公开(公告)号：GB2495166A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：GB201209218

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  CORTES NORMA SOSA ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: A method for forming a single-junction photovoltaic cell includes forming a dopant layer on a surface of a semiconductor substrate; diffusing the dopant layer into the semiconductor substrate to form a doped layer of the semiconductor substrate; forming a metal layer over the doped layer, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the semiconductor substrate; removing a semiconductor layer from the semiconductor substrate at the fracture; and forming the single-junction photovoltaic cell using the semiconductor layer. A single-junction photovoltaic cell includes a doped layer comprising a dopant diffused into a semiconductor substrate; a patterned conducting layer formed on the doped layer; a semiconductor layer comprising the semiconductor substrate located on the doped layer on a surface of the doped layer opposite the patterned conducting layer; and an ohmic contact layer formed on the semiconductor layer.

公开(公告)号：DE112011100102T5

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：DE112011100102

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  SOSA CORTES NORMA E ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/074

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden einer Photovoltaikzelle mit einem Übergang beinhaltet Ausbilden einer Dotierstoffschicht auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats; Diffundieren der Dotierstoffschicht in das Halbleitersubstrat, um eine dotierte Schicht des Halbleitersubstrats auszubilden; Ausbilden einer Metallschicht über der dotierten Schicht, wobei eine Zugspannung in der Metallschicht so eingerichtet wird, dass ein Bruch in dem Halbleitersubstrat verursacht wird; Entfernen einer Halbleiterschicht von dem Halbleitersubstrat an dem Bruch; und Ausbilden der Photovoltaikzelle mit einem Übergang mithilfe der Halbleiterschicht. Eine Photovoltaikzelle mit einem Übergang beinhaltet eine dotierte Schicht, die einen Dotierstoff umfasst, der in ein Halbleitersubstrat diffundiert ist; eine strukturierte, leitende Schicht, die auf der dotierten Schicht ausgebildet ist; eine Halbleiterschicht, die das Halbleitersubstrat umfasst, das sich auf der dotierten Schicht auf einer Oberfläche der dotierten Schicht gegenüber der strukturierten, leitenden Schicht befindet; und eine ohmsche Kontaktschicht, die auf der Halbleiterschicht ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE60329857D1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：DE60329857

申请日：2003-05-13

Applicant: IBM

Inventor： HOUGHAM GARETH G ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  ZINTER JOSEPH

IPC: H05K1/00 ,  H01R13/24 ,  H01R43/00 ,  H05K3/40 ,  H05K3/42 ,  H05K7/10

Abstract: Methods for fabricating Land Grid Array (LGA) interposer contacts that are both conducting and elastic. Also provided are LGA interposer contacts as produced by the inventive methods. Provided is LGA type which utilizes a pure unfilled elastomer button core that is covered with an electrically-conductive material that is continuous from the top surface to the bottom surface of the button structure. In order to obviate the disadvantages and drawbacks which are presently encountered in the technology pertaining to the fabrication and structure of land grid arrays using electrically-conductive interposer contacts, there is provided both methods and structure for molding elastomer buttons into premetallized LGA carrier sheets, and wherein the non-conductive elastomer buttons are surface-metallized in order to convert them into conductive electrical contacts.