公开(公告)号：CN101573287A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200780041825.6

申请日：2007-11-01

Applicant: 伊塔瑞士钟表制造股份有限公司

Inventor： P·马迈 ,  J·-L·赫尔弗 ,  T·科努斯

IPC: B81C5/00

CPC classification number: B81C99/0095 ,  B81B2201/035 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/056 ,  B81C2203/038 ,  B81C2203/051 ,  G04B31/004 ,  G04D3/0069 ,  Y10T29/49579

Abstract: 本方法包括以下步骤：a)在第一硅片(1)中加工出第一元件(3)或多个所述第一元件(3)并通过材料桥(5)保持所述元件(3)连接在一起；b)用第二硅片(2)重复步骤a)以便加工出与第一元件(3)的形状不同的第二元件(4)，或者加工出多个所述第二元件(4)；c)借助定位装置(6、7)将第一和第二元件(3、4)或第一和第二硅片(1、2)面对面叠放；d)对形成于步骤c)的组合件进行氧化；以及e)从硅片(1、2)分离出零件(10)。通过本方法获得了钟表微机械零件。

公开(公告)号：CN100532248C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200480027286.7

申请日：2004-09-21

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 冈直正 ,  原田宏 ,  荻原淳 ,  福岛博司 ,  野毛宏 ,  铃木裕二 ,  河野清彦 ,  吉原孝明 ,  铃村正彦

IPC: B81B3/00 ,  G02B26/08 ,  B81C1/00

CPC classification number: G02B26/0816 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/045 ,  B81C1/00484 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/019 ,  G02B6/3516 ,  G02B6/3518 ,  G02B6/3546 ,  G02B6/355 ,  G02B6/357 ,  G02B6/3584 ,  H02N1/008

Abstract: 一种用于制造包括固定地支撑在底座上的固定元件和可动地支撑在所述底座上的可动元件的微机电系统(MEMS)的方法。所述方法采用与下衬底分离的上衬底。所述上衬底在其顶层被选择性蚀刻以在其中形成多个柱，所述柱从所述上衬底的底层一起突出。所述柱包括将被固定到所述下衬底的所述固定元件和仅弹性地支撑于一个或多个所述固定元件以相对于所述固定元件可移动的所述可动元件。所述下衬底在其顶表面形成有至少一个凹陷。然后所述上衬底颠倒结合到所述下衬底的顶部，使得把所述固定元件直接设置在所述下衬底上，并把所述可动元件设置在所述凹陷上方。最后，除去所述上衬底的底层，以从所述底层释放所述可动元件，从而把所述可动元件浮置在所述凹陷上，并允许它们相对于所述下衬底移动，同时保持所述固定元件固定到所述下衬底的顶部。

公开(公告)号：CN101443286A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200780017489.1

申请日：2007-05-14

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： Y·内德莱克

IPC: C03C27/06 ,  G01N1/00 ,  B01J19/00

CPC classification number: B81C1/00071 ,  B01L3/5027 ,  B81C2201/019 ,  C03C17/04 ,  C03C27/06 ,  C03C27/10 ,  Y10T29/494 ,  Y10T137/2224 ,  Y10T428/24562 ,  Y10T428/24661 ,  Y10T428/24744 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24851 ,  Y10T428/24926

Abstract: 一种整体型结构(10)，由设置在两个或更多个平坦基板(30，40)之间的玻璃或玻璃－陶瓷烧结的图案化玻璃料(20)熔合在一起的所述两个或更多个平坦基板(30，40)组成。所述烧结的图案化玻璃料的图案在其中限定出通道(70)，所述烧结的图案化玻璃料(20)在平行于所述基板的方向具有特性最小特征尺寸(60)。所述玻璃料的颗粒在最大长度尺度上具有多分散尺寸分布，该多分散尺寸分布最高达到最大玻璃料粒度，烧结的图案化玻璃料的最小特征尺寸(60)大于所述最大玻璃料粒度的两倍，优选约等于或大于三倍，且小于最大玻璃料粒度的6.25倍，优选约等于或小于5倍，最优选约等于或小于4倍。还揭示了一种用来制造所述结构(10)的方法。

