公开(公告)号：KR100390545B1

公开(公告)日：2003-09-26

申请号：KR1019960062257

申请日：1996-12-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도나오키 ,  가미카와유지 ,  모쿠오쇼리 ,  구마가이요시오

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67028 ,  Y10S134/902

Abstract: A substrate washing and drying apparatus comprising a processing section for holding wafers, to which process solution to wash and vapor for drying the wafers are introduced, a supply/discharge port for introducing solution to the process section, and discharging the solution from the process section, a solution supply mechanism for selecting one from a plurality of kinds of solution, a drying vapor generation section having a heater for generation vapor for drying, a discharging solution mechanism having an opening for rapidly discharging the solution from the processing section, resistivity detecting means for detecting a resistivity value of the process solution, and a controller for controlling the supply of solution to the process section based on the resistivity value detected by the resistivity detecting means.

Abstract translation: 1。一种基板清洗干燥装置，其特征在于，具备：导入晶片的处理部，其导入清洗处理液和干燥晶片的蒸气;供给排出口，用于向处理部导入溶液;排出处理部的溶液 ，用于从多种溶液中选择一种溶液的溶液供应机构，具有用于产生干燥用蒸气的加热器的干燥蒸气产生部，具有用于从处理部快速排出溶液的开口的排出溶液机构，电阻率检测部件 用于检测处理溶液的电阻率值;以及控制器，用于基于由电阻率检测装置检测的电阻率值来控制向处理部分的溶液供应。

公开(公告)号：KR100376036B1

公开(公告)日：2003-06-19

申请号：KR1019960062340

申请日：1996-12-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미가와유우지 ,  우에노긴야 ,  신도나오키 ,  구마가이요시오

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/04 ,  B08B3/08 ,  B08B3/102 ,  H01L21/67028 ,  Y10S134/902

Abstract: A method of washing substrates comprises the steps of (a) introducing a washing solution (101) into a processing vessel (10) having a wafer boat (30) movably mounted therein to fill the vessel (10) with the washing solution (101), (b) allowing a plurality of wafers (W) to be held collectively by a chuck (20a) such that the wafers (W) held by the chuck (20a) are arranged at substantially an equal pitch, (c) dipping the wafers (W) together with the chuck (20a) in the washing solution (101) within the processing vessel (10), (d) transferring the wafers (W) from the chuck (20a) onto the wafer boat in an upper region (12) of the processing vessel (10), (e) moving the wafers (W) together with the wafer boat (30) within the washing solution (101) to allow the substrates to be positioned in a lower region (11) of the processing vessel (10), (f) discharging the washing solution (101) from the upper region (12) of the processing vessel (10), (g) supplying a fresh washing solution (101) into the lower region (11) of the processing vessel (10) so as to cause the washing solution (101) within the processing vessel (10) to overflow the processing vessel (10), (h) taking the washed wafers (W) out of the processing vessel (10).

Abstract translation: 一种洗涤衬底的方法包括以下步骤：（a）将洗涤溶液（101）引入具有可移动地安装在其中的晶片舟皿（30）的处理容器（10）中以用洗涤溶液（101）填充容器（10） ，（b）使多个晶片（W）一起由卡盘（20a）保持为使得由卡盘（20a）保持的晶片（W）以基本相等的间距布置，（c）将晶片 （W）与处理容器（10）内的洗涤液（101）内的吸盘（20a）一起，（d）将晶片（W）从吸盘（20a）转移到上部区域（12） ），（e）使所述晶片（W）与所述晶舟（30）一起在所述洗涤液（101）内移动，使所述基板位于所述处理容器（10）的下部区域（11） （10），（f）从处理容器（10）的上部区域（12）排出洗涤液（101），（g）将新鲜洗涤液（101） （10）的下部区域（11），以使处理容器（10）内的清洗液（101）溢出处理容器（10），（h）从清洗后的晶片 处理容器（10）。 ＆lt;图像＆GT; ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020020055429A

公开(公告)日：2002-07-08

申请号：KR1020010086491

申请日：2001-12-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도나오키 ,  이이노타다시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6708 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided to improve a processing efficiency. CONSTITUTION: The substrate processing apparatus includes a processing container(10) in which wafers(W) are processed, a wafer guide(20) for holding the wafers(W) in the processing container(10), a steam supplier(30) for supplying the processing container(10) with steam, an ozone-gas supplier(40) for supplying the processing container(10) with ozone(O3) gas. The substrate processing apparatus further includes an air supplier(50) for supplying the processing container(10) with air, interior exhausting means(60) for exhausting an atmosphere inside the processing container(10), circumferential-atmosphere discharging means(70) for exhausting an atmosphere around the processing container(10), The substrate processing apparatus further comprises an ozone killer(80) for eliminating ozone in the interior atmosphere discharged from the processing container(10) and discharge means(90) for draining dewdrops in the processing container(10).

