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公开(公告)号：CN103125019A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201080067839.7
申请日：2010-04-30
Applicant: 优博创新科技产权有限公司
IPC: H01L23/28
CPC classification number: H01L23/055 , B81B7/007 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81B2207/092 , B81B2207/096 , H01L21/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/1461 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在此提供了一种被配置为连接到印刷电路板上的半导体封装体（100）。该半导体封装体可以包含：（a）具有一个或多个第一导电引线（111，116）的罩盖（110）；（b）一个底座（130），该底座连接到该罩盖上并且具有电气连接到该一个或多个第一导电引线上的一个或多个第二导电引线（131）；（c）一个或多个第一半导体器件，该一个或多个第一半导体器件机械地连接到该罩盖上并且电气连接到该一个或多个第一导电引线上；以及（d）一个或多个第一微机电系统器件，该一个或多个第一微机电系统器件机械连接到该罩盖上并且电气连接到该一个或多个第一导电引线上。该罩盖或该底座中的至少一个可以具有至少一个舷孔。该一个或多个第一导电引线可以被配置成用于连接到该印刷电路板上。在此还提供了一种制造半导体封装体的方法。
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公开(公告)号：CN103096235A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310020998.7
申请日：2007-03-20
Applicant: 沃福森微电子股份有限公司
IPC: H04R31/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C99/004 , B81C2201/0109 , H04R7/10 , H04R7/18 , H04R19/005 , H04R2307/207 , Y10S977/733
Abstract: 一种制备微机电系统麦克风的方法，该方法包括下列步骤：沉积第一和第二电极；沉积膜，该膜机械耦合到所述第一电极；以及沉积背板，所述背板机械耦合到所述第二电极；其中所述沉积第二电极的步骤包括在所述第二电极中形成预定图案的步骤，并且其中所述预定图案包括一个或多个开口，所述开口对应于在所述背板中形成的一个或多个开口，并且在所述第二电极中的至少一个所述开口大于所述背板中的对应开口。
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公开(公告)号：CN102757015A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210248287.0
申请日：2010-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2201/0257 , B81C2201/056 , B81C2203/0714 , B81C2203/0728
Abstract: 本发明提供了一种集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有CMOS器件。MEMS器件也形成在所述衬底上。形成MEMS器件包括在所述衬底的正面上形成MEMS机械结构。然后释放所述MEMS机械结构。保护层形成在所述衬底的正面。保护层设置在释放的MEMS机械结构上(例如保护MEMS结构)。在将保护层设置到所述MEMS机械结构上的同时处理所述衬底的背面。
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公开(公告)号：CN102740200A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210082794.1
申请日：2012-03-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/0384 , B81C1/00103
Abstract: 本发明公开一种具有带锥形表面的薄膜支撑的微机械声换能器，还公开一种用于制造微机械声换能器的方法，该方法包括在衬底装置的第一主表面上顺序沉积分别具有第一蚀刻率和较低的第二蚀刻率的第一和第二薄膜支撑材料层。接着沉积薄膜材料层。从衬底装置的与薄膜支撑材料和薄膜材料相对的一侧形成衬底装置中的凹腔，至少直到该凹腔延伸至第一薄膜支撑材料层。通过位于凹腔的延伸部分中的至少一个第一区和环绕该第一区的第二区中的凹腔，通过施加蚀刻剂来蚀刻第一和第二薄膜支撑材料层。该蚀刻在第二区中形成第二薄膜支撑材料层上的锥形表面。继续蚀刻，至少直到从第一区中去除第二薄膜支撑材料层，以露出薄膜材料层。
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公开(公告)号：CN102730627A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210101416.3
申请日：2012-03-31
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 格雷戈里·德布拉班德尔 , 马克·内波穆尼西
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00103 , B81B2201/0257 , B81B2201/038 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , B81B2203/0376
Abstract: 本发明公开了在基板中形成凹部的方法。通过阴影掩模进行各向同性等离子蚀刻来形成具有曲面特征的轮廓传递基板表面。该阴影掩模具有通孔，通孔的下部与阴影掩模的底表面相邻，通孔的上部位于上方并且比下部窄。通过阴影掩模进行各向同性等离子蚀刻能够在底部开口所包围的区域的中央部分中的平面基板中形成弯曲凹部。在移除阴影掩模后，均匀材料层可以在基板的暴露表面上沉积为在基板表面中的弯曲凹部位置处包含曲面特征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101353153B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200810130037.0
