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公开(公告)号：KR100930922B1
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：KR1020050105701
申请日：2005-11-04
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/047 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 염료감응태양전지 및 그 제조방법이 개시된다.
본 발명에 따르는 염료감응태양전지는 서로 대향되게 배치되는 제1기판과 제2기판과, 상기 제1기판과 제2기판과의 사이에 구비되고, 광화학적 반응을 위한 비표면적이 큰 복수개의 돌출부를 갖는 적어도 하나의 나노튜브산화물층을 포함하고, 상기 나노튜브산화물층에 화학적으로 흡착되어, 여기된 전자를 공급할 수 있는 염료층을 포함하는 반도체전극과, 상기 반도체전극과 대향되고 상기 제1기판과 제2기판과의 사이에 마련되어 통전되도록 하는 대향전극 및 상기 반도체전극과 대향전극 사이에 개재되어 산화-환원반응에 의하여 상기 염료층에 전자를 공급해줄 수 있는 전해질용액을 포함하는 것을 특징으로 하는데, 염료층에서 여기된 전자의 이동에 있어서, 전극의 형태(morphology)에 영향을 받게 된다. 양극산화로 얻어진 나노튜브 모양의 표면 형태는 전자의 이동 경로가 직선 형태로 최소화되어 전자의 손실을 줄일 수 있으며, 복수개의 나노튜브의 표면 염료 흡착이 가능하여 넓은 표면적에서 광흡수을 할 수 있으며, 또한 양면의 나노튜브에 흡수 파장대가 다른 염료를 흡착하여 광흡수도를 증가시킬 수 있다.Abstract translation: 公开了染料敏化太阳能电池及其制造方法。
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62.发明授权
公开(公告)号：KR100847741B1
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：KR1020070017618
申请日：2007-02-21
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/072 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/072 , H01L31/04
Abstract: A point-contact heterojunction silicon solar cell having a passivation layer on a p-n junction interface is provided to reduce an interfacial defect by minimizing a contact area between amorphous silicon and crystalline silicon. A passivation layer(305) is formed on an interface between a crystalline silicon wafer(300) of a first type and an amorphous silicon layer(310) of a second type wherein a plurality of voids penetrating the front and back surfaces of the passivation layer are formed in the passivation layer. The crystalline silicon wafer of the first type comes in contact with the amorphous silicon layer of the second type only by the voids. The passivation layer can be selected from SiO2, SiC, SiNx and intrinsic amorphous silicon.
Abstract translation: 提供了在p-n结界面上具有钝化层的点接触异质结硅太阳能电池，以通过最小化非晶硅和晶体硅之间的接触面积来减少界面缺陷。 在第一类型的晶体硅晶片（300）和第二类型的非晶硅层（310）之间的界面上形成钝化层（305），其中穿过钝化层的前表面和后表面的多个空隙 形成在钝化层中。 第一类型的晶体硅晶片仅通过空隙与第二类型的非晶硅层接触。 钝化层可以选自SiO 2，SiC，SiN x和本征非晶硅。
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公开(公告)号：KR100710909B1
公开(公告)日：2007-04-27
申请号：KR1020050128841
申请日：2005-12-23
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: PTFE표면의 개질방법이 제공된다.
본 발명에 따른 PTFE표면의 개질방법은 (a) 진공챔버의 내부에 PTFE를 위치시키고 진공상태로 유지시키는 단계; (b) 상기 진공챔버의 내부로 산소기체를 7 내지 13 sccm의 유량으로 공급하는 단계; 및 (c) 수소이온을 상기 PTFE의 표면으로 조사하여 산소플라즈마를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 이에 의하면 PTFE와 금속 등의 다른 물질과의 접착력을 증대시키면서 동시에 상기 PTFE의 표면에 물리적 손상을 획기적으로 감소시키고 그 표면의 반사도가 우수하다는 장점을 갖는다.
