公开(公告)号：JP6265283B2

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：JP2016565271

申请日：2015-04-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： パール,ボルフガング

IPC: G01D21/02

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/096 ,  B81B2207/097 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2017538108A

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：JP2017520341

申请日：2015-10-12

Applicant: ノキア テクノロジーズ オサケユイチア ,  ノキア テクノロジーズ オサケユイチア

Inventor： コットン ダリル ,  コットン ダリル ,  ロビンソン アダム ,  ロビンソン アダム ,  アンドリュー ピアーズ ,  アンドリュー ピアーズ

IPC: G01D21/00 ,  G01D5/16 ,  G01K1/08 ,  G01K7/16 ,  G01N27/00 ,  G01N27/04

CPC classification number: B81B7/0054 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/0292 ,  H05K1/0283 ,  H05K1/167 ,  H05K2201/09018 ,  H05K2201/09109 ,  H05K2201/09263 ,  H05K2201/10151

Abstract: 装置及び方法であって、方法は、変形可能な基材と、抵抗センサの少なくとも一部分を支持するように構成された湾曲支持構造であって、抵抗センサは、第一電極、第二電極、及びこれらの電極間に提供された抵抗センサ材料を有する、湾曲支持構造と、変形可能な基材が変形した際に湾曲支持構造が同一の方式で変形しないように、湾曲支持構造を変形可能な基材から離隔させるように構成された少なくとも一つの支持部と、を具備し、抵抗センサは、変形可能な基材が変形した際に抵抗センサの変形を制限するように、湾曲支持構造上において位置決めされている。

公开(公告)号：JP4945861B2

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：JP2001234569

申请日：2001-08-02

Applicant: 株式会社ニコン

Inventor： 徹 石津谷 ,  純児 鈴木

IPC: G01J1/02 ,  B81B3/00 ,  G01J5/40 ,  G01J5/48 ,  H01L27/148

CPC classification number: B81B3/0081 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0109 ,  G01J5/40 ,  H01L27/14812 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14875

公开(公告)号：JP2009541978A

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：JP2009515793

申请日：2007-04-23

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： ヘキスト アルニム ,  フェイ アンド ,  シェリング クリストフ ,  アルムブルスター ジーモン ,  ベンツェル フーベルト

IPC: H01L29/84 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01K7/01

CPC classification number: B81B3/0081 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2207/015 ,  B81C2201/0109 ,  G01J5/06 ,  G01J5/20

Abstract: A sensor, in particular for the spatially resolved detection, includes a substrate, at least one micropatterned sensor element having an electric characteristic whose value varies as a function of the temperature, and at least one diaphragm above a cavity, the sensor element being disposed on the underside of the at least one diaphragm, and the sensor element being contacted via connecting lines, which extend within, on top of or underneath the diaphragm. In particular, a plurality of sensor elements may be formed as diode pixels within a monocrystalline layer formed by epitaxy. Suspension springs, which accommodate the individual sensor elements in elastic and insulating fashion, may be formed within the diaphragm.

公开(公告)号：WO2017162889A1

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：PCT/EP2017/057180

申请日：2017-03-27

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： SAMARAO, Ashwin ,  YEE, Seow Yuen ,  YAMA, Gary

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0058 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181 ,  C23C16/22 ,  C23C16/45527

Abstract: System and method for forming an ALD assembly on a surface of a microelectromechanical system (MEMS) device comprises a substrate having a surface and the ALD assembly is at least partially disposed on the surface of the substrate, wherein the ALD assembly is at least one of hydrophobic and hydrophilic properties. The ALD layer further includes a first ALD and a second ALD. On the surface of the substrate, the first ALD is deposited in a first deposition cycle and the second ALD is deposited in a second deposition cycle. The ALD assembly further comprises a seed layer formed using atomic layer deposition and the ALD layer is at least partially disposed on the seed layer. In one example, the seed layer is formed from alumina (Al 2 O 3 ) and the ALD layer is formed from platinum (Pt). In alternate embodiment, on the seed layer, the first ALD is deposited in a first deposition cycle and the second ALD is deposited in a subsequent deposition cycle. The substrate is formed from silicon dioxide (SiO 2 ).