公开(公告)号：CN100468639C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200480018125.1

申请日：2004-05-19

Applicant: 齐普特洛尼克斯公司

Inventor： 童勤义

IPC: H01L21/30 ,  H01L29/04

CPC classification number: B32B7/04 ,  B32B2250/04 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/26 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08059 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/05442

Abstract: 一种粘结方法，包括使用具有氟化氧化物的粘结层。通过暴露于含氟溶液、蒸汽或者气体下或者通过植入，可将氟引入到粘结层内。也可使用其中在粘结层的形成过程中将氟引入其内的方法，从而形成粘结层。粘结层的表面用所需物种，优选NH2物种终止。这可通过将粘结层暴露于NH4OH溶液来实现。在室温下获得高的粘结强度。该方法也可包括一起粘结两层粘结层并在粘结层之间的界面附近处生成具有峰值的氟浓度。粘结层之一可包括在彼此上形成的两层氧化物层。在两层氧化物层之间的界面处，氟的浓度也可具有第二峰值。

公开(公告)号：CN101180794A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200680017224.7

申请日：2006-03-09

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： I·H·贾夫里 ,  G·P·马根丹茨 ,  J·L·克莱因

IPC: H03H9/24 ,  H03H3/007 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/051 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/2447 ,  H03H9/462 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T29/49826 ,  Y10T29/49861

Abstract: 使用双晶片过程制造单晶硅微机械谐振器的方法，包括绝缘体上硅(SOI)(104)或绝缘基础晶片和谐振器晶片(108)，其中谐振器锚(122，124)、电容气隙(116)、隔离沟(128，130)和校准标记被微机械加工于基础晶片的活性层(114)中；谐振器晶片(124)的活性层直接结合至基础晶片的活性层；除去谐振器晶片的柄层(144)和电介质层(140)；观察窗开口于谐振器晶片的活性层中；使用光致抗蚀剂材料掩蔽谐振器晶片的单晶硅半导体材料活性层；使用硅干燥蚀刻微机械加工技术在谐振器晶片的活性层中机械加工单晶硅谐振器；且随后干燥剥离光致抗蚀剂材料。

公开(公告)号：CN101158695A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710127408.5

申请日：2003-12-04

Applicant: 斯宾克斯公司

Inventor： 皮耶罗·祖凯利 ,  巴尔特·范德维维尔

IPC: G01N35/00 ,  B01L3/00 ,  B01J19/00

CPC classification number: F16K99/0001 ,  B01F11/0002 ,  B01F13/0059 ,  B01F13/0809 ,  B01F15/0205 ,  B01L3/502715 ,  B01L3/50273 ,  B01L3/502738 ,  B01L2300/0654 ,  B01L2300/0803 ,  B01L2300/0806 ,  B01L2300/0861 ,  B01L2300/0864 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2400/0409 ,  B01L2400/0677 ,  B01L2400/0683 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/019 ,  F16K99/003 ,  F16K99/0034 ,  F16K99/004 ,  F16K2099/0073 ,  F16K2099/008 ,  F16K2099/0084 ,  G01N21/01 ,  G01N35/00069 ,  G01N2001/2886 ,  G01N2035/00247 ,  Y10T137/1624 ,  Y10T137/1632 ,  Y10T436/2575

Abstract: 本发明通常涉及以可程控方式控制中等尺度的微流控部件中流体流动的装置和方法。具体地，本发明涉及在任意的位置和时间使两个微流控部件实现流体连通的装置和方法，所述两个微流控装置均受外部限定。本发明的装置使用电磁辐射以使具有选定吸收性能的材料层穿孔。材料层的穿孔使得微流控部件间实现流体连通。本发明的其它方面包括进行流体的体积定量的装置和方法、在一套输入毛细管和一套输出毛细管间可程控地任意连接的装置、和将在向心装置中的流体从较大半径处输送至较小半径处的方法。此外，本发明还涉及确定旋转装置的参考坐标系中的拾取器的径向和极线位置的方法。

