公开(公告)号：KR1019990068198A

公开(公告)日：1999-08-25

申请号：KR1019990002830

申请日：1999-01-29

Applicant: 혼다 기켄 고교 가부시키가이샤

Inventor： 이와사다카시 ,  이시카와준조

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J2201/30457

Abstract: 냉음극소자는전계를인가함에따라전자를방출하는것으로서, X선광전자분광법에의한 C전자의광전자스펙트럼의반값폭(Hw)이, Hw≥1.72eV인다이아몬드형상탄소막으로구성되어있다. 이냉음극소자는낮은인가전압에의하여도충분히전자를방출하는기능을갖고있어, 실용성이뛰어나다.

公开(公告)号：TW200306021A

公开(公告)日：2003-11-01

申请号：TW092104780

申请日：2003-03-06

Applicant: 宋健民

Inventor： 宋健民

IPC: H01L

CPC classification number: H01J1/304 ,  C01B32/25 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30457

Abstract: 本發明主要是揭露一種無晶鑽石材料，其係可在提供一足夠的能量下，而可在真空中射出電子。此材料可用於熱發射（thermionicEmission）或場發射（FieldEmission）方面，藉此而可將電子射出的量予以最大化，同時亦可將所需的能量予以降低。在某一觀點言，無晶鑽石可包括至少約百分之90的碳原子，而碳原子中的百分之30是以扭曲的四面體鏈結（DistortedTetrahedralBonding）而結合在一起。此外，此材料是具有一發射平面，而此發射平面是具有由10到10，000奈米之不等的高度。許多不同的能量形式-熱能、光能、以及感應電場等可分別地或是合併地來加速電子流。無晶材料是可和許多不同的真空裝置—諸如是開關、雷射二極體、電動產生器以及冷卻裝置等相互配合使用。

Abstract in simplified Chinese: 本发明主要是揭露一种无晶钻石材料，其系可在提供一足够的能量下，而可在真空中射出电子。此材料可用于热发射（thermionicEmission）或场发射（FieldEmission）方面，借此而可将电子射出的量予以最大化，同时亦可将所需的能量予以降低。在某一观点言，无晶钻石可包括至少约百分之90的碳原子，而碳原子中的百分之30是以扭曲的四面体链结（DistortedTetrahedralBonding）而结合在一起。此外，此材料是具有一发射平面，而此发射平面是具有由10到10，000奈米之不等的高度。许多不同的能量形式-热能、光能、以及感应电场等可分别地或是合并地来加速电子流。无晶材料是可和许多不同的真空设备—诸如是开关、激光二极管、电动产生器以及冷却设备等相互配合使用。

公开(公告)号：JP5034804B2

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：JP2007236851

申请日：2007-09-12

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 貴浩 今井 ,  喜之 山本 ,  暁彦 植田 ,  良樹 西林

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J37/073

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J37/065 ,  H01J37/073 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30419 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26 ,  H01J2237/3137 ,  H01J2237/3146 ,  H01J2237/31749 ,  H01J2237/3175

公开(公告)号：JP4982500B2

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：JP2008539907

申请日：2006-06-28

Applicant: 韓國電子通信研究院Electronics and Telecommunications Research Institute

Inventor： ジン ホ イ ,  クァン ヨン カン ,  デ ジュン キム ,  ユ ホ ソン ,  ジン ウ チョン

IPC: H01J31/12 ,  H01J9/02 ,  H01J29/96 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: G09G3/22 ,  B82Y10/00 ,  G09G2300/08 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/319

公开(公告)号：JPWO2005031781A1

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：JP2005514312

申请日：2004-09-29

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 夏生 辰巳 ,  夏生 辰巳 ,  難波　暁彦 ,  暁彦 難波 ,  西林　良樹 ,  良樹 西林 ,  今井　貴浩 ,  貴浩 今井

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J29/04 ,  H01J2201/30457

Abstract: 基板の表面に凹状の鋳型を形成する工程と、ドーピング材料を含有する雰囲気中でダイヤモンドを前記基板上にヘテロエピタキシャル成長させる工程とを有する製造方法とする。前記基板の凹状の鋳型の斜面の結晶構造は、立方晶系結晶方位(111)を有し、前記ドーピング材料がリンであることが望ましい。また、前記基板は、Siであり、前記鋳型の斜面がSi(111)面であることが好ましい。本発明のダイヤモンド電子放出素子は、表面に突起を有するダイヤモンドであって、突起1の斜面がダイヤモンド(111)を含む面であり、突起でない平坦な部分2は、(100)面もしくは(110)面以外の面方位と粒界とを含む。

公开(公告)号：JP3755830B2

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：JP51901197

申请日：1996-11-13

Applicant: イー・アイ・デユポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

Inventor： スブラモネイ，シエクハー ,  ブランシエト−フインシヤー，グラシーラ・ビートリズ ,  ヘロン，ノーマン ,  ホルステイン，ウイリアム・レオ

IPC: C01B31/02 ,  H01J9/02 ,  H01J1/30 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J2201/30457