Abstract translation: 用于在微机电系统（MEMS）器件的表面上形成ALD组件的系统和方法包括具有表面的衬底，并且ALD组件至少部分地设置在衬底的表面上，其中 ALD组件是疏水性和亲水性中的至少一种。 ALD层还包括第一ALD和第二ALD。 在衬底的表面上，在第一沉积循环中沉积第一ALD，并且在第二沉积循环中沉积第二ALD。 ALD组件还包括使用原子层沉积形成的种子层，并且ALD层至少部分地设置在种子层上。 在一个实例中，籽晶层由氧化铝（Al 2 O 3：3）形成并且ALD层由铂（Pt）形成。 在替代实施例中，在种子层上，第一ALD在第一沉积循环中沉积并且第二ALD在随后的沉积循环中沉积。 衬底由二氧化硅（SiO 2）形成。

公开(公告)号：WO2016086690A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：PCT/CN2015/087594

申请日：2015-08-20

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 荆二荣

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0197 ,  G01J1/04 ,  G01J1/42 ,  G01J5/024 ,  G01J5/0853

Abstract: 一种MEMS双层悬浮微结构的制作方法，包括步骤：在基片（100）上形成第一膜体（310），及连接基片（100）和第一膜体（310）的悬臂梁（320）；在第一膜体（310）和悬臂梁（320）上形成牺牲层（400）；将位于第一膜体（310）上的牺牲层（400）图形化以制作出用于形成支撑结构（520）的凹部（410），所述凹部（410）的底部暴露出第一膜体（310）；在牺牲层（400）上淀积介质层（500）；将介质层（500）图形化以制作出第二膜体（510）和所述支撑结构（520），所述支撑结构（520）连接第一膜体（310）和第二膜体（510）；以及去除所述牺牲层（400），得到MEMS双层悬浮微结构。

公开(公告)号：WO2015103688A1

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：PCT/CA2014/051245

申请日：2014-12-22

Applicant: MOTION ENGINE INC.

Inventor： BOYSEL, Robert Mark ,  ROSS, Louis

IPC: B81B7/02 ,  B81B5/00 ,  G01D5/56 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  H01L23/52

CPC classification number: G01P15/18 ,  B81B5/00 ,  B81B7/007 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L2224/16145

Abstract: The present invention provides a 3D System ("3DS") MEMS architecture that enables the integration of MEMS devices with IC chips to form a System on Chip (So C) or System in Package (Si P). The integrated MEMS system comprises at least one MEMS chip, including MEMS transducers, and at least one IC chip, including not only MEMS processing circuitry, but also additional/auxiliary circuitry to process auxiliary signals. The MEMS and IC chips are bump bonded. The MEMS chip includes first and second insulated conducting pathways. The first pathways conduct the MEMS-signals between the transducers and the IC chip, for processing; and the second conducting pathways extend through the entire thickness of the MEMS chip, to conduct auxiliary signals, such as power, RF, I/Os, to the IC chip, to be processed the additional circuitry.

Abstract translation: 本发明提供了一种3D系统（“3DS”）MEMS架构，其能够将MEMS器件与IC芯片集成以形成片上系统（So C）或系统级封装（Si P）。 集成MEMS系统包括至少一个MEMS芯片，包括MEMS换能器，以及至少一个IC芯片，不仅包括MEMS处理电路，还包括用于处理辅助信号的附加/辅助电路。 MEMS和IC芯片是凸点焊接的。 MEMS芯片包括第一和第二绝缘导电路径。 第一路通过传感器和IC芯片之间的MEMS信号进行处理; 并且第二导电路径延伸穿过MEMS芯片的整个厚度，以将辅助信号（例如功率，RF，I / O）传导到IC芯片，以便对附加电路进行处理。

公开(公告)号：WO2004097355A1

公开(公告)日：2004-11-11

申请号：PCT/FR2004/000942

申请日：2004-04-16

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  YON, Jean-Jacques ,  OUVRIER-BUFFET, Jean-Louis ,  ASTIER, Astrid ,  VILAIN, Michel

Inventor： YON, Jean-Jacques ,  OUVRIER-BUFFET, Jean-Louis ,  ASTIER, Astrid ,  VILAIN, Michel

