Abstract:
PURPOSE: A method for fabricating a long wavelength VCSEL(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser) is provided to reduce a current implantation diameter by implanting heavy ions and regrowing a crystal. CONSTITUTION: A lower dispersion Bragg reflection mirror(10), a laser active medium(11), and a heat spreading layer(12) are sequentially grown by considering the thickness of a resonator. A photoresist mask is formed on the heat spreading layer. A current confining layer(13) is formed by implanting ions into an exposed portion of the heat spreading layer. The photoresist mask is removed. An Inp layer(14) and a current spreading layer(15) are formed regrown on the heat spreading layer. An electrode(16) is formed on the current spreading layer. An upper dispersion Bragg reflection mirror(17) is formed thereon. An Au reflective mirror(18) is formed on the upper dispersion Bragg reflection mirror.
Abstract:
본 발명은 통신용 다채널 광원으로서 성능을 갖춘 장파장 대역의 표면방출형 레이저 및 그것의 제조방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 활성층 상에 두꺼운 내부공진접촉층을 가지는 메사구조 및 이온주입층을 형성하므로써 효과적인 전류주입 및 열분산을 달성할 수 있는 두꺼운 내부공진접촉층을 갖는 장파장 표면방출 레이저 및 그것의 제조방법에 관한 것이다. 상기 메사 구조 및 상기 이온주입층에 의하여 전류가 상기 내부공진접촉층 상의 전극으로부터 상기 내부공진접촉층을 통과하여 상기 메사 구조의 하부에 있는 활성층으로 도달하는 전류유도구경이 형성된다. 이와 함께, 상기 활성층에서 발행한 열은 상기 전류유도구경에 의하여 흐르는 전류와 반대방향으로 상기 내부공진접촉층을 통과하여 그것 상에 형성된 전극을 통하여 배출된다.
Abstract:
본 발명은 1.3 ㎛ 내지 1.6 ㎛ 대역의 장파장 표면방출 반도체 레이저 소자의 공진기 내에서 p형 불순물 도핑층의 흡수 손실을 억제하고, 거울층에서의 산란 손실과 효과적 전류유도에 의한 운반자 손실을 감소시킬 수 있는 표면방출 레이저 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 제1 도전형의 반도체 기판, 상기 반도체 기판 상에 형성된 제1 도전형의 반도체층으로 이루어지는 하부 거울층, 상기 하부거울층 상에 형성된 활성층 및 상기 활성층 상부에 형성되며 그 중심부는 도핑되지 않고 그 양단부에 제2 도전형의 불순물 확산영역을 구비하는 상부거울층을 포함하는 표면방출 레이저 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
Abstract:
PURPOSE: A fabrication method of a multi-channel array optical device is provided to simplify processes and also to obtain a uniform wavelength gap and a precise wavelength by simultaneously attaining a channel wavelength regulation and a mirror layer formation. CONSTITUTION: In the method, pluralities of mirror layers(201) are formed on a semiconductor substrate(200), and then an oxidation barrier(202) is formed thereon. Preferably, the mirror layers(201) includes a GaAs layer, an AlGaAs layer, and an AlAs layer, while the oxidation barrier(202) is made of silicon nitride. Next, the oxidation barrier(202) is selectively removed by using a binary mask(203) to expose specific mirror layers(204) used for regulating wavelength. The exposed mirror layers(204) are then oxidized. Thereafter, the remaining oxidation barrier(202) is removed, and then the above steps are repeated with using another binary mask. Thereby, the mirror layers become different in wavelength.