公开(公告)号：CN1490240A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03155680.9

申请日：2003-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高泳哲 ,  李振镐

IPC: B81B5/00 ,  H02N1/00

CPC classification number: B81B3/0062 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/058 ,  B81C2201/019 ,  G02B26/0841 ,  H02N1/008

Abstract: 本发明公开了一种激励器，包括具有第一方向和垂直第一方向的第二方向并围绕垂直于第一方向和第二方向的第三方向相对沿第一方向的中心轴往复运动的平台。第一支撑部分支撑平台的往复运动。基体在平台下面对平台并由第一支撑部分支撑。平台驱动部分具有第一驱动梳状电极和与第一驱动梳状电极对应的第一静止梳状电极，位于平台的下表面和基体面对平台的上表面上。第二支撑部分支撑第一支撑部分，使得第一支撑部分相对于沿该第二方向设置的旋转中心轴往复运动。第一支撑部驱动部分具有设置在第一支撑部分处的第二驱动梳状电极和固定地处于第二驱动梳状电极对应位置处的第二静止梳状电极从而产生第一支撑部分的往复运动。

公开(公告)号：CN1447093A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03101007.5

申请日：2003-01-06

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 安承道 ,  金京洙 ,  曹智万

IPC: G01C19/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B2201/025 ,  B81B2207/095 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/038 ,  G01C19/5783 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  G01P2015/0828 ,  Y10T428/24322

Abstract: 本发明将提供以如下内容为特征的微惯性传感器，它包括：下玻璃基片；包括上述下玻璃基片上用来检测第一边缘和第一固定点以及侧面运动检测结构物在内的下硅层；包括分别对应于上述下硅层的第一边缘部、第一固定点及侧面运动检测结构物的第二边缘部、经内设金属线的通孔接合的第二固定点以及上述侧面运动检测结构物之间用来检测垂直方向电容量的第二检测用电极在内的上硅层；在上述上硅层和下硅层之间共熔的接合层；位于上述上硅层上部，并具有设置金属配线的通孔的上玻璃基片。此外，在本发明中提供了微惯性传感器制造方法，本发明的目的在于实现产品的小型化和工艺的简化上。

公开(公告)号：CN107539941B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201611259550.0

申请日：2016-12-30

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： G·阿勒加托 ,  L·奥吉欧尼 ,  M·加拉瓦利亚 ,  R·索玛彻尼

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B3/0097 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0315 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/037

Abstract: 本公开的实施例涉及一种微机电器件，其具有半导体材料的第一衬底和半导体材料的第二衬底，第二衬底具有由与其一体的凸出部分界定的接合凹部。接合凹部与第一衬底形成封闭腔室。接合结构布置在封闭腔室内并且接合到第一和第二衬底。在第一和第二衬底之间选择的衬底中形成微机电结构。该器件通过以下步骤形成：在第一晶片中形成接合凹部；在所述接合凹部中沉积接合质量体，所述接合质量体具有比所述接合凹部更大的深度；以及接合两个晶片。

公开(公告)号：CN109311661A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780035676.6

申请日：2017-05-31

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： V·施米茨 ,  A·格罗塞

IPC: B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/054

Abstract: 本发明涉及一种用于晶片的共晶键合的方法，所述方法具有以下步骤：(a)提供具有第一键合层(310)的第一晶片(10)和具有第二键合层(320)以及间距保持件(400)的第二晶片(20)；(b)将所述第一晶片(10)叠置在所述第二晶片(20)上，其中，所述间距保持件(400)贴靠在所述第一键合层(310)上；(c)将所述第一晶片(10)和所述第二晶片(20)相对彼此挤压直至所述第一键合层(310)贴靠在所述第二键合层(320)上，其中，所述间距保持件(400)挤入到所述第一键合层(310)中；(d)通过至少由所述第一键合层(310)的部分和所述第二键合层(320)的部分形成共晶合金使所述第一晶片(10)与所述第二晶片(20)共晶键合。本发明也涉及一种共晶键合的晶片复合体和具有这种共晶键合的晶片复合体的微机械装置。