申请日：2008-07-24
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 仲谷吾郎
CPC classification number: B81B3/0013 , B81B2201/0257 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2499/11
Abstract: 本发明提供一种MEMS传感器，其包括：基板；下薄膜，其相对于所述基板的一方面空开间隔地相对配置，且多个下贯通孔在其厚度方向上贯通地形成；上薄膜，其相对于所述下薄膜在所述基板的相反侧空开间隔地相对配置，且多个上贯通孔在其厚度方向上贯通地形成；多个凸部，其在所述基板的所述一方面中的与所述下薄膜的相对区域不规则地设置。
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公开(公告)号：CN102405654A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201080017052.X
申请日：2010-04-20
Applicant: 楼氏电子亚洲有限公司
Inventor： 格特·兰格雷斯 , 特温·范利庞 , 弗雷迪·罗洛博姆 , 希尔柯·瑟伊 , 克劳斯·雷曼 , 约瑟夫·托马斯·马丁内斯·范贝克 , 卡斯·范·德·阿沃尔特 , 约翰内斯·范·温格登 , 金·范乐 , 马特吉·戈森斯 , 皮特·杰勒德·斯蒂内肯
CPC classification number: H04R19/005 , B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , H04R7/18 , H04R19/04 , H04R31/006
Abstract: 麦克风包括衬底(20)、限定了声学输入表面的麦克风膜(10)以及背板(11)，所述背板相对于膜在背板(11)和膜(10)之间以固定间距支撑。麦克风外围区域包括膜(10)和背板(11)中的平行折皱(24)。通过对膜及背板使用相同的起皱悬浮物，最优地抑制体噪声的灵敏度。
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公开(公告)号：CN102349311A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201080010998.3
申请日：2010-02-03
Applicant: NXP股份有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81C1/00182 , H04R1/245 , H04R3/005 , H04R2499/11
Abstract: 本发明涉及一种利用具有第一层(2)的晶片(1)制造微机械麦克风和加速度计的方法，所述方法包括步骤：将所述第一层(2)分为麦克风层(5)和加速度计层(6)，用连续的第二层(7)覆盖麦克风层(5)的前侧和加速度计层(6)的前侧，用第三层(8)覆盖第二层(7)，在第三层(8)中形成多个沟槽(9)，去除麦克风层(5)背部一侧下面的晶片(1)的一部分(10)，在加速度计层(6)背部一侧下面的晶片(1)中形成至少两个晶片沟槽(11)，以及通过在第三层(8)中形成的多个沟槽去除第二层(7)的一部分(12)、(13)。根据本发明的微机械麦克风和加速度计的相对于现有技术的优势在于其允许消除结构自生噪声以便最小化结构本身的声音。
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公开(公告)号：CN102138338A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200980133397.9
申请日：2009-06-30
Applicant: 密执安大学评议会
CPC classification number: H01L41/083 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81C1/0015 , B81C1/00158 , H01L41/1132 , H01L41/1136 , H01L41/27 , H04R17/00 , H04R17/02 , H04R2201/003
Abstract: 包括多层传感器的压电MEMS麦克风，该传感器包括位于两个电极层之间的至少一个压电层，该传感器被尺寸定制为使得其提供了接近最大化的输出能量对传感器面积之比率，最大化的输出能量对传感器面积之比率通过计入了输入压力、带宽、及压电和电极材料特征的最优化参数来确定。该传感器可由单独的或以小间隙彼此分隔开的堆叠悬臂梁组成，或者可以是以下方式形成的应力消除隔板：通过沉积到硅衬底上，然后通过将隔板基本与衬底分离来对隔板进行应力消除，并接下来重新附着现在的经应力消除的隔板。
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公开(公告)号：CN1926919B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200580006383.2
申请日：2005-02-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04R19/01
CPC classification number: H04R19/016 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , H01G7/02 , H04R19/005
Abstract: 驻极体电容式麦克风，包括：设有开口部25的衬底13、以堵住开口部25的方式与衬底13的一面连接并且具有声孔12及空孔2的驻极体电容器50、与衬底13的一面连接的驱动电路元件15、以及以覆盖驻极体电容器50及驱动电路元件15的方式安装在衬底13的外盒17。在驻极体电容器50与衬底13的连接处两者电接触。声孔12通过开口部25与外部空间连接。空孔2及外盒17的内部区域成为驻极体电容器50的背部气室。
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