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公开(公告)号：KR1019950021041A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930029353
申请日：1993-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 광노광장치를 이용한 리소그라피 공정시 위상격자로 구성된 미해상 회절층을 사용하여 부분차광막 방식의 해상력 개선을 보완한 구조로 미해상 회절 마스크의 구조를 접목하여 보다 좋은 리소그라피성능을 발휘하게 하는 변형 미해상 회절 마스크 구조 및 제작방법에 관한 것이다. 본 발명의 변형 미해상 회절마스크는 부분 차광막 방법으로 제작된 주 마스크 패턴의 상부에 웨이퍼 위에 상이 전사되지 않는 위상격자 패턴으로 형성된 미해상 회절층이 놓여진 구조로 되어 있었다. 따라서 본 발명은 종래의 DDM의 리소그라피 특성을 개선시켜 주 마스크의 해상력을 높이고 촛점심도를 크게 하는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019950021033A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027861
申请日：1993-12-15
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 반도체 노광장비에 관한 것으로 특히 웨이퍼에 도포된 감광물질 위에 상을 형성시키는 노광장비의 구성장치인 가변 전정력이 가능한 레티클이송 및 구동 장치에 관한 것으로서 전정렬 오차를 수백㎛에서 수㎛로 가변할 수 있도록 전정렬 기능이 있는 자동 이송장치와 전정렬 및 정렬오차 내로 구현하기 위해0.01㎛ 해상도의 기어모터와 힌지스프링에 의해XY방향으로, 회전베어링과 기어모터에 의해 θ방향 그리고 X,Y와θ방향의 전정렬 오차가 수백㎛에서 수5㎛까지 변할 수 있도록 개선되도록 하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019950021023A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930026317
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
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公开(公告)号：KR1019930001193B1
公开(公告)日：1993-02-20
申请号：KR1019880011867
申请日：1988-09-14
IPC: H01L21/00
Abstract: The nreactor performs rapid heat-treatment of silicon thin films such as SiO2 or Si3N4 in manufacturing integrated circuits (ICs). The reactor comprises a reactor body (A) for generating photo chemical reactions, UV exposing device for supplying the ultraviolet to the upper body (A); IR heating device (C) for heating the lower circuit boards. The body (A) includes a rectangular UV receiving window (112); IR passing window (102) for blocking UV and passing IR; gas injecting device (111) with rectangular nozzle for injecting inert gas; reacting gas flange (109) for adjusting the injecting height, injecting device exchanger (106), gas injecting device (105) having sequentially formed nozzles.
Abstract translation: 在制造集成电路（IC）时，反应器对硅薄膜例如SiO 2或Si 3 N 4进行快速热处理。 反应器包括用于产生光化学反应的反应器体（A），用于向上体（A）供给紫外线的UV曝光装置; IR加热装置（C），用于加热下部电路板。 主体（A）包括矩形UV接收窗口（112）; 红外通过窗口（102），用于阻挡UV和通过IR; 气体注入装置（111），其具有用于注入惰性气体的矩形喷嘴; 用于调节喷射高度的反应气体凸缘（109），喷射装置交换器（106），具有顺序形成的喷嘴的气体喷射装置（105）。
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公开(公告)号：KR1019920009714B1
公开(公告)日：1992-10-22
申请号：KR1019880017976
申请日：1988-12-30
IPC: H01L21/00
Abstract: The multi-functional drive board providing a simple structure of semiconductor device for cost reduction comprises; 4 connectors connected to the power source and an external circuit; 6 schmitt trigger invertors inputting the signal of the respective connector to the drive module; 6 drive modules. Each module comprises; an inversion or non-inversion buffer; an optical coupler transfering the signal outputted from the buffer; a drive integrated circuit (IC) for driving the outer circuit by receiving the signal outputted from the optical coupler. The power source provides 12 V as the power source for logic and drive.
Abstract translation: 提供用于降低成本的半导体器件的简单结构的多功能驱动板包括： 连接到电源的4个连接器和外部电路; 6个施密特触发反相器将相应连接器的信号输入到驱动模块; 6个驱动模块。 每个模块包括 反转或非反转缓冲器; 光耦合器，传送从缓冲器输出的信号; 驱动集成电路（IC），用于通过接收从光耦合器输出的信号来驱动外部电路。 电源提供12 V电源作为逻辑和驱动器的电源。
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公开(公告)号：KR1019900006017B1
公开(公告)日：1990-08-20
申请号：KR1019870014516
申请日：1987-12-18
IPC: H01L21/677
CPC classification number: B25J15/00 , B25J9/041 , H01L21/68707 , Y10S414/141
Abstract: The carrier enables conveying the center of wafer with 2-8 inch diameter to the reactor center without a wafer supporting, simultaneously conveying wafer from a reactor to a vacuum load system. The carrier using linear motion of arm (30) mounted on turn table (12), includes wafer setting pins (44) (441-446) attached to leaf springs (45)(451-455) at the front of the arm; arm slide (3), compressed spring (53), shock absorbing plate (32), arm slide stopping pin (52) at the rear of the arm.
Abstract translation: 载体能够将具有2-8英寸直径的晶片的中心输送到反应器中心，而不需要晶片支撑，同时将晶片从反应器输送到真空负载系统。 使用安装在转台（12）上的臂（30）的线性运动的载体包括附接到臂前部的板簧（45）（451-455）的晶片固定销（441-446） 手臂滑块（3），压缩弹簧（53），减震板（32），手臂后部的手臂滑动止动销（52）。
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