公开(公告)号：KR20210025514A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：KR1020207025127A

申请日：2019-06-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아츠시 사와치

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32834 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67069 ,  H01J2237/334

Abstract: 가스 토출부에 공급하는 가스를 제 1 처리 가스로부터 제 2 처리 가스로 전환하는 경우, 가스 토출부에 접속되고, 제 1 처리 가스를 공급하는 제 1 가스 공급관에 마련된 제 1 공급 전환 밸브, 및, 제 1 가스 공급관으로부터 분기하는 제 1 가스 배기관에 마련된 제 2 배기 전환 밸브를 개방 상태로 하고, 가스 토출부에 접속되고, 제 2 처리 가스를 공급하는 제 2 가스 공급관에 마련된 제 2 공급 전환 밸브, 및, 제 2 가스 공급관으로부터 분기하는 제 2 가스 배기관에 마련된 제 1 배기 전환 밸브를 폐쇄 상태로 한 후, 제 2 공급 전환 밸브 및 제 1 배기 전환 밸브를 개방 상태로 하고, 제 1 공급 전환 밸브 및 제 2 배기 전환 밸브를 폐쇄 상태로 제어한다.

公开(公告)号：KR102223708B1

公开(公告)日：2021-03-04

申请号：KR1020197000427A

申请日：2017-05-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키테루 코 ,  안젤리크 레일리 ,  소피 티보 ,  사토루 나카무라 ,  니하르 모한티

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/80 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0337 ,  G03F7/2022 ,  G03F1/80 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31127

Abstract: 스페이서를 패터닝하기 위한 방법이 제공되며, 본 방법은, 처리 챔버 내의 기판에서 초기 패터닝된 구조물 - 초기 패터닝된 구조물은 유기 맨드렐 및 하위층을 포함함 - 을 제공하는 단계; 패터닝된 구조물을 직류 중첩(direct current superposition; DCS) 플라즈마 처리 공정에 노출시키는 단계 - 상기 DCS 플라즈마 처리 공정은 초기 패터닝된 구조물 상에 제1 물질의 층을 퇴적함 -; 제2 물질을 사용하여 원자층 컨포멀 퇴적 공정을 수행하는 단계 - 상기 제1 물질은 원자층 컨포멀 퇴적 공정의 시작시 유기 맨드렐에 대한 보호를 제공함 -; 포스트(post) 스페이서 에칭 맨드렐 풀링 공정을 수행하는 단계 - 상기 포스트 스페이서 에칭 맨드렐 풀링 공정은 타겟 최종 측벽 각도를 갖는 최종 패터닝된 구조물을 생성함 -; 타겟 최종 측벽 각도 및 다른 집적 목적을 충족시키기 위해, 패터닝된 구조물 노출, 원자층 컨포멀 퇴적 공정, 및 포스트 스페이서 에칭 맨드렐 풀링 공정에서 집적 동작 변수들을 동시에 제어하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR102239765B1

公开(公告)日：2021-04-12

申请号：KR1020197009248A

申请日：2017-09-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 에릭 리우 ,  아키테루 고

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0274 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67069 ,  H01L29/66795

Abstract: SAMP 기술을 위한 스페이서 형성 시스템 및 방법의 실시형태를 설명한다. 일 실시형태에서, 방법은 등각의 코팅을 갖는 스페이서를 구비한 기판을 제공하는 단계를 포함한다. 방법은 스페이서 프리즈 처리 공정(spacer freeze treatment process)을 수행하는 단계를 더 포함할 수도 있다. 또한, 방법은 기판에 대해 에칭 및 세정 공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다. 뿐만 아니라, 방법은 스페이서 형성 목표를 달성하도록 스페이서 프리즈 처리 공정과 에칭 및 세정 공정을 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR102238599B1

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：KR1020140153622A

申请日：2014-11-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 슈지 이와나가 ,  타다시 니시야마 ,  히로시 도미타 ,  이즈미 하세가와

