公开(公告)号：CN102906010B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201180025550.3

申请日：2011-06-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R.T.赫林 ,  C.V.扬斯 ,  A.K.斯坦珀 ,  E.J.怀特

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60b）的方法包括：在布线层（14）和衬底（10）上方形成第一牺牲腔体层（18）。该方法还包括在第一牺牲腔体层上方形成绝缘体层（40）。该方法还包括在绝缘体层上执行反向镶嵌回蚀刻工艺。该方法还包括平坦化绝缘体层和第一牺牲腔体层。该方法还包括将第一牺牲腔体层排放或剥离为MEMS的第一腔体（60b）的平面表面。

公开(公告)号：CN104798154A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380060719.8

申请日：2013-09-20

Applicant: 维斯普瑞公司

Inventor： 亚瑟·S·莫里斯 ,  达娜·德雷乌斯 ,  诺里托·巴伊坦

IPC: H01G5/16

CPC classification number: H01G5/16 ,  B81B3/0008 ,  B81B3/0016 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0221 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  H01G5/18 ,  H01G7/00

Abstract: 用于微机电系统(MEMS)可调电容器的系统，设备和方法，所述电容器包括附着到基底的固定驱动电极，附着到所述基底的固定电容电极；以及定位在所述基底上方并相对于所述固定驱动电极和所述固定电容电极移动的活动部件。所述活动部件包括：定位在所述固定驱动电极上方的可动驱动电极和定位在所述固定电容电极上方的可动电容电极。所述可动电容电极的至少一部分以第一间隙与所述固定电容电极间隔开，以及所述可动驱动电极以大于所述第一间隙的第二间隙与所述固定驱动电极间隔开。

公开(公告)号：CN102574676B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201080045056.9

申请日：2010-08-05

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： P·科罗纳 ,  S·洛萨 ,  I·格尔米 ,  R·卡姆佩德利

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0109

Abstract: 用于制造MEMS器件的方法，其中在衬底上和绝缘层(3)上形成底部硅区域(4b)；在底部区域上形成电介质的牺牲区域(5a)；在牺牲区域上外延生长半导体材料的薄膜区域(21)；薄膜区域被挖掘至牺牲区域，以便形成穿通沟槽(15)；穿通沟槽的侧壁和底部以保形方式完全利用多孔材料层(16)覆盖；通过多孔材料层选择性地移除牺牲区域的至少一部分并形成空腔(18)；以及穿通沟槽利用填充材料(20a)填充，以便形成悬置于空腔(18)之上的单片薄膜。

公开(公告)号：CN104045053A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310661669.0

申请日：2013-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  朱家骅

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B7/008 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/00539 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0127 ,  B81C2203/0742 ,  B81C2203/0778 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

Abstract: 本发明公开的集成电路器件包括设置在半导体衬底上方的介电层，介电层具有形成在其中的牺牲腔体，形成到介电层上的膜层，以及在膜层上形成的覆盖层从而形成第二腔体，第二腔体通过形成在膜层内的通孔连接至牺牲腔体。本发明还公开了具有覆盖结构的MEMS器件结构。

公开(公告)号：CN101284643B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200810099049.1

申请日：2002-04-29

Applicant: 高通MEMS技术有限公司

Inventor： M·W·迈尔斯

IPC: B81C1/00

CPC classification number: G02B26/001 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2203/0136

Abstract: 本发明提供了一种制造微机电系统(MEMS)器件的方法，所述方法包括：在基底上沉积一个包括牺牲材料的层；将牺牲层形成图案；在牺牲层上沉积附加层；以及利用牺牲层作为光掩膜将附加层形成图案。该方法有助于减少在微机电系统器件制造过程所需的掩膜步骤的次数。

公开(公告)号：CN1798696B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200480015545.4

申请日：2004-04-26

Applicant: 卡文迪什动力有限公司

Inventor： R·范坎蓬 ,  C·G·史密斯 ,  J·罗 ,  A·J·维克斯

IPC: B81B3/00 ,  H01H1/00

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  H01H59/0009

Abstract: 制造微机械元件的方法，其中该方法包括下述步骤：提供基础材料层；施加至少一层可蚀刻材料的至少部分牺牲层；图案化至少部分牺牲层，以确定该元件的至少一部分形状；施加至少一层机械材料的结构层；图案化该结构层，以形成该元件的至少一部分；和至少部分除去图案化的至少部分牺牲层，以释放部分脱离的元件。该机械材料选自导电材料。

