公开(公告)号：KR100407869B1

公开(公告)日：2004-03-30

申请号：KR1019970049349

申请日：1997-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카시마사토시 ,  우에노긴야 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  B08B3/08 ,  H01L21/67051 ,  Y10S134/902

Abstract: A cleaning apparatus and a cleaning method for cleaning an object (W) are provided. In the cleaning apparatus, a drying chamber (42) and a cleaning bath (41) are separated from each other up and down, respectively. Thus, a space in the drying chamber (42) can be insulated from a space of the cleaning bath (41) through rotary doors (59a) and a slide door (72). In the cleaning method, a cleaning process in the cleaning bath (41) is carried out while sealing it by the rotary doors (59a). On the other hand, a drying process in the drying chamber (42) is accomplished while sealing and closing it by the slide door (72). Consequently, there is no possibility that, during the drying process, the object is subjected to a bad influence from a chemical treatment.

Abstract translation: 提供了用于清洁物体（W）的清洁设备和清洁方法。 在清洁设备中，干燥室（42）和清洁浴（41）分别上下相互分离。 由此，干燥室42内的空间能够通过旋转门59a和滑动门72而与清洁槽41的空间隔离。 在清洁方法中，清洁槽（41）中的清洁过程在由旋转门（59a）密封的同时进行。 另一方面，干燥室（42）中的干燥过程在由滑动门（72）密封和关闭的同时完成。 因此，在干燥过程中，物体不可能受到化学处理的不良影响。

公开(公告)号：KR100432270B1

公开(公告)日：2004-10-26

申请号：KR1019970049347

申请日：1997-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카시마사토시 ,  우에노긴야 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  Y10S134/902

Abstract: A cleaning apparatus and a cleaning method for restricting an occurrence of water marks on a surface of a object to be processed are provided. The cleaning apparatus is constructed so as to dry wafers W, which have been rinsed by DIW in a drying chamber 42, in a cooling system. Thus, the reaction between, for example, IPA, DIW etc. and silicon in surfaces of the wafers W is inactivated to cause the surfaces to be oxidized with difficulty, so that it is possible to restrict the occurrence of the water marks on the surfaces.

Abstract translation: 提供了一种用于限制待处理物体的表面上出现水印的清洁装置和清洁方法。 该清洁设备被构造成在冷却系统中干燥已经通过DIW在干燥室42中漂洗的晶片W. 因此，例如IPA，DIW等与晶片W的表面中的硅之间的反应失活而导致表面难以氧化，从而可以限制表面上的水印的发生 。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR100407868B1

公开(公告)日：2004-04-03

申请号：KR1019970049348

申请日：1997-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카시마사토시 ,  우에노긴야 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67028

Abstract: A cleaning apparatus and a cleaning method for cleaning a object are provided. In the cleaning apparatus, a drying chamber 42 and a cleaning bath 41 are separated from each other up and down, respectively. Thus, a space in the drying chamber 42 can be insulated from a space of the cleaning bath 41 through a slide door 72. In the cleaning method, a drying process and a cleaning process are carried out separately on condition that the space in the drying chamber 42 is insulated from the space of the cleaning bath 41 through the slide door 72. Consequently, there is no possibility that, during the drying process, the object is subjected to a bad influence from a chemical treatment.

Abstract translation: 提供了一种用于清洁物体的清洁装置和清洁方法。 在清洁设备中，干燥室42和清洁池41分别上下相互分离。 因此，干燥室42内的空间可通过滑动门72与清洁槽41的空间隔离。在清洁方法中，干燥过程和清洁过程分别进行，条件是干燥过程中的空间 腔室42通过滑动门72与清洁槽41的空间隔离。因此，在干燥过程中，物品不可能受到化学处理的不良影响。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1019980025067A

公开(公告)日：1998-07-06

申请号：KR1019970049347

申请日：1997-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카시마사토시 ,  우에노긴야 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/304

Abstract: 피처리기판 표면에 워터 마크(water mark)가 발생하는 것을 극력 억제할 수 있는 세정장치 및 세정방법으로, 건조실(42)에 있어서 DIW로 헹구어진 웨이퍼(W)를 냉각계로 건조하도록 했으므로, 예컨대 IPA와 DIW의 웨이퍼(W) 표면의 실리콘과의 반응이 둔화되어 웨이퍼 표면이 산화되기 어렵게 되어 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR100376036B1

