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公开(公告)号：CN114188205A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010960549.0
申请日：2020-09-14
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种静电装置、其所在的基片处理系统及其置换清洁方法，所述基片处理系统包含等离子体处理装置、传输腔及静电装置，所述传输腔内有传输机械手，所述静电装置用于产生吸附静电以吸附所述等离子体处理装置中的真空反应腔中的边缘环，并通过所述传输机械手将所述边缘环移入或移出所述真空反应腔，实现在不打开所述真空反应腔的情况下置换所述边缘环。本发明结构简单，操作方便，极大地降低了基片处理系统的维护成本。
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公开(公告)号：CN113972124A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010716962.2
申请日：2020-07-23
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种用于等离子体处理装置中的接地组件及其等离子体处理装置与工作方法，该等离子体处理装置包含：真空反应腔；下电极组件，位于真空反应腔内，下电极组件包括承载面，用于承载待处理晶圆；接地组件，其环绕设置在下电极组件的外侧，接地组件内包含若干个电磁场屏蔽的容纳空间；晶圆边缘保护环，环绕覆盖在待处理晶圆的边缘；若干个升降装置，其包含升降杆和驱动装置，驱动装置设置在容纳空间内，驱动装置与升降杆连接以便驱动升降杆带动晶圆边缘保护环升降。其优点是：在接地组件内设置容纳空间，将驱动装置设置于容纳空间内，避免过多占用真空反应腔内的空间，使驱动装置免受真空反应腔内的电磁场影响，有利于刻蚀工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN112928007A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911241805.4
申请日：2019-12-06
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本申请实施例公开了一种用于等离子体处理设备的下电极组件，该下电极组件不仅包括静电吸盘、等离子体约束环、中接地环和导电元件，还包括隔热元件，所述隔热元件用于降低所述等离子体约束环传递至所述中接地环的热量，从而在等离子体处理设备刻蚀过程中，能够在利用所述导电元件使得所述等离子体约束环和所述中接地环之间形成一较大电容的同时，还能够利用所述隔热元件降低所述等离子体约束环的热量损失，避免所述等离子体约束环的温度偏低而导致等离子体刻蚀过程中产生的聚合物容易在所述等离子体约束环的通道内凝结的问题，从而使得该等离子体约束环的通道不容易堵塞。
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公开(公告)号：CN111383885A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811611307.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种能提高控温精度的基片安装台及等离子体处理设备，该基片安装台包含依次设置的导电基座、热隔离层、加热层、控温层和静电吸盘层；该导电基座中还设有冷却系统；该控温层内设置一空腔，所述空腔内填充有金属相变材料，在等离子处理过程中，金属相变材料融化并在具有不同温度的区域之间流动，以维持基片的温度恒定，达到精确控温的目的。本发明通过设置金属相变材料进行控温，利用了金属相变材料的吸热、放热特性，结构简便，控温过程容易控制。通过设置能精确控温的控温层，维持静电吸盘温度稳定，从而保证基片刻蚀的均匀性，达到高质量产出的目的，且节能环保，操作简便。
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公开(公告)号：CN107146753B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201610114061.X
申请日：2016-03-01
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括一反应腔，所述反应腔内设置一上电极和一下电极，一供电装置设置于所述下电极下方，将射频功率施加到所述下电极上，所述下电极下方设置管道和电线，所述供电装置包括空心的射频输送管道，所述管道和电线设置于所述空心的射频输送管道内，不仅大大节约了下电极内部的空间，使得下电极内部有更多的空间实现对其他部件进行改进，同时，将材质较软的液体输送管道、气体输送管道及电线设置在形状较为固定的射频传输通道内部，避免了其在工艺过程中由于形状改变或位置改变导致的与接地环之间的距离发生改变进而对反应腔内的电场分布造成的影响。
