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公开(公告)号：KR1020040031933A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：KR1020020061073
申请日：2002-10-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/32137 , H01L21/3065
Abstract: PURPOSE: A dry lithography method and a method for forming a gate pattern using the same are provided to be capable of being replaced as a conventional lithography method without using a dry process. CONSTITUTION: A pattern printing object layer is prepared(S100). At this time, the pattern printing object layer is made of silicon. An electron beam irradiation is partially performed on the pattern printing object layer(S110). The pattern printing object layer is selectively removed by carrying out an RIE(Reactive Ion Etching) process using the etching rate difference between the electron beam irradiated portion and the electron beam free portion of the pattern printing object layer(S120). Preferably, the RIE process is carried out while heating the pattern printing object layer at the range of 0-1000 °C.
Abstract translation: 目的：提供干式光刻方法和使用其形成栅极图案的方法，以便能够在不使用干法的情况下作为常规光刻方法进行替换。 构成：制作图案印刷对象层（S100）。 此时，图案印刷对象层由硅制成。 在图案印刷对象层上部分地进行电子束照射（S110）。 通过使用电子束照射部分和图案印刷对象层的电子束自由部分之间的蚀刻速率差进行RIE（反应离子蚀刻）处理，选择性地除去图案印刷对象层（S120）。 优选地，在0-1000℃的范围内加热图案印刷对象层的同时进行RIE处理。
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公开(公告)号：KR1020040015417A
公开(公告)日：2004-02-19
申请号：KR1020020047506
申请日：2002-08-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L29/458 , H01L29/7839 , H01L29/78609 , H01L29/78696
Abstract: PURPOSE: A SBTT(Schottky Barrier Tunnel Transistor) using a thin SOI(Silicon On Insulator) layer and a manufacturing method thereof are provided to be capable of restraining short channel effect and preventing leakage current. CONSTITUTION: A SBTT is provided with a substrate(110) and a buried oxide layer(120) formed on the substrate. At this time, a groove portion is formed on the buried oxide layer. The SBTT further includes a thin SOI layer(130) formed across the upper portion of the groove portion, an insulating layer for enclosing the SOI layer, a gate(150a) formed at the upper portion of the insulating layer, and a source/drain region(160) formed at both sidewalls of the gate. At this time, the source/drain region are made of a silicide layer. Preferably, the groove portion is filled with a conductive layer(150b).
Abstract translation: 目的：使用薄SOI（绝缘体上硅）层的SBTT（肖特基势垒隧道晶体管）及其制造方法能够抑制短沟道效应并防止漏电流。 构成：SBTT设置有形成在基板上的基板（110）和掩埋氧化物层（120）。 此时，在掩埋氧化物层上形成槽部。 SBTT还包括横跨沟槽部分的上部形成的薄SOI层（130），用于封装SOI层的绝缘层，形成在绝缘层上部的栅极（150a），以及源极/漏极 形成在栅极的两个侧壁处的区域（160）。 此时源/漏区由硅化物层制成。 优选地，沟槽部分填充有导电层（150b）。
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公开(公告)号：KR101889818B1
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：KR1020120117228
申请日：2012-10-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은열전도도측정장치및 그측정방법에관한것이다. 본발명에의한열전도도측정장치는시료의일단과연결되고, 열원으로부터열을제공받는제 1 구조체, 상기시료의타단과연결되는제 2 구조체, 상기제 1 구조체와연결되어상기제 1 구조체를지지하는제 1 스테이지, 상기제 2 구조체와연결되어상기제 2 구조체를지지하는제 2 스테이지, 상기제 1 및제 2 스테이지사이에연결되는연결부및 상기제 1 및제 2 구조체와상기제 1 및제 2 스테이지의온도를측정하는측정부를포함하고, 상기측정부는상기측정된제 1 및제 2 구조체와상기제 1 및제 2 스테이지의온도및 상기열원으로부터제공된열의양을이용하여상기시료의열전도도를계산한다. 본발명의열전도도측정장치및 그측정방법은측정환경을고려하여스테이지에서방출되는열흐름에의한스테이지의온도변화를보정하므로, 측정의신뢰성이향상된다.
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公开(公告)号：KR1020150108992A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020140031720
申请日：2014-03-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03K17/122 , H02M3/1588 , H02M2001/0009 , H02M2001/0048 , H03K2217/0036 , Y02B70/1466 , Y02B70/1491
Abstract: 발전소자용 DC-DC 승압형변환기는양단전압및 전원전류를발생시키는발전소자, 제1 노드와제2 노드사이에연결되고, 전원전류에의해충전되는인덕터, 제2 노드와제3 노드사이에연결되는제1 복수의트랜지스터들을포함하는제1 스위치부, 제2 노드와접지단자에연결되는제2 복수의트랜지스터들을포함하는제2 스위치부, 양단전압을감지하여, 발전소자로부터출력되는입력전압이양단전압과소정의비율로유지되도록제어신호를제1 및제2 스위치부에출력하는최대전력추종제어부, 발전소자및 상기인덕터사이에연결되며, 상기전원전류의크기에따른상기제1 및제2 스위치부의활성화되는상기제1 및제2 복수의트랜지스터의개수를제어하는신호를출력하는전류감지부, 및신호를통해제1 및제2 스위치부의제1 및제2 복수의트랜지스터들을연결하는스위치선택부를포함한다.