公开(公告)号：CN101808933A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200780100824.4

申请日：2007-09-28

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 卢西奥·弗洛雷斯 ,  利奥尔·科格特 ,  颜小明 ,  黄圣棕 ,  杨家伟 ,  苏怡帆 ,  坦·义·涂 ,  罗棋 ,  布莱恩·詹姆斯·加利 ,  达娜·蔡斯 ,  徐刚

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0142

Abstract: 本发明提供包括牺牲结构的MEMS，所述牺牲结构包括较快蚀刻部分及较慢蚀刻部分，当通过蚀刻掉所述牺牲结构而在所述MEMS中形成腔时，所述MEMS展现对结构特征降低的损害。差异蚀刻速率以机械方式使结构层去耦，因此降低蚀刻工艺期间装置中的应力。本发明还提供方法及系统。

公开(公告)号：CN101631739A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200780017312.1

申请日：2007-03-20

Applicant: 沃福森微电子股份有限公司

Inventor： R·I·拉明 ,  M·贝格比 ,  A·特雷纳

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C99/004 ,  B81C2201/0109 ,  H04R7/10 ,  H04R7/18 ,  H04R19/005 ,  H04R2307/207 ,  Y10S977/733

Abstract: 一种MEMS器件，例如电容式麦克风，包括响应于由声波产生的压力差而自由移动的柔性膜11。第一电极13机械耦合到柔性膜11，并且它们一起形成电容式麦克风器件的第一电容板。第二电极23机械耦合到大致呈刚性的结构层或背板14，它们一起形成电容式麦克风器件的第二电容板。电容式麦克风形成在例如为硅晶片的衬底1上。背部体积33提供在膜11下面，并且使用通过衬底1的“背部蚀刻”而形成。第一腔9直接位于膜11下面，并且在制备工艺期间使用第一牺牲层而形成。插入第一和第二电极13和23之间的是第二腔17，它是在制备期间使用第二牺牲层而形成。多个通气孔15将第一腔9和第二腔17连接。多个声孔31布置在背板14中，以便使得空气分子能够自由移动，从而声波可以进入第二腔17。与背部体积33相关联的第一和第二腔9和17使得膜11能够响应于通过背板14中的声孔31进入的声波而移动。提供第一和第二牺牲层具有在制造期间保护膜以及使背部蚀刻工艺与膜的限定分离的优点。通气孔15帮助移除第一和第二牺牲层。通气孔15还有助于电容式麦克风的工作特性。

公开(公告)号：CN100359360C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN03820384.7

申请日：2003-05-14

Applicant: 硅光机器公司

Inventor： C·古德曼 ,  B·斯塔克 ,  J·亨特 ,  R·叶 ,  D·T·阿姆

IPC: G02B26/00 ,  G02B5/18

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/0307 ,  B81C2201/0109 ,  G02B26/0808

Abstract: 一种微机电器件，包括一个或者多个带条或者悬臂结构形式的可动微结构(704)。该带条或者悬臂结构通过一个或者多个支承区域(703)与基板(701)相连，该支承区域具有多个固定支承部件(711，711’)和多个柱支承部件(713，713’)。该微机电器件是带有多个可动带条结构的光学微机电器件，每个带条结构相对两端由支承区域(703)支承，每个支承区域具有多个固定支承部件(711，711’)和多个柱支承部件(713，713’)。

公开(公告)号：CN1643701A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03806400.6

申请日：2003-01-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥村美香 ,  堀川牧夫 ,  佐藤公敏

IPC: H01L29/84 ,  G01P15/125

CPC classification number: B81C1/00095 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0159 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

Abstract: 本发明的目的在于提供在形成与半导体衬底例如搭载加速度传感器的硅衬底接触的电极时，降低光致抗蚀剂覆盖的台阶的技术，而且，为了达到上述目的，在形成牺牲层(4)或者半导体膜(50)和固定电极(51)之前，形成用于形成电极(90)的开口(80)，由此不需要厚的光致抗蚀剂。