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公开(公告)号：KR1020170059670A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020150163895
申请日：2015-11-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/02 , C01B13/14 , C01G9/02 , C08L39/06 , C08L101/00
Abstract: 본발명은나노링(nano-ring) 구조의탄소나노튜브를제조함에있어서, 나노크기의산화물입자를나노링형성을위한템플레이트(template) 즉, 형판(型板)으로이용함으로써안정적인나노링형성이가능하도록함과함께, 탄소나노튜브와결합용고분자의비공유결합을유도하여나노링(nano-ring) 구조의탄소나노튜브수율을향상시킬수 있는나노산화물입자를이용한나노링구조의탄소나노튜브제조방법및 나노링구조의탄소나노튜브에관한것으로서, 본발명에따른나노산화물입자를이용한나노링구조의탄소나노튜브제조방법은금속산화물전구체용액과산 처리된탄소나노튜브를반응시켜, 금속산화물입자의둘레에탄소나노튜브가결합된형태의금속산화물-탄소나노튜브복합체를제조하는단계; 금속산화물-탄소나노튜브복합체를결합용고분자용액에투입하여, 결합용고분자와탄소나노튜브의비공유결합을유도하는단계; 및결합용고분자가결합된금속산화물-탄소나노튜브복합체를산 용액과반응시켜, 금속산화물입자를제거하여나노링구조의탄소나노튜브를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101625482B1
公开(公告)日：2016-05-31
申请号：KR1020140076000
申请日：2014-06-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B31/0453 , C01B32/186
Abstract: 본발명은 10 nm 이하의그라핀나노분말을시드로이용하여시드크기이상인그라핀 (graphene) 시트로성장시키는방법에관한것이다. 또한본 발명에서는그라핀시트가 2 내지 20층적층된흑연시트 (graphite sheet)를제조할수 있다. 기판상에그라핀나노분말 (무질서하게분포)을준비한후, 화학증착장치에서탄화수소가스가포함된가스를이용하여 CVD 처리함에의해탄소시트 (즉, 그라핀및 흑연시트)를제조할수 있다.
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公开(公告)号：KR101610006B1
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：KR1020140056210
申请日：2014-05-12
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 유기광·전자소자의봉지막을형성하는방법으로서, 기판위에질화규소(SiN) 제1층을적층하고, 제1층위로암모니아를구성요소로포함하는질화규소(SiN) 제2층을적층하며, 제2층위로이산화규소(SiO)용액을적층하여제3층을형성한후, 상기 3개의박막층을수분분위기에서열처리하여단일층실리콘옥시나이트라이드(SiOxNy)막을형성하는발명으로, 제3층을형성한경우, 열처리단계에서이산화규소(SiO)용액이제1층과제2층의다공으로침투하여가수분해반응을통하여유기소자의산소및 수분의접촉을차단하는단일층 SiON 봉지막을형성한다.
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公开(公告)号：KR101586073B1
公开(公告)日：2016-01-19
申请号：KR1020140108454
申请日：2014-08-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02B1/11
CPC classification number: G02B1/115 , G02B1/118 , Y10T428/24413 , G02B1/11
Abstract: 무반사나노코팅구조및 그제조방법이제공된다. 상기무반사나노코팅구조는평면또는곡면기판; 상기기판상에배치되고, 상기기판에비해저굴절률을갖는제1 산화물나노입자를포함하는제1 코팅층; 상기제1 코팅층상에수직배열된, 이산화티탄나노입자로이루어진테이퍼드나노필러(tapered nano-pillar)를포함하는제2 코팅층; 및상기나노필러의단부에배치된, 상기기판에비해저굴절률을갖는제2 산화물나노입자를포함하는제3 코팅층;을포함한다. 상기무반사나노코팅구조는입사광의각도의존성이매우낮은무반사특성을갖는다. 상기무반사나노코팅구조는스퍼터링방법을반응성기체의비율을조절함으로써기판의곡률에관계없이기판의모든면에서수직배열되는나노구조를형성할수 있다.