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/027

Abstract: 웨이퍼의 결함을 분석함으로써, 잠재적인 트러블을 미연에 방지한다. 기판의 결함을 분석하는 장치로서, 피검사 기판을 촬상하는 촬상 장치와, 촬상된 기판의 화상에 기초하여, 기판 면내에서의 결함의 특징량을 추출하는 결함 특징량 추출부와, 복수의 기판에 대한 상기 결함의 특징량을 적산하여 적산 데이터(AH)를 발생하는 결함 특징량 적산부와, 적산한 결함의 특징량이 소정의 임계치를 초과하고 있는지 여부를 판정하는 결함 판정부와, 상기 결함 판정부에서의 판정 결과를 출력하는 출력부를 가진다.

公开(公告)号：KR102235382B1

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：KR1020140155610A

申请日：2014-11-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 유지 미무라 ,  데츠야 마키 ,  시게토 츠루타 ,  다츠미 오오니시 ,  다이스케 이케모토 ,  다카히로 마스나가

IPC: B05C11/10 ,  B05C5/02 ,  H01L21/027

Abstract: 막 두께 균일성을 높인다.
실시 형태에 따른 도포 장치는, 슬릿 노즐과, 이동 기구와, 압력 조정부와, 제어부를 구비한다. 슬릿 노즐은, 도포재를 저류하는 저류실을 구비한다. 이동 기구는, 슬릿 노즐을 기판에 대하여 상대적으로 이동시킨다. 압력 조정부는, 저류실 내의 압력을 조정한다. 제어부는, 이동 기구 및 압력 조정부를 제어함으로써, 저류실 내의 압력을 부압으로부터 대기압에 가까워지는 방향으로 변화시키면서, 슬릿 노즐을 기판에 대하여 상대적으로 이동시킨다. 또한, 제어부는, 도포 개시 위치를 포함하는 개시 구간 및 도포 종료 위치를 포함하는 종료 구간에 있어서의 저류실 내의 압력 변화가, 개시 구간 및 종료 구간을 제외한 중앙 구간에 있어서의 저류실 내의 압력 변화보다도 완만해지도록 압력 조정부를 제어한다.

公开(公告)号：KR20210035289A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020217006031A

申请日：2019-07-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 유스케 스즈키 ,  츠요시 모리야 ,  다다시 미츠나리 ,  신야 이와시타 ,  요시노리 모리사다 ,  나오타카 노로 ,  무네히코 가가야 ,  사토시 다나카

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/505

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/45597 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/505

Abstract: 처리 용기와, 기판을 승강 가능하게 지지하는 지지 기구와, 상기 지지 기구에 지지된 기판의 표면에 제1 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와, 상기 지지 기구에 지지된 기판의 이면에 제2 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와, 상기 지지 기구에 지지된 기판의 표면 또는 이면의 적어도 어느 것에 제3 가스를 공급하는 제3 가스 공급부를 갖는 성막 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR20210035073A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020207025388A

申请日：2019-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고스케 오가사와라 ,  겐타로 야마구치 ,  다카노리 반세

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H05H1/46 ,  H01J2237/334

Abstract: 하나의 예시적 실시형태에 따른 플라즈마 처리 방법은, 용량 결합형 플라즈마 처리 장치의 기판 지지대 상에 기판이 배치된 상태에서 실행된다. 플라즈마 처리 방법은, 챔버 내에 불활성 가스를 공급하는 공정과, 실리콘 함유 재료를 기판 상에 퇴적시키는 공정을 포함한다. 퇴적시키는 공정에서는, 챔버 내의 불활성 가스로부터 플라즈마를 생성하기 위해, 제1 고주파 전력을 플라즈마 처리 장치의 상부 전극에 공급하는 것, 및 제2 고주파 전력을 기판 지지대의 하부 전극에 공급하는 것 중 한쪽이 선택적으로 실행된다. 또한, 퇴적시키는 공정에서는, 상부 전극에 부극성 바이어스 전압이 부여된다.

