公开(公告)号：DE102009031111A1

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：DE102009031111

申请日：2009-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  FROHBERG KAI ,  SCHUEHRER HOLGER

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L23/535

Abstract: Durch geeignetes Gestalten der geometrischen Konfiguration einer Kontaktebene eines komplexen Halbleiterbauelements kann die Zugverspannungskomponente von Kontaktelementen in n-Kanaltransistoren erhöht werden, während die Zugverformungskomponente der Kontaktelemente, die in dem p-Kanaltransistor hervorgerufen wird, reduziert ist.

公开(公告)号：DE102018209597A1

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：DE102018209597

申请日：2018-06-14

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  POTH JOCHEN WILLI ,  BEYER SVEN ,  DUENKEL STEFAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12

Abstract: In komplexen SOI-Transistorelementen wird die vergrabene isolierende Schicht speziell so gestaltet, dass sie nicht-standardmäßige dielektrische Materialien enthält. Beispielsweise werden ein Ladungseinfangmaterial und/oder ein dielektrisches Material mit großer Dielektrizitätskonstante und/oder ein ferroelektrisches Material in die vergrabene isolierende Schicht eingebaut. Auf diese Weise können nicht-flüchtige Speichertransistorelemente mit verbessertem Verhalten erreicht werden und/oder die Effizienz eines Rückseitenvorspannungsmechanismus kann verbessert werden.

公开(公告)号：DE102013210625A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：DE102013210625

申请日：2013-06-07

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HOHAGE JOERG ,  RUELKE HARTMUT ,  RICHTER RALF

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/34 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: Die vorliegende Erfindung stellt Herstellungstechniken und Halbleitervorrichtungen bereit, in denen ein Leistungsvermögen von P-Kanaltransistoren auf Grundlage eines Verspannungsmechanismus erhöht wird, der die Abscheidung eines dielektrischen Zweischichtsystems umfasst. Im Gegensatz zu herkömmlichen Strategien kann vor der Abscheidung einer Haftschicht eine zusätzliche Vorbehandlung in einer plasmafreien Prozessumgebung durchgeführt werden, wodurch eine Verringerung einer Dicke der Haftschicht und ein größeres internes Verspannungsniveau der nachfolgenden Oberschicht ermöglicht wird.

公开(公告)号：DE102011002769B4

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：DE102011002769

申请日：2011-01-17

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  RICHTER RALF ,  HUISINGA TORSTEN ,  FROHBERG KAI

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L29/45

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer dielektrischen Schicht über einem Schaltungselement, das ein in einem Halbleitergebiet ausgebildetes Kontaktgebiet aufweist; Bilden eines Kontaktelements in der dielektrischen Schicht derart, dass es eine Verbindung zu dem Kontaktgebiet herstellt, wobei das Kontaktelement ein erstes leitendes Material aufweist; Bilden einer Vertiefung in dem Kontaktelement durch Entfernen eines Teils des ersten leitenden Materials; Bilden eines Grabens in der dielektrischen Schicht nach dem Bilden der Vertiefung, wobei der Graben mit dem Kontaktelement in Verbindung steht; Bilden einer Barrierenmaterialschicht in der Vertiefung; und Füllen der Vertiefung mit einem zweiten leitenden Material, das sich von dem ersten leitenden Material unterscheidet, nach dem Bilden der Barrierenmaterialschicht.

公开(公告)号：DE102010038744B4

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：DE102010038744

申请日：2010-07-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  LENSKI MARKUS ,  HUISINGA TORSTEN

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/311

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen Zwischenschichtmaterialssystems eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Entfernen eines ersten Teils einer ersten verformungsinduzierenden Schicht von einem ersten Bauteilbereich und Bewahren eines zweiten Teils der ersten verformungsinduzierenden Schicht, der über einem zweiten Bauteilbereich ausgebildet ist; Bilden einer zweiten verformungsinduzierenden Schicht über dem zweiten Teil und dem ersten Bauteilbereich; Bilden eines Ätzstoppmaterials; danach Ausführen eines Abtragungsprozesses derart, dass ein erster Teil der zweiten verformungsinduzierenden Schicht, der über dem ersten Bauteilbereich ausgebildet ist, bewahrt wird und Material eines zweiten Teils der zweiten verformungsinduzierenden Schicht, der über dem zweiten Teil der ersten verformungsinduzierenden Schicht ausgebildet ist, entfernt wird, wobei der Abtragungsprozess Bilden einer Ätzmaske derart, dass der erste Bauteilbereich abgedeckt ist, durch Strukturieren des Ätzstoppmaterials mittels einer Lackmaske umfasst; Ausführen eines nasschemischen Ätzprozesses in Anwesenheit der Ätzmaske derart, dass weiteres Material des zweiten Teils der zweiten verformungsinduzierenden Schicht abgetragen wird; und...