公开(公告)日：2003-06-19

申请号：KR1019960062340

申请日：1996-12-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미가와유우지 ,  우에노긴야 ,  신도나오키 ,  구마가이요시오

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/04 ,  B08B3/08 ,  B08B3/102 ,  H01L21/67028 ,  Y10S134/902

Abstract: A method of washing substrates comprises the steps of (a) introducing a washing solution (101) into a processing vessel (10) having a wafer boat (30) movably mounted therein to fill the vessel (10) with the washing solution (101), (b) allowing a plurality of wafers (W) to be held collectively by a chuck (20a) such that the wafers (W) held by the chuck (20a) are arranged at substantially an equal pitch, (c) dipping the wafers (W) together with the chuck (20a) in the washing solution (101) within the processing vessel (10), (d) transferring the wafers (W) from the chuck (20a) onto the wafer boat in an upper region (12) of the processing vessel (10), (e) moving the wafers (W) together with the wafer boat (30) within the washing solution (101) to allow the substrates to be positioned in a lower region (11) of the processing vessel (10), (f) discharging the washing solution (101) from the upper region (12) of the processing vessel (10), (g) supplying a fresh washing solution (101) into the lower region (11) of the processing vessel (10) so as to cause the washing solution (101) within the processing vessel (10) to overflow the processing vessel (10), (h) taking the washed wafers (W) out of the processing vessel (10).

Abstract translation: 一种洗涤衬底的方法包括以下步骤：（a）将洗涤溶液（101）引入具有可移动地安装在其中的晶片舟皿（30）的处理容器（10）中以用洗涤溶液（101）填充容器（10） ，（b）使多个晶片（W）一起由卡盘（20a）保持为使得由卡盘（20a）保持的晶片（W）以基本相等的间距布置，（c）将晶片 （W）与处理容器（10）内的洗涤液（101）内的吸盘（20a）一起，（d）将晶片（W）从吸盘（20a）转移到上部区域（12） ），（e）使所述晶片（W）与所述晶舟（30）一起在所述洗涤液（101）内移动，使所述基板位于所述处理容器（10）的下部区域（11） （10），（f）从处理容器（10）的上部区域（12）排出洗涤液（101），（g）将新鲜洗涤液（101） （10）的下部区域（11），以使处理容器（10）内的清洗液（101）溢出处理容器（10），（h）从清洗后的晶片 处理容器（10）。 ＆lt;图像＆GT; ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020010015426A

公开(公告)日：2001-02-26

申请号：KR1020000042704

申请日：2000-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로세게이조 ,  세키구치겐지 ,  이노우에도모히데 ,  미야자키다카노리 ,  우에노긴야

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67046 ,  B08B1/04 ,  B08B3/04 ,  B08B2203/0288 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: A substrate cleaning device, a substrate cleaning system, and a method for the same are provided to protect a substrate from a friction or a scratch and clean efficiently the substrate by maintaining an initial contact pressure. CONSTITUTION: A core material(68) for supplying pure water from a pure water supply path(60) is installed at a head(66) of a cleaning device(24). A plane portion(72) is formed at a lower portion of the core material(68). An outer face of the core material(68) is coated by a porous resin sheet(69). A rod(31) presses the cleaning device(24) to a substrate. An air bearing cylinder(30) is installed to transmit power to the rod(31). The pure water supply path(60) is formed inside the rod(31). The pure water supplied from the pure water supply path(60) is passed through the core material(68) and the porous resin sheet(69). A floating layer of the pure water is formed between the head(66) and the substrate.

Abstract translation: 目的：提供基板清洁装置，基板清洁系统及其方法，以保护基板免受摩擦或划痕，并通过维持初始接触压力有效地清洁基板。 构成：用于从纯净水供应路径（60）供应纯净水的芯材（68）安装在清洁装置（24）的头部（66）上。 在芯材（68）的下部形成有平面部（72）。 芯材（68）的外表面被多孔树脂片（69）涂覆。 杆（31）将清洁装置（24）按压到基板。 安装空气轴承缸（30）以将动力传递到杆（31）。 纯水供给路径（60）形成在杆（31）的内部。 从纯水供给路径（60）供给的纯水通过芯材（68）和多孔树脂片（69）。 在头部（66）和基底之间形成有纯水的漂浮层。

