公开(公告)号：CN100521196C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200410104839.6

申请日：2004-12-29

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 川岛彻也 ,  三岛彰

IPC: H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L24/40 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40249 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的课题是谋求封入了多个半导体芯片的半导体器件的散热性的提高。在输入侧板状引线部(5)上配置了控制用功率MOSFET芯片(2)，在该芯片的背面上形成了漏极端子(DT1)，另一方面，在主面上形成了源极端子(ST1)和栅极端子(GT1)，该源极端子(ST1)与源极用板状引线部(12)连接，此外，在输出侧板状引线部(6)上配置了同步用功率MOSFET芯片(3)，在该芯片的背面上形成了漏极端子(DT2)，将输出侧板状引线部(6)连接到该漏极端子(DT2)上，再者，在同步用功率MOSFET芯片(3)的主面上形成了源极端子(ST2)和栅极端子(GT2)，连接该源极端子(ST2)与源极用板状引线部(13)，通过露出源极用板状引线部(12、13)，可提高MCM1的散热性。

公开(公告)号：CN100521156C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200610108418.X

申请日：2006-08-02

Applicant: 力晶半导体股份有限公司 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 朱建隆 ,  曾维中

IPC: H01L21/8247

Abstract: 一种快闪存储器的制作方法，此方法是先提供基底，此基底中已形成有多个隔离结构，且隔离结构之间的基底上已形成有穿隧介电层与浮置栅极。接着，移除部分隔离结构以暴露出浮置栅极。然后，在浮置栅极的侧壁上形成第一间隙壁。继之，在第一间隙壁上形成第二间隙壁。而后，移除部分第一间隙壁、部分第二间隙壁与部分隔离结构，以在穿隧介电层的侧壁上形成第三间隙壁，并且将隔离结构移除至预定的深度。随后，在基底上形成栅间介电层。之后，在栅间介电层上形成导体层。

公开(公告)号：CN101488496A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910004386.2

申请日：2004-05-13

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 白石正树 ,  岩崎贵之 ,  松浦伸悌 ,  宇野友彰

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H02M3/00

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/495 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路。功率MOS－FET被用作非绝缘DC/DC变换器中的高端开关晶体管。用作功率MOS－FET源极端子的电极区分别通过连结导线连接到一个外部引线和两个外部引线。所述一个外部引线是连接到用于驱动栅极的通路上的外部端子。所述两个外部引线中的每一个是连接到主电流通路的外部端子。由于以分立的形式连接主电流通路和栅极驱动通路，因此可以减小寄生电感的影响，并提高电压变换效率。

公开(公告)号：CN100514095C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200410062874.6

申请日：2004-07-02

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 山田哲也 ,  上野敦史 ,  冈川崇

IPC: G02B5/30

CPC classification number: G03B27/72 ,  G03F7/70308

Abstract: 透过起偏器(21)的偏振光的振幅方向相对于位置(D)成同心圆状。位置(D)与光瞳面的中心一致地配置起偏器(21)。由起偏器(21)变换成偏振光的照明光的光束，相对于光轴形成同心圆状的偏光面而会聚于晶片上。因此，照明光以S偏振光入射到光刻胶。由此，透过光刻胶的光量不易依赖入射角。从而，提高了在光刻胶中形成的光学像的对比度，并改善了析像特性。

公开(公告)号：CN101471345A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810188636.8

申请日：2008-12-25

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 竹内雅彦

IPC: H01L27/11 ,  H01L23/522 ,  G03F1/14

Abstract: 本发明涉及半导体装置和光掩膜，其中，共用接触孔(SC1，SC2)到达栅极电极层(GE1，GE2)和漏极区域PIR这两方。在俯视中，栅极电极层(GE1，GE2)的一方的侧壁E2与一方的侧壁(E1)的假想延长线(E1a)相比位于向另一方的侧壁(E4)一侧偏离的位置上。在俯视中，栅极电极层(GE1，GE2)的共用接触孔(SC1，SC2)到达的部分的线宽度(D1)的中心线(C2－C2)，相对于位于栅极电极层(GE1，GE2)的沟道形成区域(CHN1，CHN2)上的部分的线宽度(D2)的中心线(C1－C1)，位于偏离的位置上。由此，能够得到可以抑制共用接触孔的开口不良的半导体制造和光掩膜。