公开(公告)号：DE102012201025A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：DE102012201025

申请日：2012-01-25

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  HUISINGA TORSTEN ,  HEINRICH JENS

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: Es werden Fertigungsverfahren für Halbleiterbauteilstrukturen bereitgestellt. Ein Verfahren für das Herstellen einer Halbleiterbauteilstruktur, die eine Gatestruktur über einem Halbleitersubstrat und ein dotiertes Gebiet aufweist, das in dem Halbleitersubstrat benachbart zu der Gatestruktur ausgebildet ist, umfasst die Schritte: Bilden einer ersten Schicht aus dielektrischem Material über der Gatestruktur und dem dotierten Gebiet, isotropes Ätzen der ersten Schicht aus dielektrischem Material, Bilden einer zweiten Schicht aus dielektrischem Material über der ersten Schicht aus dielektrischem Material nach dem isotropen Ätzen der ersten Schicht, und Bilden eines leitenden Kontakts, der elektrisch mit dem dotierten Gebiet in der ersten Schicht und der zweiten Schicht verbunden ist.

公开(公告)号：DE102011002769A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：DE102011002769

申请日：2011-01-17

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  RICHTER RALF ,  HUISINGA TORSTEN ,  FROHBERG KAI

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/45

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen wird eine bessere Kontaktwiderstandseigenschaft bei einer vorgegebenen Kontaktkonfiguration erreicht, indem Hybridkontaktelemente bereitgestellt werden, wovon zumindest ein Teil aus einem gut leitenden Material, etwa Kupfer, aufgebaut ist. Dazu wird ein gut etabliertes Kontaktmaterial, etwa Wolfram, als Puffermaterial verwendet, um die Integrität empfindlicher Bauteilbereiche beim Abscheiden des gut leitenden Metalls zu bewahren.

公开(公告)号：DE102008026135B4

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：DE102008026135

申请日：2008-05-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MOWRY ANTHONY ,  SCOTT CASEY ,  WIATR MACIEJ ,  RICHTER RALF

IPC: H01L23/34 ,  H01L35/02 ,  H05B1/02 ,  H05B3/18

Abstract: Halbleiterbauelement mit: mehreren Schaltungselementen, die einen Funktionsschaltungsbereich repräsentieren, der in einem Chipgebiet ausgebildet ist; mindestens einem Heizelement (120), das in dem Chipgebiet ausgebildet ist, wobei das mindestens eine Heizelement (120) funktionsmäßig unabhängig von dem Funktionsschaltungsbereich und mit diesem thermisch gekoppelt ist; und einem Steuerungsmechanismus, der ausgebildet ist, das mindestens eine Heizelement (120) zu aktivieren, zumindest wenn eine Temperatur des Funktionsschaltungsbereichs unter einem spezifizierten Schwellwert liegt; und wobei das mindestens eine Heizelement (120) eine Widerstandsstruktur (121) aufweist, die in einer Grabenisolationsstruktur (133) ausgebildet ist, die mindestens eines der mehreren Schaltungselement lateral abtrennt.

公开(公告)号：DE102007025342B4

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：DE102007025342

申请日：2007-05-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  WEI ANDY ,  BOSCHKE ROMAN

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer ersten verspannungsinduzierenden Schicht (240) über einem ersten Transistor (220a), der über einem Substrat (201) ausgebildet ist, wobei die erste verspannungsinduzierende Schicht eine erste Art an Verspannung erzeugt; Bilden einer zweiten verspannungsinduzierenden Schicht (230) über einem zweiten Transistor (220b), wobei die zweite verspannungsinduzierende Schicht eine zweite Art an Verspannung erzeugt, die ungleich der ersten Art an Verspannung ist; Bilden einer dritten dielektrischen Schicht (260) über dem ersten und dem zweiten Transistor; Bilden eines Zwischenschichtdielektrikumsmaterials (250) über dem ersten und dem zweiten Transistor; und Bilden von Kontaktöffnungen (251), die eine Verbindung zu dem ersten und dem zweiten Transistor herstellen, durch Verwenden der dritten dielektrischen Schicht als ein Ätzstoppmaterial; wobei der erste Transistor (220a) ein n-Kanaltransistor ist und der zweite Transistor (220b) ein p-Kanaltransistor ist oder umgekehrt; und das Bilden der dritten dielektrischen Schicht umfasst: Abscheiden von Material der dritten Schicht...

公开(公告)号：DE102009043328A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：DE102009043328

申请日：2009-09-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  RICHTER RALF ,  STEFFEN KATJA ,  GROSCHOPF JOHANNES ,  SELIGER FRANK ,  OTT ANDREAS ,  HEINZ MANFRED ,  WEI ANDY

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: In einem Austauschgateverfahren wird das Polysiliziummaterial während eines nasschemischen Ätzprozesses effizient entfernt, während das Halbleitermaterial in den Widerstandsstrukturen im Wesentlichen beibehalten wird. Zu diesem Zweck wird eine Substanzsorte, etwa Xenon, in das Halbleitermaterial der Widerstandsstruktur eingebaut, wodurch dem Halbleitermaterial ein deutlich erhöhter Ätzwiderstand verliehen wird. Das Xenon kann in einer beliebigen geeigneten Fertigungsphase eingebaut werden.