公开(公告)号：KR100220028B1

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：KR1019960017458

申请日：1996-05-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에노긴야

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67028 ,  B08B3/02

Abstract: 본 발명은 반도체웨이퍼나 LCD기판 등의 피처리기판을 세정하는 스핀세정방법에 관한 것으로서, 우선 반도체 웨이퍼가 스핀척에 의해 지지되며, 또한 회전되는 동시에 약액노즐로부터 불산용액이 웨이퍼(W) 표면에 공급되고 자연산화막이 제거되며, 다음으로 웨이퍼가 회전된 상태에서 린스노즐로부터 웨이퍼(W) 표면에 순수가 공급되어 린스되고, 순수의 공급정지의 직전보다 웨이퍼가 회전된 상태에서 치환매체노즐로부터 IPA액이 공급되고, IPA액은 머랭고니효과 및 원심력으로 순수를 치환하며, 다음으로 웨이퍼가 300rpm에서 1초간, 3000rpm에서 4초간, 5000rpm에서 5초간 회전되어 IPA액이 원심력으로 제거되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019980025068A

公开(公告)日：1998-07-06

申请号：KR1019970049348

申请日：1997-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카시마사토시 ,  우에노긴야 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/304

Abstract: 건조처리시에 약액처리에 의한 악영향을 받는 일이 없는 세정장치 및 세정방법으로, 건조실(42)과 세정조(41)를 각각 상하로 분리함과 더불어, 건조실(42)의 공간과 세정조(41)의 공간을 슬라이드문짝(72)에 의해 차폐가능으로 하고, 각각의 처리를 슬라이드문짝(72)에 의해 차폐하여 행하도록 구성한 것이다.

公开(公告)号：KR1019960042921A

公开(公告)日：1996-12-21

申请号：KR1019960017458

申请日：1996-05-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에노긴야

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체웨이퍼나 LCD기판 등의 피처리기판을 세정하는 스핀세정방법에 관한 것으로서, 우선 반도체웨이퍼가 스핀척에 의해 지지되며, 또한 회전되는 동시에 약액노즐로부터 불산용액이 웨이퍼(W) 표면에 공급되고 자연산화막이 제거되며, 다음으로 웨이퍼가 회전된 상태에서 린스노즐로부터 웨이퍼(W) 표면에 순수가 공급되어 린스되고, 순수의 고급정지의 직전보다 웨이퍼가 회전된 상태에서 치환매체노즐로부터 IPA액이 공급되고, IPA액은 머랭고니 효과 및 원심력으로 순수를 치환하며, 다음으로 웨이퍼가 300rpm에서 1초간, 3000rpm에서 4초간, 5000rpm에서 5초간 회전되어 IPA액이 원심력으로 제거되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100613919B1

公开(公告)日：2006-08-18

申请号：KR1020000042704

申请日：2000-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로세게이조 ,  세키구치겐지 ,  이노우에도모히데 ,  미야자키다카노리 ,  우에노긴야

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67046 ,  B08B1/04 ,  B08B3/04 ,  B08B2203/0288 ,  Y10S134/902

Abstract: 반도체 웨이퍼와 같은 기판의 세정장치에 있어서, 그 세정구(24)의 헤드(66)에, 순수(純水)공급로(60)로부터 순수가 공급되는 투액성의 합성수지제 코어재 (68)가 설치된다. 코어재(68)의 아래면에는 평면부(72)가 형성되고, 코어재(68)의 바깥면을 피복하도록 다공성 수지시트(69)가 접합된다. 세정구(24)를, 스핀회전중인 기판(W)의 면에 대하여 누르는 로드(31)에 대해 상하방향으로 추력(推力)을 부여하는 에어베어링 실린더(30)가 설치되고, 로드(31)의 내부에 순수공급로 (60)가 마련된다. 순수공급로(60)로부터 공급된 순수는, 코어재(68)와 다공성 수지시트(69)를 투과하여 헤드(66) 밖으로 보내지고, 헤드(66)와 기판(W)의 면 사이에 순수의 유동막이 형성된다. 따라서 기판의 오염이나 손상이 방지되고, 헤드의 형상이 흐트러지지 않는다.