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公开(公告)号：CN104254046A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410289575.X
申请日：2014-06-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H04R19/04 , B81B3/0021 , B81B3/0078 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , H04R7/02 , H04R7/08 , H04R19/005 , H04R23/006 , H04R31/00 , H04R2201/003 , H04R2410/03
Abstract: 一种MEMS麦克风，包括第一振膜元件、对电极元件、以及在第一振膜元件与对电极元件之间的低压区。低压区具有比环境压强更小的压强。
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公开(公告)号：CN104045050A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310359584.7
申请日：2013-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00182 , B81C1/00238 , B81C2201/013 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , H01L23/10 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/291 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/32145 , H01L2224/83193 , H01L2224/83805 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2224/3012 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了具有各向同性腔的MEMS集成压力传感器及其制造方法，其中该方法实施例包括提供具有氧化物层、MEMS衬底、多晶硅层的MEMS晶圆。将包括使用各向同性蚀刻形成的第一腔的载体晶圆接合至MEMS，第一腔与多晶硅层暴露的第一部分对准。图案化MEMS衬底，并且去除部分牺牲氧化层以形成第一和第二MEMS结构。将包括第二腔的帽晶圆接合至MEMS晶圆，这种接合生成包括与第一MEMS结构对准的第二腔的第一密封腔，并且第二MEMS结构设置在多晶硅层的第二部分与帽晶圆之间。去除部分帽晶圆，以使第一腔用作第一MEMS结构的环境压力的通道。
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公开(公告)号：CN104040361A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280065860.2
申请日：2012-11-02
Applicant: 大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司
IPC: G01P15/08
CPC classification number: B81C1/00293 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81C1/00357 , G01P15/0802
Abstract: 本发明涉及一种组件和一种用于制造组件的方法。该组件具有基底(100)，该基底具有第一腔(112)和第二腔(113)，其中，在第一腔(112)中布置有第一微机械结构(117)并且在第二腔(113)中布置有第二微机械结构(118)。此外，第一腔(112)具有第一气体压力，第二腔(113)具有第二气体压力。在此，第一气体压力通过第一腔(112)的封闭而被提供，其中，第一通道(115)通入到第二腔(113)中，第二气体压力能够通过第一通道(115)调节第二气体压力与第一气体压力不同。
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公开(公告)号：CN104003347A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410059957.3
申请日：2014-02-21
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B81C1/00301 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2201/0292 , B81B2201/047 , B81B2207/095 , B81C2203/031 , B81C2203/0707 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件和制造器件的方法。一种器件包括：第一衬底，功能性元件和电极在其中形成；第二衬底，贯通电极在其中形成；接合材料，其接合所述第一衬底和所述第二衬底，并在所述功能性元件和所述第二衬底之间保留预定空间；和导电材料，其将所述电极电连接到所述贯通电极。在此，所述接合材料比所述导电材料更硬，并且在电学上，所述接合材料比所述导电材料导电性更弱。
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公开(公告)号：CN103733304A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280037056.3
申请日：2012-06-29
Applicant: 因文森斯公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , G01L1/144 , G01L1/148 , G01L5/0028 , G01L9/0072 , G01L15/00 , G01L19/0092 , G01L19/0636 , G01L19/148 , G01L27/007
Abstract: 在此披露了一种用于为MEMS设备提供集成电子器件的系统和方法。该MEMS设备包括一个集成电路衬底和一个耦联到该集成电路衬底上的MEMS子组件。该集成电路衬底包括耦联到至少一个固定电极上的至少一个电路。该MEMS子组件包括通过平版印刷工艺形成的至少一个压铆螺母柱、一个带有顶面和底面的柔性板、以及一个耦联到该柔性板上并且电耦联到该至少一个压铆螺母柱上的MEMS电极。作用在该柔性板上的一个力引起该MEMS电极与该至少一个固定电极之间的一个间隙的变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101616863B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200880003036.8