公开(公告)号：JP2004526305A

公开(公告)日：2004-08-26

申请号：JP2002558328

申请日：2002-01-17

Applicant: シェブロン ユー.エス.エー. インコーポレイテッド

Inventor： カールソン、ロバート、エム ,  ダール、ジェレミー、イー ,  リウ、シェンガオ

IPC: H01L23/373 ,  C07C4/00 ,  C07C7/04 ,  C07C7/12 ,  C07C7/135 ,  C07C13/64 ,  C07C17/10 ,  C07C17/16 ,  C07C17/383 ,  C07C17/395 ,  C07C23/20 ,  C07C47/347 ,  C07C49/423 ,  C07C205/05 ,  C08G61/00 ,  C08G61/02 ,  C08G83/00 ,  C08L65/00

CPC classification number: H01J1/3048 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C07C4/00 ,  C07C7/04 ,  C07C7/12 ,  C07C7/135 ,  C07C13/64 ,  C07C17/10 ,  C07C17/16 ,  C07C17/383 ,  C07C17/395 ,  C07C23/20 ,  C07C47/347 ,  C07C49/423 ,  C07C205/05 ,  C07C2603/90 ,  C08G61/00 ,  C08G61/02 ,  C08G83/00 ,  C08L65/00 ,  H01J2201/30457 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: Novel uses of diamondoid-containing materials in the field of microelectronics are disclosed. Embodiments include, but are not limited to, thermally conductive films in integrated circuit packaging, low-k dielectric layers in integrated circuit multilevel interconnects, thermally conductive adhesive films, thermally conductive films in thermoelectric cooling devices, passivation films for integrated circuit devices (ICs), and field emission cathodes. The diamondoids employed in the present invention may be selected from lower diamondoids, as well as the newly provided higher diamondoids, including substituted and unsubstituted diamondoids. The higher diamondoids include tetramantane, pentamantane, hexamantane, heptamantane, octamantane, nonamantane, decamantane, and undecamantane. The diamondoid-containing material may be fabricated as a diamondoid-containing polymer, a diamondoid-containing sintered ceramic, a diamondoid ceramic composite, a CVD diamondoid film, a self-assembled diamondoid film, and a diamondoid-fullerene composite.

公开(公告)号：JP3483972B2

公开(公告)日：2004-01-06

申请号：JP5180495

申请日：1995-02-16

Applicant: 新日本無線株式会社

Inventor： 恭一 佐藤 ,  親夫 木村 ,  秀昭 玉井

IPC: H01J1/304 ,  H01J1/30 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J2201/30457

公开(公告)号：KR1020060028406A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：KR1020057023833

申请日：2004-06-09

Applicant: 성 치엔 민

Inventor： 성치엔민

IPC: H01J1/304 ,  H01J1/14 ,  C01B31/06

CPC classification number: H01J1/304 ,  C01B32/25 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30457 ,  H01J1/14

Abstract: An amorphous diamond material (5) and an intermediate member (55) coupled between the cathode (25) and an anode (30). The amorphous diamond material (5) can have at least about 90 % carbon atoms with at least about 20 % of the carbon atoms bonded in a distorted tetrahedral coordination. The amorphous diamond coating (5) has an energy input surface (10) in contact with a base member of the cathode (25) and an electron emission surface (15) opposite the energy input surface (10). The electron emission surface (15) can have an asperity height of from about 10 to about 1,000 nanometers and is capable of emitting electrons upon input of a sufficient amount of energy. The intermediate member (55) can be coupled to the electron emission surface (15) of the amorphous diamond coating (5) such that An amorphous diamond electrical generator having a cathode (25) at least partially coated with amorphous the intermediate member (55) has a thermal conductivity of less than about 100 W/mK and a resistivity of less than about 80 muOmega-cm. at 20 °C. The amorphous diamond electrical generator is a thermionic emission device having improved electron emission properties.

Abstract translation: 非晶金刚石材料（5）和耦合在阴极（25）和阳极（30）之间的中间构件（55）。 无定形金刚石材料（5）可以具有至少约90％的碳原子，其中至少约20％的碳原子以扭曲的四面体配位键合。 无定形金刚石涂层（5）具有与阴极（25）的基底部件接触的能量输入表面（10）和与能量输入表面（10）相对的电子发射表面（15）。 电子发射表面（15）可以具有约10至约1000纳米的粗糙度高度，并且能够在输入足够量的能量时发射电子。 中间构件（55）可以耦合到无定形金刚石涂层（5）的电子发射表面（15），使得具有阴极（25）的非晶金刚石发电机至少部分地涂覆有中间构件（55）的非晶体， 具有小于约100W / mK的导热率和小于约80μΩ·cm的电阻率。 在20℃。 非晶金刚石发电机是具有改善的电子发射特性的热电子发射装置。

公开(公告)号：KR100464182B1

公开(公告)日：2004-12-31

申请号：KR1020007004181

申请日：1998-10-19

Applicant: 어플라이드 나노테크 홀딩스, 인크.

Inventor： 야니브,즈비 ,  톨트,즈히단,레 ,  핀크,리차드,리

IPC: H01J1/00

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/3165

Abstract: A carbon film having an area of insulating material surrounded by an area of conducting material, and an area of material between the area of insulating material and the area of conducting material having a graded dielectric constant which varies from high to low from the area of insulating material to the area of conducting material.

Abstract translation: 一种碳膜，其具有由导电材料区域围绕的绝缘材料区域，以及绝缘材料区域和导电材料区域之间的材料区域，该导电材料区域具有梯度介电常数，从绝缘区域从高到低变化 材料到导电材料的区域。