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    Elektronisches Bauteil
    51.
    发明专利
    Elektronisches Bauteil 未知

    公开(公告)号：DE102012106431A1

    公开(公告)日：2013-01-24

    申请号：DE102012106431

    申请日：2012-07-17

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MAHLER JOACHIM ,  MENGEL MANFRED ,  HOSSEINI KHALIL ,  SCHMIDT KLAUS ,  KALZ FRANZ-PETER

    IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

    Abstract: Ein elektronisches Bauteil weist einen elektrisch leitenden Träger auf. Der elektrisch leitende Träger weist eine Trägeroberfläche auf und ein Halbleiterchip weist eine Chipoberfläche auf. Die Trägeroberfläche und/oder die Chipoberfläche weisen eine nicht ebene Struktur auf. Der Chip wird an dem Träger mit der Chipoberfläche zu der Trägeroberfläche gerichtet derart befestigt, dass eine Spalte zwischen der Chipoberfläche und der Trägeroberfläche aufgrund der nicht ebenen Struktur der Trägeroberfläche und/oder der ersten Chipoberfläche bereitgestellt wird. Das elektronische Bauteil weist ferner eine erste galvanisch abgelagerte metallische Schicht, die sich in der Spalte befindet, auf.

    Verfahren und System zum Ausbilden eines dünnen Halbleiterbauelements
    54.
    发明专利
    Verfahren und System zum Ausbilden eines dünnen Halbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102011001770A1

    公开(公告)日：2011-12-01

    申请号：DE102011001770

    申请日：2011-04-04

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HOSSEINI KHALIL

    IPC: H01L21/56 ,  H01L21/304 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

    Abstract: Es werden ein Verfahren und ein System zum Ausbilden eines dünnen Halbleiterbauelements offenbart. Bei einer Ausführungsform wird ein Systemträger (102) über einem Träger (100) bereitgestellt. Mindestens ein Halbleiterchip (108) wird auf dem Systemträger (102) bereitgestellt, und der mindestens eine Halbleiterchip (108) wird mit einem Kapselungsmaterial (120) gekapselt. Die Dicke des mindestens einen Halbleiterchips (108) und des Kapselungsmaterials (120) werden reduziert. Mindestens eine Durchverbindung (128, 130, 132) wird in dem Kapselungsmaterial (120) ausgebildet, und mindestens ein elektrisches Kontaktelement (134, 136, 138) wird über dem mindestens einen Halbleiterchip (108) und der mindestens einen Durchverbindung (128, 130, 132) ausgebildet.

    Semiconductor component has surface mountable external contacts, which has external contact surface on lower surface of housing of semiconductor components whereby drain contact surface is provided at rear surface of semiconductor chip
    57.
    发明专利
    Semiconductor component has surface mountable external contacts, which has external contact surface on lower surface of housing of semiconductor components whereby drain contact surface is provided at rear surface of semiconductor chip 未知

    公开(公告)号：DE102005011159A1

    公开(公告)日：2006-09-21

    申请号：DE102005011159

    申请日：2005-03-09

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  KOENIGSBERGER ALEXANDER

    IPC: H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/36 ,  H01L29/78

    Abstract: Semiconductor component (1) has surface mountable external contacts (2-5), which has external contact surface on the lower surface (6) of the housing (7) of the semiconductor components. A source contact surface (10) and a gate contact surface (11) are provided at the top surface (9) of the semiconductor chip (8) whereby a drain contact surface is provided at the rear surface (12) of semiconductor chip. A cooling body (13) is provided, which has a top surface (14), a lower surface (15) and a recess (16) on the lower surface whereby its top surface forms a coplanar upper surface with the housing upper surface (17). The semiconductor chip is arranged with the source contact area in the recess and this source contact area is electrically connected with the cooling body. The lower surface of the cooling body and the drain contact area of the semiconductor chip are arranged in the housing plane, which is formed by the surface-mountable external contacts. The lower surface of the cooling body with a source external contact (S) and the drain contact area with the drain external contact (D) and the gate contact area with the gate external contact (G) stand in electrical connection on the lower surface of the semiconductor component by a connecting element (19). An independent claim is also included for the method for the production of the semiconductor component.

    Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils
    59.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils 未知

    公开(公告)号：DE102013112708B4

    公开(公告)日：2022-06-15

    申请号：DE102013112708

    申请日：2013-11-18

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MEYER-BERG GEORG ,  HOSSEINI KHALIL ,  MAHLER JOACHIM ,  FUERGUT EDWARD

    IPC: H01L21/58 ,  H01L21/268 ,  H01L21/60 ,  H01L23/492

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils, wobei das Verfahren umfasst:Bereitstellen eines Trägers;Bereitstellen eines Halbleiterchips;Auftragen einer Verbindungsschicht auf eine erste Hauptfläche des Halbleiterchips, wobei die Verbindungsschicht eine Mehrzahl von Vertiefungen umfasst;Auftragen eines wärmeschrumpffähigen Füllmaterials auf die Verbindungsschicht oder den Träger;derartiges Befestigen des Halbleiterchips am Träger, dass die Verbindungsschicht zwischen dem Halbleiterchip und dem Träger angeordnet ist; undAnwenden von einem oder mehreren von Wärme und Druck, um den Halbleiterchip am Träger zu fixieren.

    CHIPANORDNUNGEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER CHIPANORDNUNG
    60.
    发明专利
    CHIPANORDNUNGEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER CHIPANORDNUNG 未知

    公开(公告)号：DE102014103295B4

    公开(公告)日：2021-01-07

    申请号：DE102014103295

    申请日：2014-03-12

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FUERGUT EDWARD ,  HOSSEINI KHALIL ,  MAHLER JOACHIM ,  MEYER-BERG GEORG ,  STEINER RAINER

    IPC: H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

    Abstract: Chipanordnung, mit:einem Chipträger (102, 402), wobei der Chipträger (102, 402) eine Mehrzahl von durchgehenden Gräben aufweist;einem auf dem Chipträger (102, 402) angebrachten Chip (104, 404), wobei der Chip (104, 404) wenigstens zwei Chipkontakte (106, 406) aufweist, die dem Chipträger (102, 402) zugewandt sind; undIsolierhaftmittel (108, 408) zwischen dem Chip (104, 404) und dem Chipträger (102, 402), um den Chip (104, 404) auf dem Chipträger (102, 402) haftend aufzubringen;wobei die wenigstens zwei Chipkontakte (106, 406) mit dem Chipträger (102, 402) mittels wenigstes eines Kontaktdurchgangslochs elektrisch gekoppelt sind;wobei das wenigstens eine Kontaktdurchgangsloch zumindest teilweise mittels eines über den Chipkontakten (106, 406) angeordneten und mit einem elektrisch leitfähigen Material vollständig gefüllten Grabens gebildet ist; undwobei wenigstens ein nicht über den Chipkontakten (106, 406) angeordneter Graben eine hohle Struktur (422) in dem Chipträger (102, 402) bildet.

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