탄소나노튜브 후막에서 유기물을 제거시키는 제3공정, 상기 유기물이 제거된 탄소나노튜브 후막에 전기장을 적용하여 탄소나노튜브를 수직배향시키는 제4공정에 의해 제작되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막 및 이를 이용한 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학센서 감지막에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 탄소나노튜브 후막 제조시 스크린 인쇄법이나 잉크젯 인쇄법을 사용하고 전기장을 사용하여 표면처리를 하므로 탄소나노튜브의 손상이나 불순물 혼입을 효율적으로 방지할 수 있고 탄소나노튜브 제작 비용을 절감시킬 수 있으며 이와 같이 제작된 탄소나노튜브 후막을 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학 센서 감지막으로 이용하는 경우 성능이 우수한 제품을 생산할 수 있다.
탄소나노튜브페이스트, 수직배향 탄소나노튜브 후막, 전계방출형 표시소자, 평판형 램프, 화학 센서 감지막.-
公开(公告)号：KR100577681B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020030092093
申请日：2003-12-16
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 주병권 , 이양두 , 바토브드미트리빅토로비치 , 블란크블라지미르다브도비치 , 부가세르게이겐나지예비치 , 꿀리지키보니스아르놀도비치 , 빨랴꼬브예브게니발렌티노비치
Abstract: 본 발명은 나노섬유 제조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고압가스 환경하에서 전자열에 의한 흑연물질의 증발과 나노섬유의 증착을 유도함으로써 탄소 및 질소(CN) 나노섬유를 제조하고, 이러한 CN 나노섬유를 냉음극에 적용하는 기술을 제시한다.
나노섬유, 나노튜브, 탄소, 질소, 파이버, 흑연가열기, 전자방출, 냉음극-
公开(公告)号：KR100497154B1
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：KR1020020043955
申请日：2002-07-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05B33/04
CPC classification number: H01L51/524
Abstract: 본 발명은 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자에 관한 것이다. 기존의 메탈 캔(metal-can)을 이용한 봉지화(encapsulation)에서 실리콘 캐비티(silicon-cavity)를 이용한 봉지화(encapsulation)를 실시했을 경우, OLED 측면에서 손실되는 광을 실리콘 캐비티(silicon-cavity)의 (111)면이 반사경(mirror)의 역할을 하여 줌으로써 관측 각(observation angle)만큼 전면부로 반사 시켜 손실을 보상함으로써 휘도가 개선됨으로 개구율을 향상 시킬수 있으며, 실리콘 캐비티(Silicon-cavity)와 유기물이 증착된 기판에 접착을 향상시키는 UV-sealant를 질소분위기에서 사용함으로써 산호와 수분을 밀폐하여 OLED 열화를 줄일 수 있다. 또한 실리콘 캐비티(silicon-cavity)의 일괄제조 공정을 통하여 값싸게 대량생산 하는데 적합하다.
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