Abstract translation: 提供一种抗反射纳米涂层结构及其制造方法。 抗反射纳米涂层结构包括：平坦或曲线基板; 布置在所述基板上的第一涂层，包括具有比所述基板的折射率低的折射率的第一氧化物纳米颗粒; 垂直设置在第一涂层上的第二涂层，包括由二氧化钛纳米颗粒构成的锥形纳米柱; 以及布置在所述纳米柱的端部上的第三涂层，包括具有比所述基底的反射指数低的反射指数的第二氧化物纳米颗粒。 抗反射纳米涂层结构具有入射光的角度依赖性低的抗反射性。 防反射纳米涂层结构控制溅射法中反应气体的比例，并且形成垂直布置在基板的所有表面上的纳米结构，而不涉及基板的曲率。
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公开(公告)号：KR1020150129871A
公开(公告)日：2015-11-23
申请号：KR1020140056210
申请日：2014-05-12
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/00 , H01L51/44 , H01L51/52
Abstract: 유기광·전자소자의봉지막을형성하는방법으로서, 기판위에질화규소(SiN) 제1층을적층하고, 제1층위로암모니아를구성요소로포함하는질화규소(SiN) 제2층을적층하며, 제2층위로이산화규소(SiO)용액을적층하여제3층을형성한후, 상기 3개의박막층을수분분위기에서열처리하여단일층실리콘옥시나이트라이드(SiOxNy)막을형성하는발명으로, 제3층을형성한경우, 열처리단계에서이산화규소(SiO)용액이제1층과제2층의다공으로침투하여가수분해반응을통하여유기소자의산소및 수분의접촉을차단하는단일층 SiON 봉지막을형성한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成有机光子和电子器件的封装层的方法，包括以下步骤：在衬底上堆叠由氮化硅（SiN_x）制成的第一层; 在第一层上堆叠由氮化硅（SiN_x）制成并且包括氨作为组分的第二层; 在第二层上堆叠二氧化硅（SiO_2）溶液以形成第三层，并且通过在潮湿气氛下热处理三层薄膜层来形成单层氮氧化硅（SiO_xN_y）膜，其中在形成第三层之后 通过使二氧化硅（SiO_2）溶液侵入到第一层和第二层的孔中，在热处理工序中进行水解反应，形成用于阻止有机装置的氧和水接触的单层SiO_xN包封膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101286106B1
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：KR1020110051557
申请日：2011-05-30
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C01B31/0446 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/184 , C01B32/23 , C01B2204/02
Abstract: 본 발명은 산화 흑연과 금속 산화물 나노 입자 사이의 화학적 결합을 이용하여 순수한 그라핀을 제조하는 방법 및 그에 따라 제조되는 그라핀과 유사 금속 산화물-그라핀 핵-껍질 구조의 나노 입자를 그 특징으로 한다.
본 발명의 그라핀의 제조방법은 사용되는 재료의 가격이 저렴하고, 산처리와 같은 간단한 공정을 통하여 화학적 결합을 유도 및 분리할 수 있으며, 저온에서 반응이 이루어질 수 있어 부대 공정 시설에 비용이 많이 들지 않는다. 또한, 공정의 처리 기간이 길지 않아 빠르면서도 대량으로 제조할 수 있으며, 순수하면서도 결함이 적은 그라핀을 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100997379B1
公开(公告)日：2010-11-30
申请号：KR1020080077784
申请日：2008-08-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/46 , C04B35/468 , C04B35/453 , C04B111/90
CPC classification number: H01B3/12 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3293
Abstract: 본 발명은 (Ba,Sr)TiO
3 (BSTO) 유전체 박막에 주석산화물(SnO
2 )이 연속조성 확산법에 의해 첨가되어 일반식 Ba
(1-x) Sr
x Ti
(1-y) Sn
y O
3 (BSTSO)로 표시되는(여기서 몰분율 x는 0.06≤x≤0.82의 범위이고, 몰분율 y는 0.05≤y≤0.28의 범위임) 선형적 유전특성을 갖는 유전체 박막 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유전체 박막 조성물은 BSTO의 비선형적 유전특성이 SnO
2 의 첨가로 인해 선형적으로 전환됨으로써 인가되는 전계에 따른 캐패시턴스(capacitance)의 변화가 거의 없고 전자 터널링(electron tunnelling)을 방지하기에 충분한 두께에서도 요구되는 캐패시턴스 값을 나타낼 수 있는 고유전율의 유전상수를 유지하면서 유전손실은 매우 낮고 기존의 유전체 소재인 SiO
2 와 같은 상유전(paraelectric) 특성을 나타내는 것을 특징으로 한다.
