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公开(公告)号：KR100679604B1
公开(公告)日：2007-02-06
申请号：KR1020060006121
申请日：2006-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/14
Abstract: A manufacturing method of an information processing device is provided to form a polarized layer having extremely small RMS and P-V values through a chemical mechanical polishing process under low-temperature and low-speed polishing conditions, thereby remarkably reducing wear of a probe. An electrode(105) is formed on an object(100). A preliminary polarized layer is formed on the electrode(105). A surface of the preliminary polarized layer is polished through a chemical mechanical process to form a polarized layer(115) on the electrode(105). A reaction preventive layer(120) is formed on the polarized layer(115). A semiconductor layer(125) is formed on the preventive layer(120). A probe is disposed on the semiconductor layer(125).
Abstract translation: 提供了一种信息处理设备的制造方法，以通过在低温和低速抛光条件下的化学机械抛光工艺形成具有极小的RMS和P-V值的极化层，由此显着地减少了探针的磨损。 电极（105）形成在物体（100）上。 初始极化层形成在电极（105）上。 预偏振层的表面通过化学机械工艺抛光以在电极（105）上形成偏振层（115）。 在偏光层（115）上形成反应防止层（120）。 在防止层（120）上形成半导体层（125）。 探针设置在半导体层（125）上。
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公开(公告)号：KR100660550B1
公开(公告)日：2006-12-22
申请号：KR1020050086433
申请日：2005-09-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L27/04 , H01L21/31
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公开(公告)号：KR1020050122732A
公开(公告)日：2005-12-29
申请号：KR1020040048357
申请日：2004-06-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 임동현
IPC: G06F1/16
CPC classification number: G06F3/16 , G06F1/181 , G06F1/182 , H05K5/0247
Abstract: 본 발명은, 컴퓨터본체를 갖는 컴퓨터장치 및 그 제어방법에 관한 것이다. 본 컴퓨터장치는, 오디오신호를 외부로 출력하기 위한 제1보조출력수단과; 상기 오디오신호를 외부로 출력하기 위한 제2보조출력수단을 포함하고; 상기 컴퓨터본체는, 상기 컴퓨터본체 내에 마련되며 상기 오디오신호를 외부로 출력하기 위한 주출력수단과, 상기 제1보조출력수단과 상기 제2보조출력수단이 선택적으로 장착되며, 상기 제1보조출력수단과 상기 제2보조출력수단 중 어느 것이 장착되었는지를 감지하는 장착부와, 상기 장착부에 의해 상기 제1보조출력수단이 장착된 것으로 감지된 경우 상기 오디오신호를 상기 주출력수단 및 상기 제1보조출력수단을 통해 동시에 출력하도록 하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 보조스피커를 장착하는 경우 메인스피커의 출력을 그대로 유지하여 음량을 보강할 수 있다.
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公开(公告)号：KR102220421B1
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：KR1020150120183
申请日：2015-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/66 , H01L29/775 , H01L27/108 , H01L49/02 , H01L29/06 , H01L23/535
Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는다결정(polycrystal) 금속을포함하는메탈레이어, 상기메탈레이어상에형성되는시드레이어, 상기시드레이어상에필라형상으로형성되는나노와이어, 상기나노와이어상에컨포말하게형성되는유전막및 상기유전막상에형성되는전극막을포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170024766A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150120183
申请日：2015-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/02 , H01L21/283 , H01L29/16 , H01L21/31
CPC classification number: H01L27/10814 , B82Y10/00 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53257 , H01L23/53261 , H01L23/53271 , H01L23/535 , H01L27/10823 , H01L27/10852 , H01L28/90 , H01L29/0676 , H01L29/66439 , H01L29/775
Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는다결정(polycrystal) 금속을포함하는메탈레이어, 상기메탈레이어상에형성되는시드레이어, 상기시드레이어상에필라형상으로형성되는나노와이어, 상기나노와이어상에컨포말하게형성되는유전막및 상기유전막상에형성되는전극막을포함한다.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 半导体装置可以包括基板，基板上的金属层，金属层上的种子层，种子层上的柱状的纳米线，保形地覆盖纳米线的电介质膜，以及电介质膜上的电极膜 。
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公开(公告)号：KR1020170009650A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：KR1020150101988
申请日：2015-07-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B20/10
CPC classification number: H04S7/301 , H04R5/02 , H04R27/00 , H04R29/007 , H04R2205/024 , H04R2227/003 , H04R2227/005 , H04R2420/07
Abstract: 오디오신호를처리하는방법및 장치가제공된다. 오디오신호를처리하는방법은, 제1 오디오신호를출력하는단계; 상기제1 오디오신호및 다른오디오신호처리장치에서출력되는제2 오디오신호를입력받는단계; 상기제1 오디오신호와상기제2 오디오신호로부터각각제1 동기화신호및 제2 동기화신호를감지하는단계; 상기제1 동기화신호와상기제2 동기화신호의입력시간차이를계산하여제1 동기오차를검출하는단계; 및상기제1 동기오차를기반으로동기화를수행하는단계를포함한다.
