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公开(公告)号：CN117999863A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280063259.3
申请日：2022-09-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B53/20 , G11C11/22 , H01L29/786 , H10B12/00 , H10B51/20
Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括具有第一电极及背栅极的晶体管以及具有一对电极的电容器，晶体管的背栅极与半导体之间有可具有铁电性的第一绝缘体。第一绝缘体隔着第二绝缘体与半导体重叠。晶体管的源极及漏极中的一个与第一电极电连接。晶体管的源极及漏极中的另一个与一对电极中的一个电连接。一对电极都与第一绝缘体接触并具有隔着第一绝缘体彼此重叠的区域。作为第一绝缘体，使用铁电体。
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公开(公告)号：CN117916893A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280061603.5
申请日：2022-09-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/26 , H01L21/268 , H01L21/28 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L21/428 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L23/532 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10B99/00
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括晶体管。晶体管包括氧化物、氧化物上的第一导电体及第二导电体、第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体、第一绝缘体所包括的开口内的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第四绝缘体以及第四绝缘体上的第三导电体。开口包括与氧化物重叠的区域。第三导电体包括隔着第二绝缘体、第三绝缘体及第四绝缘体与氧化物重叠的区域。第二绝缘体与氧化物的顶面及开口的侧壁接触。第二绝缘体的厚度比第三绝缘体的厚度小。第四绝缘体与第三绝缘体相比不容易透过氧。在晶体管的沟道长度方向的截面中，第三导电体的宽度为3nm以上且15nm以下。
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公开(公告)号：CN116171484A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202180064527.9
申请日：2021-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/316
Abstract: 提供一种包括具有良好的铁电性的金属氧化物膜的铁电体器件。该铁电体器件包括第一导电体、第一导电体上的金属氧化物膜以及金属氧化物膜上的第二导电体，金属氧化物膜具有铁电性，金属氧化物膜具有结晶结构，结晶结构包括第一层及第二层，第一层包含第一氧及铪，第二层包含第二氧及锆，铪与锆通过第一氧相键合，并且第二氧与锆键合。
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公开(公告)号：CN116075893A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202180061509.5
申请日：2021-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C7/08
Abstract: 提供一种功耗得到降低且能够进行非破坏性读出的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第一FTJ元件以及第二FTJ元件。第一晶体管的第一端子与第一FTJ元件的输出端子及第二FTJ元件的输入端子电连接。当写入数据时，根据数据在第一FTJ元件及第二FTJ元件的每一个中引起极化。当读出数据时，对第一FTJ元件的输出端子与第二FTJ元件的输入端子之间供应极化不变的程度的电压。此时，使第一晶体管成为开启状态，由此流过第一FTJ元件的电流与流过第二FTJ元件的电流之差分电流流过第一晶体管。通过使用读出电路等取得该差分电流，可以读出写入在第一FTJ元件及第二FTJ元件中的数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115867968A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202180047447.2
申请日：2021-07-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 提供一种能够长期间保持数据的半导体装置。该半导体装置包括设置有电容、第一晶体管以及第二晶体管的单元，电容包括第一电极、第二电极及铁电层，铁电层设置在第一电极与第二电极之间，通过施加第一饱和极化电压或其极性与第一饱和极化电压不同的第二饱和极化电压发生极化转换，第一电极、第一晶体管的源极和漏极中的一个及第二晶体管的栅极彼此电连接。在第一期间，对铁电层施加第一饱和极化电压。在第二期间，对铁电层施加第一饱和极化电压与第二饱和极化电压之间的值的电压作为数据电压。
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公开(公告)号：CN114730582A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079582.0
申请日：2020-11-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C5/02
Abstract: 提供一种电路面积小且功耗低的计算机系统。计算机系统包括计算机节点，该计算机节点包括处理器和三维结构的NAND型存储装置。此外，三维结构的NAND型存储装置包括不同块的第一串及第二串。第一串包括第一存储单元，第二串包括第二存储单元。控制器接收第一数据及包含写入第一数据的指令的信号来对第一存储单元写入第一数据。然后，控制器从第一存储单元读出第一数据来对第二存储单元写入第一数据。由此，计算机节点可以具有不设置DRAM等主存储器的结构。
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公开(公告)号：CN114568037A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202080070194.6
申请日：2020-10-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/06 , H01L27/088 , H03F3/60
Abstract: 在布线层中形成放大器。在半导体装置中，在第一层上隔着金属氧化物包括第二层。第一层包括具有包含硅的第一半导体层的第一晶体管。第二层包括阻抗匹配电路，阻抗匹配电路包括具有包含镓的第二半导体层的第二晶体管。在第一晶体管与金属氧化物之间形成第一耦合电容，在阻抗匹配电路与金属氧化物之间形成第二耦合电容。阻抗匹配电路通过第二耦合电容与金属氧化物电连接。金属氧化物抑制从阻抗匹配电路发射的第一辐射噪声影响到第一晶体管的工作。
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公开(公告)号：CN114175249A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080054266.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/11519 , G11C11/40 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 提供一种可靠性高的存储装置。延伸在第一方向上的第一导电体的侧面从第一导电体一侧看时依次设置有第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第二半导体以及第三绝缘体。第一导电体具有隔着第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第二半导体及第三绝缘体与第二导电体重叠的第一区域、以及隔着第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第二半导体及第三绝缘体与第三导电体重叠的第二区域。在第二区域中，包括第一绝缘体和第一半导体之间的第四导电体。
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公开(公告)号：CN114008923A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202080041636.4
申请日：2020-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K17/16 , H03K17/693 , H01L29/786 , H04B1/38 , H04B1/44
Abstract: 提供一种能够收发高电位的信号的通信装置。该通信装置包括设置有第一至第四晶体管、发送端子、接收端子、天线端子以及第一及第二控制端子的双工器。发送端子与第一及第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，接收端子与第三及第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接，天线端子与第二及第四晶体管的源极和漏极中的另一个电连接，第一控制端子与第二及第三晶体管的栅极电连接，第二控制端子与第一及第四晶体管的栅极电连接。另外，第一至第四晶体管的半导体各自包含金属氧化物。
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