BSTO, 연속조성 확산법, 유전체 박막 조성물, 선형적 유전특성-
公开(公告)号：KR1020100124446A
公开(公告)日：2010-11-29
申请号：KR1020090043450
申请日：2009-05-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/073 , H01L51/0042 , H01L51/426 , Y02E10/541 , Y02E10/543 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A solar cell device including a polymer quantum dot composite of an integrated core/shell structure and a manufacturing method thereof are provided to minimize the interlayer interface of a multi layer thin film by forming an active layer as a thin film of a p-i-n type polymer-quantum dot composite. CONSTITUTION: A substrate, an anode, and a cathode are successively laminated. A semiconductor quantum dot absorbs ultraviolet-near infrared rays of 200 to 1100 nm among sunlight spectrum. Semiconductor nano particles have a band gap of 1.1 to 6.0 eV. The semiconductor quantum dot is made of IV, II-VI, III-V, I-III-VI group compounds and a mixture thereof.
Abstract translation: 目的：提供一种包括集成核/壳结构的聚合物量子点复合体及其制造方法的太阳能电池器件，其通过形成作为针式薄膜的有源层来最小化多层薄膜的层间界面 聚合物 - 量子点复合材料。 构成：依次层压基板，阳极和阴极。 半导体量子点在太阳光谱中吸收200〜1100nm的紫外 - 近红外线。 半导体纳米颗粒具有1.1至6.0eV的带隙。 半导体量子点由IV，II-VI，III-V，I-III-VI族化合物及其混合物制成。
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公开(公告)号：KR1020100017024A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：KR1020080076710
申请日：2008-08-05
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L51/5036 , C09K11/02 , C09K11/883 , H01L2251/5369 , H01L2251/564 , H05B33/10
Abstract: PURPOSE: An ac-driven light emitting device having single active layer of consolidated core-shell structure is provided to control the production of a dark spot by the degeneration of an organic compound using ac voltage. CONSTITUTION: A first electrode(20) is formed on the glass substrates(10) as the transparent electrode. An active layer(30) is formed on a first electrode as a monolayer. A second electrode(50) is formed on the active layer. The active layer is uniformly distributed as the semiconductor nanocrystal surrounds the periphery of the membranous polymers nucleus. The active layer is the active layer of a consolidated core-shell structure.
Abstract translation: 目的：提供具有固体核 - 壳结构的单一活性层的交流驱动发光器件，以通过使用交流电压的有机化合物的退化来控制黑斑的产生。 构成：在作为透明电极的玻璃基板（10）上形成第一电极（20）。 在第一电极上形成有源层（30）作为单层。 第二电极（50）形成在有源层上。 当半导体纳米晶体围绕膜聚合物核的周边时，有源层是均匀分布的。 活性层是整合的核 - 壳结构的活性层。
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公开(公告)号：KR1020090090774A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：KR1020080016227
申请日：2008-02-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L41/02 , H01L41/193 , H01L41/311
CPC classification number: H05K3/027 , B06B1/0688 , B82Y30/00 , G06F3/016 , G06F3/0414 , H01L27/20 , H01L27/3225 , H01L41/0478 , H01L41/29 , H01L51/0042 , H01L51/426 , H01L51/52 , H01L2251/5338 , H04R1/04 , H04R17/005 , H04R31/00 , H04R2499/15 , H05K1/028 , H05K2201/015 , H05K2201/0326 , H05K2201/0329
Abstract: A hybrid electric device using a piezo-electric polymer substrate and its fabrication method is provided to solve a problem of space usage by building a semiconductor memory, communication, and a sensor etc all kinds of device in one body. An electrode film is formed by depositing the electrode material at the both sides of the compliant piezoelectric polymer substrate(1). A light-emitting layer is deposited on the electrode pattern, and electrode is deposited on the light-emitting layer. A display device(8a) uses the electrode pattern and electrode as an electrical wire, and a vibration generating element(8c) uses the electrode of the double side as the electrical wire.
Abstract translation: 提供一种使用压电聚合物基板的混合电气装置及其制造方法，其通过在一体内构建半导体存储器，通信和传感器等各种装置来解决空间使用的问题。 通过在柔性压电聚合物基板（1）的两侧沉积电极材料形成电极膜。 在电极图案上沉积发光层，并且在发光层上沉积电极。 显示装置（8a）使用电极图案和电极作为电线，振动产生元件（8c）使用双面电极作为电线。
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