Abstract:
The invention relates to a layer (1) between boundary surfaces (2) of differing components (5, 6) in semiconductor modules (10) and method for production thereof. One component (5) thus comprises surfaces (3) of a circuit substrate (11) as boundary surface (11) and another component (6) comprises contact surfaces (4) of a plastic housing mass (9) as boundary surface (2). The adhesion-improving layer (1) is a mixture of polymeric chain molecules and carbon nanotubes.
Abstract:
The invention relates to a bonding film (1, 21), a semiconductor component (20) comprising a bonding film (1, 21), and a method for the production thereof. Said bonding film (1, 21) is used for contacting semiconductor chips (2), the planar dimensions of the bonding film (1, 21) being greater than the semiconductor chip (2). The bonding film (1, 21) is provided with peripheral terminal faces (10) in the border region (17) located outside the semiconductor chip (2), said peripheral terminal faces (10) being connected to terminal contact faces (5) via wiring cables (8, 9). The arrangement and size of said terminal contact faces (5) correspond to an arrangement and size of contact areas (6) of the semiconductor chip (2), the terminal contact faces (5) being in a bonding connection to said contact areas (6) of the semiconductor chip (2). An inventive semiconductor component (20) comprises two bonding films (1, 21). An upper bonding film (1) covers the top faces (16) and peripheral faces of the semiconductor chip (2) while a lower bonding film (21) contacts and covers the rear face (15) of the semiconductor chip (2).
Abstract:
The invention relates to a semiconductor component (14) comprising a stack (100) of semiconductor chips (1, 2), these semiconductor chips (1, 2) being fixed to one another with material fit. The contact surfaces (5) of the semiconductor chips (1, 2) lead up to the edges (6) of the semiconductor chip (1, 2), and conductor sections (7) extend at least from a top edge (8) to a bottom edge (9) of the edge sides (10) of the semiconductor chips (1, 2) in order to electrically connect the contact surface (5) of the stacked semiconductor chips (1, 2) to one another.
Abstract:
Ein Chipträger (100), der eine wärmeleitfähige und elektrisch isolierende Sheet-Struktur (102), eine erste elektrisch leitfähige Struktur (104) auf einer ersten Hauptfläche der Sheet-Struktur (102) und eine zweite elektrisch leitfähige Struktur (106) auf einer zweiten Hauptfläche der Sheet-Struktur (102) umfasst, wobei die erste elektrisch leitfähige Struktur (104) und die zweite elektrisch leitfähige Struktur (106) über einen Seitenrand der Sheet-Struktur (102) hinausragen.
Abstract:
Eine elektronische Vorrichtung (100) umfassend einen Träger (102) mit einer Befestigungsfläche (104), mindestens ein elektronischer Chip (108), der auf der Befestigungsfläche (104) befestigt ist, mindestens eine elektrische Verbindungsstruktur (106), die auf der Befestigungsfläche (104) befestigt ist, eine Verkapselung (110), die den Träger (102) und den mindestens einen elektronischen Chip (108) mindestens teilweise verkapselt und die mindestens eine elektrische Verbindungsstruktur (106) teilweise verkapselt, sodass ein Teil einer Fläche der mindestens einen elektronischen Verbindungsstruktur (106) einer Umgebung ausgesetzt ist, und eine Befestigungseinrichtung (112), die zur Befestigung der elektronischen Vorrichtung (100) an einer Peripherievorrichtung (902) konfiguriert ist.
Abstract:
A layer improves adhesion between interfaces of different components in semiconductor devices. The interface of a first component includes surfaces of a circuit carrier and the interface of a second component includes contact surfaces of a plastic package molding compound. The adhesion-improving layer includes a mixture of polymeric chain molecules and carbon nanotubes.
Abstract:
A circuit arrangement includes a component or an integrated circuit firmly attached on a wiring carrier via an adhesive layer. Furthermore, a pyrolytically deposited adhesion promoter layer with high surface energy and/or high porosity in the nanometer range is selectively provided on a metallic adherend location of the wiring carrier.