申请日：2008-01-23
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C2203/0154 , G01L19/141 , G01L19/147 , G01L19/148 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 电子器件(1，1a，1b，1c，1d，1e)包括：衬底(2)，其设有至少一个通行开口(5)；MEMS器件(7)，其具有设有第一及第二表面(9，10)的差动传感器的功能和具有包括至少一个对与其第一作用表面及第二相对作用表面(11a，11b)相一致存在的流体的化学和/或物理变化敏感的部分(11)的类型的功能，该MEMS器件(7)的第一表面(9)使第一作用表面(11a)暴露并且使第二表面(10)设有暴露着第二相对作用表面(11b)的另一开口(12)，该电子器件(1，1d，1e)特征在于MEMS器件(7)的第一表面(9)面向衬底(2)并且与其隔开一段确定距离，敏感部分(11)与衬底(2)的通行开口(5)对准，以及特征在于其还包括：保护性封装(14，14a，14b)，其至少部分地合并MEMS器件(7)与衬底(2)以便使第一作用表面及第二相对作用表面(11a，11b)分别通过衬底(2)的通行开口(5)和第二表面(10)的另一开口(12)而暴露。
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公开(公告)号：CN103221333A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180055630.3
申请日：2011-09-16
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯 , C·阿卡
CPC classification number: B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81C1/0023 , H01L23/481 , H01L2224/131 , H01L2924/1461 , H05K1/18 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本文涉及多晶片微机电系统(MEMS)封装。在一示例中，多晶片MEMS封装可以包括：控制器集成电路(IC)，所述控制器集成电路配置成耦合到电路板；MEMS IC，所述MEMS IC安装到所述控制器IC的第一侧；硅通孔，所述硅通孔穿过所述控制器IC在所述第一侧和所述控制器IC的第二侧之间延伸，所述第二侧与所述第一侧相反；并且其中，所述MEMS IC耦合到所述硅通孔。
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公开(公告)号：CN102714200A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080054194.3
申请日：2010-12-29
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00261 , B81B3/0081 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , H01L2224/45144 , H01L2224/48465 , H01L2924/1461 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统（MEMS）设备（100），其具有定义空腔的凹部（117），该空腔中心开放到载体表面（111）上。导电引脚（112）在载体表面外围嵌入。包括集成电路芯片（101）的插入物（120）在凹部的顶部（114、116）内安装，并为空腔提供罩盖。电连接（130）连接芯片上端子与导电引脚。附加到载体表面的罩盖（140）包围集成电路芯片和电连接。穿过包括罩盖中通风孔（141）、插入物中第一和第二开孔（121，122）以及集成电路芯片中开孔（104）的路径，提供从环境大气经空腔到在芯片中活动箔片（105）的气道。
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公开(公告)号：CN102574676A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080045056.9
申请日：2010-08-05
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00476 , B81B2201/0264 , B81B2203/0109 , B81B2203/0127 , B81C1/00047 , B81C2201/0109
Abstract: 用于制造MEMS器件的方法，其中在衬底上和绝缘层(3)上形成底部硅区域(4b)；在底部区域上形成电介质的牺牲区域(5a)；在牺牲区域上外延生长半导体材料的薄膜区域(21)；薄膜区域被挖掘至牺牲区域，以便形成穿通沟槽(15)；穿通沟槽的侧壁和底部以保形方式完全利用多孔材料层(16)覆盖；通过多孔材料层选择性地移除牺牲区域的至少一部分并形成空腔(18)；以及穿通沟槽利用填充材料(20a)填充，以便形成悬置于空腔(18)之上的单片薄膜。
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公开(公告)号：CN102257374A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980150896.9
申请日：2009-10-30
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01L19/14 , H01L23/057 , B81B7/00 , B81C1/00
CPC classification number: B29C45/14467 , B29C45/14639 , B81B2201/0264 , B81B2207/098 , B81C1/00325 , B81C2203/0154 , G01L19/141
Abstract: 本发明涉及一种装置、尤其是传感器装置，具有结构元件、载体元件和壳体，其中，所述结构元件设置在所述载体元件上，所述结构元件和所述载体元件至少部分地设置在所述壳体内部并且所述装置还具有中间壳体，所述中间壳体基本上设置在所述壳体与所述结构元件之间，其中，所述中间壳体包括预模制壳体。
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