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公开(公告)号：CN109961996A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711339246.1
申请日：2017-12-14
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理设备及用于其上的高导电导磁复合材料，该高导电导磁复合材料用于制造等离子体处理设备的反应腔外壁，包括高磁导率基材和设置在所述高磁导率基材表面的高电导率层；所述高磁导率基材的材质为坡莫合金。其内芯层磁导率高，外表层电导率高，可以同时满足刻蚀机对磁场和电场屏蔽的需求，通过蒸镀，气相沉积，热喷涂，冷喷涂等方式加工简单，可以实现批量生产。
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公开(公告)号：CN109839388A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201711230315.5
申请日：2017-11-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: G01N21/95
Abstract: 本发明公开了等离子运行状态实时监控方法、晶圆监测件和监控系统，该方法包含：步骤1，在晶圆监测基体上设置反应物涂层制备晶圆监测件；步骤2，将晶圆监测件与第n批待等离子处理晶圆产品置于等离子反应腔中，反应物涂层面朝向待监测的等离子体；步骤3，开启等离子体反应腔，生成等离子体，按等离子处理晶圆产品同样的工艺条件进行等离子处理；步骤4，将经等离子处理后的第n批晶圆监测件与标准等离子运行状态的等离子体处理的晶圆监测件或第m批等离子体处理的晶圆监测件进行比较，判断等离子工作是否正常，m、n取自然数，且m＜n。本发明的实时监控方法，不影响晶圆产品的生产，能大幅降低晶圆的报废率，监测成本低，操作方法简便。
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公开(公告)号：CN107306473B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201610259760.3
申请日：2016-04-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及基片制作方法，其中，包括反应腔体，其中所述反应腔体的至少部分顶板由绝缘材料制成的绝缘材料窗。基片支撑装置，设置于所述反应腔体中的所述绝缘材料窗的下方。射频功率发射装置位于所述绝缘材料窗上方，以发射射频功率穿过所述绝缘材料窗进入到所述反应腔体中。反应气体注入器，其用于向所述反应腔内供应反应气体；在所述反应气体注入器下方设置若干载流气体注入器，用于向反应腔内注入一定流速的载流气体，通过调节所述载流气体的流速大小可以有效改变载流气体对反应气体的扩散的约束力大小，进而控制反应气体在所述反应腔内的不同分布以满足不同工艺的需求。
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公开(公告)号：CN113496862B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010255484.X
申请日：2020-04-02
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 一种等离子体反应器和射频功率分布调节方法，等离子体反应器包括：反应腔，其内底部设导电基座，导电基座通过第一匹配器电路连到第一射频电源装置，导电基座上设静电夹盘，静电夹盘吸附待处理基片，待处理基片上为等离子体环境；插入环，设在导电基座外围；聚焦环，设在插入环上方，聚焦环围绕静电夹盘且暴露于等离子体环境中；耦合环，包括底部环和凸出部，凸出部位于插入环与导电基座间，底部环位于插入环下方，插入环内壁与导电基座外壁的间隙大于0.02毫米小于10毫米；设备板，位于导电基座下方；导线，其第一端电连接到导电基座或设备板，其第二端电连接到插入环，可变阻抗装置串联在导线上。所述等离子体反应器的射频可调且能降低电弧放电。
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公开(公告)号：CN113889391B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202010633541.3
申请日：2020-07-02
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体处理装置及其绝缘窗组件，其中，所述等离子体处理装置包括：真空反应腔，其内底部设有基座，所述基座用于承载待处理基片；顶盖，位于所述真空反应腔的顶部，所述顶盖具有若干个贯穿顶盖的开口；绝缘窗槽，位于所述开口内，其底部向真空反应腔内凸出，所述绝缘窗槽内具有气体输送管道，所述气体输送管道通过绝缘窗槽的底部向真空反应腔内输送反应气体；线圈，位于所述绝缘窗槽内；射频功率源，通过匹配器与线圈连接。所述等离子体处理装置中等离子体的浓度分布可调，且能够防止线圈的温度过高。
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