Abstract translation: 用于发电装置的DC-DC升压转换器包括产生电力电流的电力产生装置和其两端之间的电压，连接在第一节点和第二节点之间并且被充电的电力的电感器， 第一开关单元，包括连接在第二节点和第三节点之间的多个第一晶体管，第二开关单元，其包括连接到第二节点的多个第二晶体管和接地端子，最大功率点 跟踪控制单元，其感测其两端之间的电压，并且向第一和第二开关单元输出控制信号，以将其从发电设备输出的输入电压与其两端之间的电压设定为预设比;电流感测单元 其连接在发电装置和电感器之间，并且输出用于控制第一和第二转子的数量的信号 根据功率电流的振幅激活的第一和第二开关单元的开关，以及通过该信号连接第一和第二开关单元的第一和第二晶体管的开关选择单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140076961A
公开(公告)日：2014-06-23
申请号：KR1020120145572
申请日：2012-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 장문규
Abstract: A thermoelectric device is provided. A first electrode and a second electrode are provided on a substrate. A first leg including first semiconductor patterns and at least one first barrier pattern is provided on the first electrode. A second leg including second semiconductor patterns and at least one second barrier pattern is provided on the second electrode. A third electrode is provided on the first leg and the second leg. The first barrier pattern includes a metal-semiconductor compound between the first semiconductor patterns and a first metal, and the second barrier pattern includes a metal-semiconductor compound between the second semiconductor patterns and a second metal. A work function of the second metal is larger than a work function of the first metal.
Abstract translation: 提供了一种热电装置。 第一电极和第二电极设置在基板上。 在第一电极上设置包括第一半导体图案和至少一个第一屏障图案的第一支脚。 包括第二半导体图案和至少一个第二屏障图案的第二支腿设置在第二电极上。 第三电极设置在第一腿部和第二腿部上。 第一阻挡图案包括在第一半导体图案和第一金属之间的金属 - 半导体化合物，并且第二势垒图案包括在第二半导体图案和第二金属之间的金属 - 半导体化合物。 第二金属的功函数大于第一金属的功函数。
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公开(公告)号：KR101352362B1
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：KR1020100088107
申请日：2010-09-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B82B3/00 , H01L35/02 , H01L27/146
Abstract: 열전 소자 및 그 형성방법, 이를 이용한 온도 감지 센서 및 열원 이미지 센서가 제공된다. 열전 소자는 기판 상의 서로 이격되어 배치된 제 1 나노 와이어 및 제 2 나노 와이어, 제 1 나노 와이어의 일단에 연결되는 제 1 실리콘 박막, 제 2 나노 와이어의 일단에 연결되는 제 2 실리콘 박막 및 제 1 나노 와이어의 타단 및 제 2 나노 와이어의 타단에 연결되는 제 3 실리콘 박막을 포함하되, 제 1 나노 와이어 및 제 2 나노 와이어는 기판의 상부면에 대하여 수평한 방향으로 연장된다.
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公开(公告)号：KR101302747B1
公开(公告)日：2013-08-30
申请号：KR1020100016905
申请日：2010-02-25
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명에 따른 열전소자는 열 흡수막 상부에 형성된 반사방지막에 의해 복사광이 외부로 반사되지 않고 상기 열 흡수막으로 최대한 흡수되어 복사열 흡수 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 열전소자는 열 방출막 상부에 형성된 절연막과 상기 절연막 상부에 형성된 제1 반사막에 의해 외부 복사열이 상기 열 방출막으로 흡수되는 것을 방지할 수 있고, 상기 열 방출막에 열적으로 연결된 제2 반사막에 의해 상기 열 방출막에 전달된 복사열을 최대한 외부로 방출할 수 있으므로 복사열 방출 효율을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130072694A
公开(公告)日：2013-07-02
申请号：KR1020110140232
申请日：2011-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric element and a manufacturing method thereof are provided to maintain the constant temperature difference between a heat adsorption part and a heat radiation part, and to improve thermoelectric effect. CONSTITUTION: A heat adsorption part (230) is formed on a substrate. A leg (240) and a heat radiation part (250) are formed on the substrate. A thermal release material emits the heat transferred from the heat radiation part. One end of the leg is connected to the heat adsorption part. The other end of the leg is connected to the heat radiation part.
Abstract translation: 目的：提供一种热电元件及其制造方法，以保持热吸收部和散热部之间的恒温差，并提高热电效应。 构成：在基板上形成热吸附部（230）。 在基板上形成有支脚（240）和散热部（250）。 热释放材料发射从热辐射部分传递的热量。 腿的一端连接到热吸收部分。 腿的另一端连接到散热部分。
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公开(公告)号：KR1020120071254A
公开(公告)日：2012-07-02
申请号：KR1020100132921
申请日：2010-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/32
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric device and a manufacturing method thereof are provided to improve a seebeck coefficient by partially forming a material having different work functions on each of an N-type leg and a P-type leg. CONSTITUTION: An insulation layer(120) prevents heat generated in a structure from being transmitted to a substrate(110). A high temperature portion(140) is commonly connected to one ends of a first nanowire(130b) and a second nanowire(130a). A low temperature portion(150) is connected to the other ends of the first nanowire and the second nanowire. An insulating layer(160) is formed through the first nanowire and the second nanowire. A first metal layer(170a) is formed on the top of the insulating layer at the first nanowire. A second metal layer(170b) is formed on the top of the insulating layer at the second nanowire.
Abstract translation: 目的：提供一种热电装置及其制造方法，以通过在N型腿和P型腿中的每一个上部分地形成具有不同功函数的材料来提高跷跷板系数。 构成：绝缘层（120）防止在结构中产生的热量被传送到衬底（110）。 高温部分（140）通常连接到第一纳米线（130b）和第二纳米线（130a）的一端。 低温部分（150）连接到第一纳米线和第二纳米线的另一端。 通过第一纳米线和第二纳米线形成绝缘层（160）。 第一金属层（170a）形成在第一纳米线的绝缘层的顶部。 第二金属层（170b）形成在绝缘层的第二纳米线的顶部。
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