公开(公告)号：WO2011106204A2

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：PCT/US2011024949

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM ,  BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  SOSA CORTES NORMA E ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  WACASER BRENT A

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  SOSA CORTES NORMA E ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/06

CPC classification number: H01L31/0304 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/548

Abstract: A method for forming a single-junction photovoltaic cell includes forming a dopant layer on a surface of a semiconductor substrate; diffusing the dopant layer into the semiconductor substrate to form a doped layer of the semiconductor substrate; forming a metal layer over the doped layer, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the semiconductor substrate; removing a semiconductor layer from the semiconductor substrate at the fracture; and forming the single-junction photovoltaic cell using the semiconductor layer. A single-junction photovoltaic cell includes a doped layer comprising a dopant diffused into a semiconductor substrate; a patterned conducting layer formed on the doped layer; a semiconductor layer comprising the semiconductor substrate located on the doped layer on a surface of the doped layer opposite the patterned conducting layer; and an ohmic contact layer formed on the semiconductor layer.

Abstract translation: 一种形成单结光伏电池的方法包括在半导体衬底的表面上形成掺杂剂层; 将掺杂剂层扩散到半导体衬底中以形成半导体衬底的掺杂层; 在所述掺杂层上形成金属层，其中所述金属层中的拉伸应力构造成在所述半导体衬底中引起断裂; 在断裂时从半导体衬底去除半导体层; 以及使用半导体层形成单结光伏电池。 单结光伏电池包括掺杂剂，该掺杂层包含扩散到半导体衬底中的掺杂剂; 形成在掺杂层上的图案化导电层; 半导体层，其包括位于掺杂层的与图案化导电层相对的表面上的掺杂层上的半导体衬底; 以及形成在半导体层上的欧姆接触层。

公开(公告)号：DE112011100102T5

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：DE112011100102

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  SOSA CORTES NORMA E ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/074

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden einer Photovoltaikzelle mit einem Übergang beinhaltet Ausbilden einer Dotierstoffschicht auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats; Diffundieren der Dotierstoffschicht in das Halbleitersubstrat, um eine dotierte Schicht des Halbleitersubstrats auszubilden; Ausbilden einer Metallschicht über der dotierten Schicht, wobei eine Zugspannung in der Metallschicht so eingerichtet wird, dass ein Bruch in dem Halbleitersubstrat verursacht wird; Entfernen einer Halbleiterschicht von dem Halbleitersubstrat an dem Bruch; und Ausbilden der Photovoltaikzelle mit einem Übergang mithilfe der Halbleiterschicht. Eine Photovoltaikzelle mit einem Übergang beinhaltet eine dotierte Schicht, die einen Dotierstoff umfasst, der in ein Halbleitersubstrat diffundiert ist; eine strukturierte, leitende Schicht, die auf der dotierten Schicht ausgebildet ist; eine Halbleiterschicht, die das Halbleitersubstrat umfasst, das sich auf der dotierten Schicht auf einer Oberfläche der dotierten Schicht gegenüber der strukturierten, leitenden Schicht befindet; und eine ohmsche Kontaktschicht, die auf der Halbleiterschicht ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE112012002305T5

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：DE112012002305

申请日：2012-05-08

Applicant: IBM ,  KING ABDULAZIZ CITY SCI & TECH

Inventor： KHAYYAT MAHA M ,  SOSA CORTES NORMA E ,  SAENGER KATHERINE L ,  BEDELL STEPHEN W ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/30

Abstract: Es wird ein Verfahren bereitgestellt, um (i) eine zusätzliche Steuerung in einen Prozess für ein Spalling von Material einzubringen, um so sowohl die Initiierung von Rissen als auch die Ausbreitung von Rissen zu verbessern, und um (ii) den Bereich von auswahlbaren Spalling-Tiefen zu vergrößern. In einer Ausführungsform beinhaltet das Verfahren ein Bereitstellen einer Stressorschicht auf einer Oberfläche eines Grundsubstrats bei einer ersten Temperatur, welche die Raumtemperatur ist. Als Nächstes wird das Grundsubstrat, das die Stressorschicht beinhaltet, auf eine zweite Temperatur gebracht, die niedriger als Raumtemperatur ist. Das Grundsubstrat wird bei der zweiten Temperatur abgeplatzt, um eine abgeplatzte Materialschicht zu bilden. Danach wird die abgeplatzte Materialschicht auf Raumtemperatur, d. h. die erste Temperatur, zurückgebracht.

公开(公告)号：DE102012209891A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102012209891

申请日：2012-06-13

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  CHENG CHENG-WEI ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHIU KUEN-TING ,  SOSA CORTES NORMA E

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: Ein Verfahren zum Entfernen einer Halbleiterelementschicht von einem Grundsubstrat wird bereitgestellt, das das Bereitstellen einer Rissausbreitungsschicht auf einer oberen Fläche eines Grundsubstrats beinhaltet. Eine Halbleiterelementschicht mit mindestens einem Halbleiterelement wird auf der Rissausbreitungsschicht gebildet. Als Nächstes werden Endabschnitte der Rissausbreitungsschicht geätzt, um einen Riss in der Rissausbreitungsschicht auszulösen. Die geätzte Rissausbreitungsschicht wird anschließend gespalten, um einer Oberfläche der Halbleiterelementschicht einen gespaltenen Abschnitt der Rissausbreitungsschicht und der oberen Fläche des Grundsubstrats einen anderen gespaltenen Abschnitt der Rissausbreitungsschicht bereitzustellen. Der gespaltene Abschnitt der Rissausbreitungsschicht wird von der Oberfläche der Halbleiterelementschicht entfernt und der andere gespaltene Abschnitt der Rissausbreitungsschicht wird von der oberen Fläche des Grundsubstrats entfernt.

公开(公告)号：CA2783626A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：CA2783626

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  SOSA CORTES NORMA E ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/06

Abstract: A method for forming a single-junction photovoltaic cell includes forming a dopant layer on a surface of a semiconductor substrate; diffusing the dopant layer into the semiconductor substrate to form a doped layer of the semiconductor substrate; forming a metal layer over the doped layer, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the semiconductor substrate; removing a semiconductor layer from the semiconductor substrate at the fracture; and forming the single-junction photovoltaic cell using the semiconductor layer. A single-junction photovoltaic cell includes a doped layer comprising a dopant diffused into a semiconductor substrate; a patterned conducting layer formed on the doped layer; a semiconductor layer comprising the semiconductor substrate located on the doped layer on a surface of the doped layer opposite the patterned conducting layer; and an ohmic contact layer formed on the semiconductor layer.