PTFE, 개질Abstract translation: 提供了一种改性PTFE表面的方法。
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公开(公告)号：KR102255578B1
公开(公告)日：2021-05-24
申请号：KR1020190099585
申请日：2019-08-14
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L21/306
Abstract: 본발명은실리콘웨이퍼의습식이단계표면조직화방법에관한것으로서, Kerfless 방식으로제작된실리콘웨이퍼의표면에텍스쳐를형성하는방법에있어서, 습식세정용액을통해상기실리콘웨이퍼의표면을세정하는세정단계; 상기세정된실리콘웨이퍼를제 1 산용액에침지시켜표면에홀을형성하는전처리단계; 탈이온수를통해상기홀이형성된실리콘웨이퍼의표면을세척하는세척단계및 상기세척된실리콘웨이퍼를제 2 산용액에침지시켜표면에텍스쳐를형성하는식각단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR102205708B1
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：KR1020190114476
申请日：2019-09-18
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본출원의일 실시예에따르는폭우제거영상제공장치는, 단일프레임에대한필터링을통해고주파영역이미지와저주파영역이미지를획득하는전처리부, 상기고주파영역이미지를학습한신경망을통해추출되는제1 레이어정보와상기저주파영역이미지를학습한상기신경망을통해추출되는제2 레이어정보를상기신경망을통해딥러닝하여, 특징정보를추출하는특징추출부및 상기단일프레임, 상기고주파영역이미지및 상기특징정보를상기신경망을통해딥러닝하여폭우개선이미지를출력하고, 상기신경망에따라추정된투과도맵을이용하는물리적모델링을통해상기폭우개선이미지에대한클린이미지를출력하는영상개선부를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101909821B1
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：KR1020170062775
申请日：2017-05-22
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0216 , C03C8/10 , C03C8/04
CPC classification number: H01L31/022425 , C03C8/04 , C03C8/10 , H01L31/02167 , H01L31/18
Abstract: 본발명은태양전지의전극제조방법에관한것으로, 본발명에따른태양전지의전극제조방법은 (a) 실리콘층으로형성된에미터 (emitter, 20)의상면에적층된반사방지막상부에, 금속분말, 및유리프릿 (glass frit)을포함하는전도성페이스트(40)를전극형태로패턴화하여배치하는단계(S100), (b) 패턴화된전도성페이스트(40)를가열하여소성하는단계(S200), 및 (c) 상기 (b) 단계의소성진행중에, 광을조사하는단계(S300)를포함한다.
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公开(公告)号：KR101859837B1
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：KR1020160119889
申请日：2016-09-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/048 , H01L31/049 , B32B17/10 , B32B27/08 , B32B27/32 , B32B9/04 , B32B9/00 , B32B15/08 , B32B15/20
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은태양전지모듈에관한것으로서, 본발명의실시예에따른태양전지모듈은백시트(10), 백시트(10) 상에적층되는하부봉지재필름(20), 하부봉지재필름(20) 상에적층되고, 전도성리본(31)에의해직렬또는병렬로배열되는다수개의태양전지셀(30), 태양전지셀(30)을사이에두고, 하부필름과마주보도록배치되는상부봉지재필름(40), 상부봉지재필름(40)으로부터이격되어배치되는전면유리(50), 및전면유리(50)와상부봉지재필름(40) 사이에배치되어, 상부봉지재필름을투과하는수분(M)이전면유리(50)에접촉되는것을차단하는수분차단막(60)을포함한다.
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公开(公告)号：KR101731626B1
公开(公告)日：2017-04-28
申请号：KR1020160111407
申请日：2016-08-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G06F17/30
Abstract: 데이터처리모듈, 학습모듈, 예측모듈, 및데이터베이스를포함하는트리기반앙상블분류기를이용한정보예측시스템및 이를이용한트리기반앙상블분류기를이용한정보예측방법이개시된다. 트리기반앙상블분류기를이용한정보예측방법은학습을위한데이터를수집하는데이터수집단계, 상기데이터를부트스트랩샘플링하여훈련데이터와샘플링되지않은검증데이터로구분하는부트스트랩샘플링단계, 상기훈련데이터에 KFDA를적용하는 KFDA 적용단계, 샘플링되지않은상기검증데이터를이용하여검증을수행하고최적의커널파라미터를추출하는최적커널파라미터추출단계, 상기최적의커널파라미터에따른의사결정트리를생성하는의사결정트리생성단계, 융합규칙을이용하여적어도둘 이상의의사결정트리를병합하여, 트리기반앙상블분류기를생성하는앙상블분류기생성단계, 및신규데이터를입력데이터로하고상기트리기반앙상블분류기를이용하여상기신규데이터의클래스라벨(class label)을예측하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101680462B1
公开(公告)日：2016-11-28
申请号：KR1020150045187
申请日：2015-03-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/048 , H01L31/05
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 태양전지모듈은상호전기적으로연결된복수의태양전지셀들, 상기태양전지셀들을둘러싸도록구비된봉지부재, 상기봉지부재의상부에배치된전면커버, 상기봉지부재및 상기전면커버의측부를감싸도록구비되며전기적으로접지된프레임및 상기봉지부재및 전면커버사이에개재되며, 상기프레임과전기적으로연결된접지부재를포함한다.
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公开(公告)号：KR101666748B1
公开(公告)日：2016-10-17
申请号：KR1020150068619
申请日：2015-05-18
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0216 , H01L31/046 , C01G23/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 페로브스카이트태양전지모듈은제1 셀영역및 제2 셀영역으로구획된투명기판및 투명기판상에제1 및제2 셀영역들각각에형성되고, 투명전극, 페로브스카이트물질로이루어진흡수층, 흡수층으로부터정공이유입되는금속전극및 흡수층및 금속전극사이에개재되며정공을금속전극으로전달하는홀전도층을각각구비하는제1 및제2 페로브스카이트태양전지셀들을포함하고, 금속전극은제2 페로브스카이트태양전지셀에포함된투명전극에연결되며, 제1 및제2 페로브스카이트태양전지셀들을전기적으로연결시키는연결부를포함하고, 홀전도층은흡수층및 상기연결부사이에개재되어, 흡수층으로부터연결부로, 전자의이동을억제하는동시에정공의이동을용이하게하는절연부를포함한다.
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