Abstract translation: 音频信号处理方法和用于基于音频信号之间的同步误差来同步音频的音频信号处理装置。
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公开(公告)号：KR101685021B1
公开(公告)日：2016-12-12
申请号：KR1020100077087
申请日：2010-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
Abstract: 반도체소자의제조방법을제공한다. 기판에도전성패턴을형성한다. 상기도전성패턴을노출하는콘택홀을가진절연층을형성한다. 상기콘택홀의측벽및 상기도전성패턴상에하부전극을형성한다. 상기하부전극상에저항성패턴을형성한다. 상기저항성패턴및 상기하부전극은상기절연층의상부표면보다낮다. 상기하부전극및 상기저항성패턴상에데이터저장플러그를형성한다. 상기데이터저장플러그는상기하부전극의측벽에정렬된제1 측벽및 상기저항성패턴의측벽에정렬된제2 측벽을갖는다. 상기데이터저장플러그상에비트라인을형성한다.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成具有自对准插塞的半导体器件的方法，以通过在半导体衬底上形成多个底部电极结构和数据存储插头来形成具有优异电特性的存储器件。 构成：形成具有接触孔的绝缘层。 底部电极（51R）形成在接触孔的侧壁上和导电图案上。 底部电极包括上部和下部，以便于L形的纵向截面。 电阻率图案（53R）形成在底部电极上。 底部电极和电阻率图形比绝缘层的上表面低。 在底部电极和电阻率图案上形成数据存储插头（61）。 在数据存储插头上形成位线（67）。
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公开(公告)号：KR101480292B1
公开(公告)日：2015-01-12
申请号：KR1020080024523
申请日：2008-03-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/1683 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1616
Abstract: 상변화막을 포함하는 반도체 소자의 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 개구부를 갖는 기판 상에 상변화막을 증착하는 단계 및 열 처리 공정에 의하여 개구부 외부에 위치한 상변화막의 일부가 개구부내로 이동되는 단계를 포함한다. 이때, 상변화막은 열 처리 공정의 공정 온도를 상변화막의 용융점 보다 낮추는 특정 원소를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140029134A
公开(公告)日：2014-03-10
申请号：KR1020130048530
申请日：2013-04-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03F1/0222 , H03F3/217 , H03F2200/03 , H04R3/00
Abstract: An audio device is disclosed. The audio device comprises: an envelope detector for detecting an envelope of an input audio signal; a power supply unit including a linear power supply and a switching mode power supply; an amplifier for amplifying the inputted audio signal; a control unit for controlling the power supply unit to supply to the amplifier by selecting one of the linear power supply or the switching mode power supply by comparing a voltage level of the detected envelope and a preset level; and an output unit for outputting the audio signal amplified by the amplifier. Therefore, the audio device is able to achieve optimum sound quality and high efficiency. [Reference numerals] (110) Envelope detector; (120) Power supply unit; (130) Amplifier; (140) Output unit; (150) Control unit
Abstract translation: 公开了音频设备。 音频设备包括：包络检测器，用于检测输入音频信号的包络; 电源单元，包括线性电源和开关模式电源; 用于放大所输入的音频信号的放大器; 控制单元，用于通过将检测到的包络的电压电平与预设电平进行比较，来选择线性电源或开关模式电源之一来控制供电单元供应给放大器; 以及输出单元，用于输出由放大器放大的音频信号。 因此，音频设备能够实现最佳音质和高效率。 （附图标记）（110）包络检测器; （120）电源单元; （130）放大器; （140）输出单元; （150）控制单元
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