公开(公告)号：KR20210035071A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020207025066A

申请日：2019-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마사유키 사와타이시 ,  준 히로세

IPC: H01L21/3065 ,  B23Q3/15 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B23Q3/15 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6833 ,  H02N13/00 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/68735

Abstract: 하나의 예시적 실시 형태에 따른 플라스마 에칭 방법에서는, 기판이 정전 척 상이면서 또한 포커스 링에 의해 둘러싸인 영역 내에 배치된다. 기판은, 정전 척에 의해 보유 지지된 상태에서 플라스마로부터의 이온에 의해 에칭된다. 정전 척은, 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 복수의 전극을 갖는다. 제1 전극은, 기판의 중앙 영역의 하방에서 연장된다. 제2 전극은, 기판의 에지 영역의 하방에서 연장된다. 복수의 전극에는, 기판이 정전 척에 의해 보유 지지된 상태에서 플라스마로부터의 이온이 중앙 영역 및 에지 영역의 양쪽에 대략 수직으로 입사하도록 결정된 복수의 전압이 각각 인가된다.

公开(公告)号：KR102234404B1

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020180033813A

申请日：2018-03-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 유이치 다케나가 ,  다카히토 가사이

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L22/20 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/52 ,  G05B19/188 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67242 ,  G05B2219/40066 ,  H01L21/67017 ,  H01L22/12

Abstract: 본 발명은 외란의 영향을 제거하여 성막 처리를 행하는 것이 가능한 기판 처리 시스템을 제공하는 것을 과제로 한다.
일실시형태의 기판 처리 시스템은, 처리 용기 내에 수용된 복수의 기판에 대하여, 상기 복수의 기판 중 적어도 하나의 기판에 성막된 막의 특성에 기초하여 산출되는 성막 조건을 이용하여, 상기 복수의 기판에 성막 처리를 행하는 것이 가능한 기판 처리 시스템으로서, 상기 기판의 표면 상태가 상기 하나의 기판에 성막되는 막의 특성에 미치는 영향을 나타내는 표면 상태 정보 및 상기 기판의 상기 처리 용기 내에서의 배치 상태가 상기 하나의 기판에 성막되는 막의 특성에 미치는 영향을 나타내는 배치 상태 정보를 기억하는 기억부와, 상기 기억부에 기억된 상기 표면 상태 정보 및 상기 배치 상태 정보에 기초하여, 상기 복수의 기판이 상기 하나의 기판의 막의 특성에 미치는 영향을 나타내는 정보를 산출하는 산출부와, 상기 산출부가 산출한 상기 정보에 기초하여, 상기 하나의 기판에 성막되는 막의 특성을 보정하는 보정부를 갖는다.

公开(公告)号：KR102233900B1

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020140158080A

申请日：2014-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 유키요시 사이토 ,  토모히로 카네코

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67718 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67781

Abstract: 단위 시간당 반송 매수의 증가를 도모하는 것이다. 제 1 반송 장치는 카세트로부터 기판을 취출하여 반송한다. 제 1 수용부는 제 1 반송 장치에 의해 반송되는 기판을 수용한다. 제 1 기판 처리 유닛은, 높이 방향으로 배열되는 적어도 2 개의 그룹으로 나뉘어지고, 기판에 대하여 소정의 처리를 행한다. 제 2 수용부는 상기 그룹의 각각에 대응하고, 제 1 수용부와 높이 방향으로 나란히 배치된다. 제 2 반송 장치는 상기 그룹의 각각에 대응하고, 동일 그룹에 대응하는 제 2 수용부로부터 기판을 취출하여 동일 그룹의 제 1 기판 처리 유닛으로 반송한다. 제 2 기판 처리 유닛은 상기 그룹의 각각에 대응하고, 제 1 수용부 및 제 2 수용부와 높이 방향으로 나란히 배치된다. 이전 장치는, 기판을 제 1 수용부와 제 2 수용부의 사이에서 이전하고 또한 기판을 제 1 수용부와 제 2 기판 처리 유닛의 사이에서 반송한다.