公开(公告)号：KR1019930001471A

公开(公告)日：1993-01-16

申请号：KR1019910010539

申请日：1991-06-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종람 ,  김도진 ,  윤광준 ,  강진영

IPC: H01L29/73

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR1019920013635A

公开(公告)日：1992-07-29

申请号：KR1019900021808

申请日：1990-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종람 ,  이정희 ,  김진섭 ,  박형무

IPC: H01L21/30

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR1019920013605A

公开(公告)日：1992-07-29

申请号：KR1019900021811

申请日：1990-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종람 ,  이정희 ,  박성호 ,  김진섭 ,  박형무

IPC: H01L21/31

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019920013603A

公开(公告)日：1992-07-29

申请号：KR1019900021807

申请日：1990-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이정희 ,  박성호 ,  이종람 ,  김진섭 ,  박형무

IPC: H01L21/335

公开(公告)号：KR1019920001914B1

公开(公告)日：1992-03-06

申请号：KR1019890012068

申请日：1989-08-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종람 ,  박성호 ,  맹성재 ,  김진섭

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/04

Abstract: The metal wiring for a semiconductor element is formed by (A) forming a photosensitive film on the semiconductor substrate, (B) enhancing the stength of photosensitive film by low-temperature treating, (C) dipping the photosensitive film in monochlorobenzene, (D) recovering the strength of photosensitive film, (E) selectively exposing the photosensitive film, (F) high-temperature treating the film after developing, (G) depositing a metal layer on the upper side of the film, and (H) reproducing disired metal wiring by the lifting-off process.

Abstract translation: （A）在半导体基板上形成感光膜，（B）通过低温处理提高感光膜的长度，（C）将感光膜浸渍在一氯苯中，形成（D） 回收感光膜的强度，（E）选择性地曝光感光膜，（F）显影后对膜进行高温处理，（G）在膜的上侧沉积金属层，和（H）再现无色金属 通过起吊过程进行接线。

公开(公告)号：KR100171375B1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR1019950053653

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 맹성재 ,  이종람 ,  김해천 ,  이창석

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 선형성이 향상된 전력소자 기판구조에 관한 것으로서, 종래에 초격자 완충층에 바로 고농도층을 성장시키면 AlGaAs의 Al 확산계수가 작아 계면의 거칠기와 불순물의 확산으로 인하여 동작점 근처의 바이어스에서 완충층에 의한 전류로 트랜스 컨덕턴스의 기울기가 급준하지 못하여 비선형성을 보이게 되는 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 초격자 완충층과 고농도 도핑층 사시에 도핑하지 않은 갈륨비소층을 제공함으로써 계면 거칠기와 불순물의 확산을 막아 선형적인 트랜스 컨덕턴스를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980043449A

公开(公告)日：1998-09-05

申请号：KR1019960061307

申请日：1996-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종람 ,  김해천 ,  문재경 ,  이재진

IPC: H01L27/092

Abstract: 본 발명은 고주파 특성이 우수한 증폭기용 GaAs MESFET 소자의 제조를 위한 자기정렬용 T-형 게이트를 형성하는 방법에 관한 것으로, 반도체 기판(3)상에 채널층(2)과 오믹층(1)을 형성하는 단계와, 형상반전 리소그래피 방법에 의해 음의 측면 기울기를 지닌 자기정렬용 포토 레지스트 패턴(4)을 상기한 채널층(2) 상에 형성하는 단계와, 상기한 반도체 기판(3)의 전체면에 걸쳐 희생금속 박막층(5)을 증착하고 레지스트를 제거하여 게이트 길이 영역을 설정하는 단계와, 형상반전 리소그래피 방법에 의해 상기한 희생금속 박막층(5) 위에 형상반전 레지스트 패턴(6)을 형성하고 게이트 금속층(7)을 증착한 후, 리프트 오프 공정에 의해 T-형 게이트 형상을 형상하는 단계와, 상기한 희생 금속 박막층(5)을 식각 제거하여 T-형 게이트(8)를 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 T-형 게이트 형성방법에 따르면, T-형 게이트의 제작을 위하여 마스크 1장 만을 추가로 사용하기 때문에 공정이 간편할 뿐 아니라, 일반 스탭퍼의 패턴 분해능의 한계치인 0.5㎛ 보다 작은 0.3~0.4㎛의 T-형 게이트 길이를 갖는 GaAs MESFET 소자를 제작할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970052598A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950053643

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김해천 ,  이종람 ,  문재경

IPC: H01L29/45

公开(公告)号：KR100116165B1

公开(公告)日：1997-06-09

申请号：KR1019930005879

申请日：1993-04-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 문재경 ,  맹성재 ,  이종람 ,  윤광준

IPC: H01L21/68

公开(公告)号：KR1019960012638B1

公开(公告)日：1996-09-23

申请号：KR1019930005958

申请日：1993-04-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 문재경 ,  맹성재 ,  이종람 ,  윤광준

IPC: H01L21/68

Abstract: A semiconductor wafer(1) is equipped on a mounting glass substrate(4) by using bonding wax(3). After a certain processes, the semiconductor wafer is separated from the glass substrate(4). The method includes the steps of: forming auxiliary layer(5) by spreading photoresist film on the mounting glass substrate(4); uniting the semiconductor wafer(1) and the mounting glass substrate(4) by the bonding wax(3).

Abstract translation: 通过使用粘结蜡（3）将半导体晶片（1）装配在安装玻璃基板（4）上。 在一定的处理之后，半导体晶片与玻璃基板（4）分离。 该方法包括以下步骤：通过在安装玻璃基板（4）上铺展光致抗蚀剂膜形成辅助层（5）; 通过粘结蜡（3）将半导体晶片（1）和安装玻璃基板（4）结合在一起。