IPC: G01J5/10

CPC classification number: G01J5/02 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0278 ,  B81C2201/0115 ,  G01J5/0235 ,  G01J5/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Une membrane (1) absorbante est fixée en suspension sur une face avant d'un substrat (2), sensiblement parallèlement au substrat (2), par au moins une structure alvéolée isolant thermiquement la membrane du substrat (2) et disposée dans un plan sensiblement perpendiculaire au substrat (2). Le détecteur peut comporter des bras (3) solidaires de la membrane (1) absorbante. Les structures alvéolées peuvent être disposées respectivement entre l'un des bras (3) et le substrat (2). La structure alvéolée peut être constituée par une pluralité de couches minces (6) superposées et séparées par des entretoises (7) ou par des rangées superposées d'arcades constituées par des couches minces. La structure alvéolée peut comporter un plot poreux.

Abstract translation: 吸收膜（1）以基本平行的方式相对于所述基底（2）固定地悬挂在基底（2）的一个正面上，所述至少一个蜂窝结构使基底（2）的膜和 设置在相对于基板（2）基本上垂直的平面上。 检测器可以包括耦合到吸收膜（1）的臂（3）。 蜂窝结构可以分别设置在臂（3）中的一个和基板（2）之间。 蜂窝结构可以由多个薄的叠层（6）组成，它们通过横向构件（7）或由薄层组成的叠层叠层分隔开。 蜂窝结构可以包括多孔插塞元件。

公开(公告)号：WO02081363A3

公开(公告)日：2003-02-20

申请号：PCT/DE0200608

申请日：2002-02-21

Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  BENZEL HUBERT ,  WEBER HERIBERT ,  SCHAEFER FRANK

Inventor： BENZEL HUBERT ,  WEBER HERIBERT ,  SCHAEFER FRANK

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  B81B3/00 ,  G01F1/684 ,  G01F1/688 ,  G01F1/699

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2201/0278 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0139

Abstract: The invention relates to a method for producing a semiconductor component (100; ...; 700), particularly a multilayer semiconductor component, preferably a micromechanical component such as, in particular, a heat-conducting sensor, which has a semiconductor substrate (101), particularly made of silicon, and a sensor area (404). The aim of the invention is to economically produce a thermal insulation between the semiconductor substrate (101) and the sensor area (404). To this end, a porous layer (104; 501) is provided in the semiconductor component (100; ...; 700).

Abstract translation: 更具体地说，本发明涉及一种用于制造半导体器件（100; ...; 700），特别是多层半导体元件，优选为微机械部件，特别是传热传感器，包括一个半导体衬底（101），特别是由硅制成的，以及传感器区 具有（404）。 Kostengüngstigen用于制造半导体衬底（101）和根据本发明的传感器区域（404）之间的热绝缘的多孔层（104; 501）中的半导体装置（100; ...; 700）被提供。

公开(公告)号：WO2002081363A2

公开(公告)日：2002-10-17

申请号：PCT/DE2002/000608

申请日：2002-02-21

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  SCHAEFER, Frank

Inventor： BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  SCHAEFER, Frank

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2201/0278 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0139

Abstract: Die Erfindung betrifft insbesondere ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (100; ...; 700), insbesondere ein mehrschichtiges Halbleiterbauelement, vorzugsweise ein mikromechanisches Bauelement, wie insbesondere ein Wärmeleitsensor, das ein Halbleitersubstrat (101), wie insbesondere aus Silizium, und einen Sensorbereich (404) aufweist. Zur kostengüngstigen Herstellung einer thermischen Isolierung zwischen dem Halbleitersubstrat (101) und dem Sensorbereich (404) wird erfindungsgemäss eine poröse Schicht (104; 501) in dem Halbleiterbauelement (100; ...; 700) vorgesehen.

Abstract translation: 更具体地说，本发明涉及一种用于制造半导体器件（100; ...; 700），特别是多层半导体元件，优选为微机械部件，特别是传热传感器，包括一个半导体衬底（101），特别是由硅制成的，以及传感器区 具有（404）。 Kostengüngstigen用于制造半导体衬底（101）和根据本发明的传感器区域（404）之间的热绝缘的多孔层（104; 501）中的半导体装置（100; ...; 700）被提供。