公开(公告)号：CN100508154C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200480044383.7

申请日：2004-11-18

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 松本秀幸 ,  寄崎真吾 ,  长谷部昭男 ,  本山康博 ,  冈元正芳 ,  成塚康则

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R1/0735 ,  G01R3/00

Abstract: 为了防止薄膜片(2)随着用于防止多层布线衬底(1)弯曲的卡支架变厚而被掩埋到卡支架内而造成探针(7)不能可靠地接触到测试焊盘这种情况的出现，形成在仅对薄膜片(2)的中心区域(IA)施加张力的状态下粘结薄膜片(2)和粘结环(6)而不对外周区域(OA)施加张力的结构，通过增加规定到薄膜片(2)的探针面的高度的粘结环(6)的高度来增加到薄膜片(2)的探针面的高度。

公开(公告)号：CN101443778A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200780017547.0

申请日：2007-05-10

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 岛田英寿 ,  藤森宪男 ,  小牧惠一 ,  小出启介 ,  大久保健 ,  上条贤一郎 ,  横山大记 ,  高比良贤一 ,  立川胜久

IPC: G06F21/20 ,  G06F1/00 ,  G06F1/26

CPC classification number: G06F21/71 ,  G06F1/28 ,  G06F21/40 ,  G06F21/42 ,  G06F21/44 ,  G06F21/81 ,  G06F21/85 ,  G06F2221/2103 ,  G06F2221/2129 ,  G06F2221/2153

Abstract: 根据本发明的认证系统具有这样的特征结构，其中笔记本型PC10的认证部分32和电池20的认证部分42分别通过I/O端口51和61直接连接。这样，根据本发明的认证系统可以使用常规系统相对容易地实现。本发明可以应用于包括多个执行认证处理的电子装置的系统。

公开(公告)号：CN100490165C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200410062873.1

申请日：2004-07-02

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 篠宫巧治

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/12 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/23241 ,  H04N5/2251

Abstract: 本发明得到一种以简易的结构强化EMC噪声耐性来提高工作稳定性的固体摄像装置。本发明中，与固体摄像元件(1)的电源焊垫连接的电源布线(11、12)和与集成电路芯片的电源焊垫连接的电源布线(13、14)以非常近的间隔平行配置，电源布线(11～14)具有一定的宽度，同时使弯曲部分以预定曲率以下平滑地弯曲而形成于柔性布线板(3)上，另外，使固体摄像元件(1)或集成电路芯片(2)的高电位侧和低电位侧的电源焊垫相邻接。

公开(公告)号：CN101425471A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810173042.X

申请日：2008-10-29

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 米谷统多 ,  金岗卓

IPC: H01L21/60 ,  C25D7/12

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本申请是关于半导体集成电路装置的制造方法。在LCD驱动器等的半导体产品的制造中，具有用以形成约15～20μm的金凸块(Bump)电极的凸块电镀步骤。该凸块电镀步骤是使用特定的电镀液通过电镀来进行，但是在量产过程中，会存在以下问题：在凸块电极上间歇地产生突起。本申请案发明是在金凸块电镀步骤开始前追加一步骤，以此防止突起在金凸块电极上异常成长，该步骤是针对各个被处理晶片，在让电镀杯正立的状态下，一边使电镀液循环，一边对其进行搅拌，从而使析出物有效地溶解、排出。

公开(公告)号：CN100483692C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN03159864.1

申请日：2003-09-26

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 大迫润一郎 ,  西沢裕孝 ,  大沢贤治 ,  樋口显

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H05K3/284 ,  B29C45/14647 ,  B29C45/14655 ,  B29C45/1657 ,  B29C45/1671 ,  B29C2045/1673 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49855 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/117 ,  H05K2201/10159 ,  H05K2203/1316 ,  H05K2203/1572 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: IC本体被装载到由热固化树脂材料组成的外壳2，并用由热固化树脂材料组成的密封部分密封成一整体，从而制造了IC卡。此IC本体包含：在其背面处形成有外部连接端子的布线衬底；装载在布线衬底表面上且经由互连电连接到外部连接端子的半导体芯片；以及由热固化树脂材料组成以便覆盖半导体芯片和键合引线的密封部分。此密封部分形成为使外部连接端子暴露。本发明使得有可能提高IC卡的强度，且同时有可能降低制造成本和改善可靠性。