Abstract translation: 目的：提供基板处理装置和基板处理方法，以提高处理效率。 构成：基板处理装置包括处理晶片（W）的处理容器（10），用于将晶片（W）保持在处理容器（10）中的晶片引导件（20），蒸汽供给器（30） 向处理容器（10）供应蒸汽，用于向处理容器（10）供应臭氧（O 3）气体的臭氧气体供应器（40）。 基板处理装置还具备供给处理容器（10）的空气供给装置（50），排出处理容器（10）内的气氛的内部排气装置（60），周向大气排出装置（70） 在处理容器（10）周围排出气氛。基板处理装置还包括用于消除从处理容器（10）排出的内部空气中的臭氧的臭氧消除器（80）和用于在处理容器（10）中排出露珠的排出装置（90） 容器（10）。

公开(公告)号：KR1019990029657A

公开(公告)日：1999-04-26

申请号：KR1019980037119

申请日：1998-09-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카미카와유지 ,  신도나오키 ,  키타하라시게노리 ,  야마사카미야코

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 또는 LCD용 유리 기판과 같은 처리용 대상을 약액 또는 순수와 같은 세정액에 침적하여 세정하기 위한 세정처리방법 및 세정처리장치에 관한 것이다. 본 발명은 피처리체를 세정하기 위해 순수에 침적하는 공정과, 그리고 상기 순수에 약액을 주입해서 되는 세정액에서 상기 약액의 농도를 제어하며, 상기 피처리체를 세정하기 위해 상기 세정액에 침적하는 공정을 포함하여, 상기 피처리체가 순수에 침적되어 세정된 후, 약액이 순수에 주입해서 되는 세정액에 상기 피처리체가 침적되어 세정되는 때, 상기 세정액에서의 약액의 농도가 단시간내에 소정농도로 변화될 수 있고, 상기 피처리체에 대한 약액세정효율을 향상시킬 수 있으며, 전 세정에 대한 처리량을 향상시킬 수 있는 세정처리방법 및 그 장치를 제시하고 있다.

公开(公告)号：KR1019960030342A

公开(公告)日：1996-08-17

申请号：KR1019960000944

申请日：1996-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도나오키 ,  요코미조겐지

IPC: H01L21/304

Abstract: 기판세정장치는, 여러개의 웨이퍼가 수용되는 처리조와, 이 처리조내에 세정액을 공급하는 세정액 공급원과, 처리조로부터 흘러넘친 세정액을 다시 처리조내에 되돌리는 제1유로와, 헹굼액을 공급하는 헹굼액 공급원과, 헹굼액이 흘러 통과되는 제2유로와, 제1 및 제2유로의 각각에 연통함과 동시에 처리조의 저부에도 연통하는 공용유로와, 제1유로에 설치된 제1밸브와, 제2유로에 설치된 제2밸브와, 제1유로로부터 분기하여 세정액을 배출하는 배출유로와, 이 배출유로에 설치된 제3밸브와, 제1, 제2 및 제3밸브의 각 동작을 제어하는 제어부를 구비하고 있으며,상기 제1밸브는, 제1유로를 개폐하는 제1밸브체와, 제1유로와 병렬로 설치되고 제1유로보다도 작은 직경의 제3유로와, 이 제3유로를 개폐하는 제2밸브체를 갖고 있으며, 제1밸브체를 개방하고 제2 브체를 폐쇄하고 또한 제3밸브로 폐쇄함에 의해 세정액을 처리조내에 유입시키는 한편, 제1밸브의 제1밸브체를 폐쇄하고 제2밸브체를 개방하고 또한 제3밸브도 개방함에 의해 헹굼액을 처리조내에 유입시킴과 동시에 제1 제3 유로내에 체류하는 세정액을 헹굼액과 함께 배출유로를 통하여 배출한다.