Abstract:
본 발명은 순환형 광공진 여과기를 이용한 광 애드/드롭 다중화기에 관한 것으로서, 입/출력단에 연결된 3-dB 광결합기와, 상기 3-dB 광결합기 사이에 연결되며, 순환 광도파 구조의 공진 특성을 갖는 순환형 광공진 여과기(Circular-type optical resonator filters)로 구성되어, 상기 입/출력단의 3-dB 광결합기로 입사되는 신호광을 광세기에 의해 양분하여 상기 순환형 광공진 여과기로 전송하고, 상기 순환형 광공진 여과기는 그 입사된 신호광 중 공진 조건을 만족하는 특정 파장의 신호광을 반사 또는 투과시키도록 하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명은 다중양자우물구조 PIN다이오드를 이용한 광-유기 전기-광학 오실레이터에 관한 것으로서, 전기-광흡수(electro-absorption)를 갖는 반도체 다중양자우물(multiple quantum well) 구조를 중간층(intrinsic layer)으로 하는 반도체 PIN다이오드에서 광 흡수에 의한 광전류-전압(photocurrent-voltage)의 부저항(negative resistance) 특성을 이용하며, 이 다이오드구조에 강한 연속 레이져 빔(continuous laser beam)을 조사하여 다이오드의 부저항특성을 크게 증가시키므로써 발생된 다이오드의 광전류-전압의 부저항 지역에 정전압 (dc voltage)을 인가하여 다이오드의 진동(oscillation)을 유발시켜 전기적 교류 신호(electrical ac-signal) 및 다이오드의 진동에의해 연속-조사빔의 변조-광신호(modulated optical signal) 발생을 유발 시킨다. 이러한 본 발명에서는 전기-광흡수를 갖는 다중양자우물 구조를 PIN다이오드의 중간층으로 이용하여 고출력의 전기적 교류 신호 뿐만 아니라 변조- 광신호를 생성할 수 있으며, PIN 다이오드 및 구성 회로요소(electrical elements)들의 조절로 전기적 교류 신호의 주파수 및 신호 진폭(amplitude)을 조절할 수 있으며, 다중양자우물 구조의 조절로 변조광신호의 신호 주파수 및 변조신호의 크기차(signal difference) 및 명암비(extinction ratio)를 조절할 수 있어, 고출력 고주파수의 전기 및 광 신호를 생성할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 투과광의 파장의 4분의 1의 두께를 가지는 적층거울을 이용한 광 강도 조절기에 관한 것으로서, 그 특징은 광 강도 조절기에 있어서, 빛을 이용한 정보 처리 장치에서 주어진 파장에 대해 투명하며 서로 다른 굴절율을 갖는 두 물질을 각각 그 물질 안에서 빛이 90도의 위상변화를 보이는 두께 즉, 빛이 사분의 일 파장 전진하는 거리만큼씩 교대로 쌓은 구조를 광창문의 앞에 배치하여 각 광창문마다 이 구조의 층의 수를 변화시켜 줌으로써 각 광창문에 입사되는 광 강도를 조절하는 것을 특징으로 하는 데에 있으므로, 본 발명은 첫째로 적층거울의 물리적 성질이 잘 알려져 있고 이를 쌓는 기술도 보편화되어 있으므로 정확하게 원하는 투과율(transmittance)을 얻을 수 있고, 둘째로 이 적층거울의 투과율과 반사율(reflectance)의 합이 늘 일정하므로 소자가 완성된 뒤에도 언제든지 반사율을 측정함으로써 비파괴적으로 투과율을 측정할 수 있으며, 셋째로 정보를 가진 빛의 일부가 반사되어 나오므로 이를 이용한 구도를 추가할 수 있고, 네째로 빛을 흡수하지 않으므로 흡수체를 쓴 경우에 비해 전체적인 열의 발생을 줄일 수 있다는 데에 그 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 왜곡 성장층을 이용한 금속/반도체 접합 쇼트키 다이오드 광소자에 관한 것으로서 보다 상세하게는 화합물 반도체에서 전기광 흡수 효과를 갖는 다중양자우물(Multiple Quantum Well)구조를 금속/반도체접하 쇼트키 다이오드의 중간층으로 사용하는 광소자에 관한 것이다. 특징적인 구성으로는 반 절연성 갈륨비소기판 위에 갈륨비소거울층과 알미늄비소거울층이 다수 주기적으로 성장되어 있고 그 위에 다시 n + 혹은 p + 반도체층이 성장되고 상기의 반도체층위에 전극 및 거울역할을 위한 쇼트키금속층을 성장시키기 위해 갈륨비소완충층을 성장시킨 금속/반도체접합 다이오드소자에 있어서, 상기 반도체층과 접합시 쇼트키 특성을 갖는 금속막사이의 중간층에 전기광흡수특성을 갖는 다중양자우물구조를 두어 금속층/다중양자층/반도체층으로 다이오드를 구성한 다이오드 구조로 구성함에 있으며, 또한 상기 다이오드는 전극, 열전도 및 거울 역할을 하는 금속막과 다층 반도체막 거울 사이에 공명 및 비공명조건을 갖는 구조로 단결정기판을 광학적 투명층으로 하기 위해 반도체거울층 및 다이오드 구조층의 일부 혹은 전부를 왜곡층으로 성장함에 있으며, 다이오드층이 성장된 기판의 반대면은 광학적 무반사막으로 처리하여 구성함에 있다.