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61.发明公开
公开(公告)号：KR1020130026912A
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：KR1020110090368
申请日：2011-09-06
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/004 , C07C15/62 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C15/62 , G03F7/004 , H01L21/027 , H01L21/0271
Abstract: PURPOSE: A hard mask composition, a patterning method using the same, and a semiconductor integrated circuit device are provided to improve the resistance against a multiple etching and to improve gap-filing property, and flatness. CONSTITUTION: A hard mask composition comprises a solvent and an aromatic ring-containing compound which includes a part indicated in chemical formula 1.
Abstract translation: 目的：提供硬掩模组合物，使用该掩模组合物的图案化方法和半导体集成电路器件，以提高对多次蚀刻的抵抗力并提高间隙归档性能和平坦度。 构成：硬掩模组合物包含溶剂和包含化学式1所示部分的含芳环的化合物。
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公开(公告)号：KR101212676B1
公开(公告)日：2012-12-14
申请号：KR1020080138788
申请日：2008-12-31
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 본발명에의한고분자, 고분자조성물, 레지스트하층막조성물은필름형성시 ArF(193nm), KrF(248nm) 등의 DUV(deep UV) 파장영역에서반사방지막으로서적합한범위의굴절률및 흡수도를가짐으로써, 레지스트와하층간의반사성을최소화할수 있으며, 리쏘그래픽기술수행시 에칭선택비가높고다중에칭에대한내성이충분하여, 패턴형상및 마진면에서우수한리쏘그래픽구조물을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR101174086B1
公开(公告)日：2012-08-14
申请号：KR1020080138789
申请日：2008-12-31
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 본 발명은 고분자, 고분자 조성물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 재료의 패턴화 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는다.
[화학식 1]
(상기 화학식 1에서, Ar
1 , Ar
2 및 Z
1 내지 Z
4 의 정의는 명세서에 기재된 바와 같다.)
본 발명에 의한 고분자, 고분자 조성물, 레지스트 하층막 조성물은 필름형성시 ArF(193nm), KrF(248nm) 등의 DUV(deep UV) 파장 영역에서 반사방지막으로서 적합한 범위의 굴절률 및 흡수도를 가짐으로써, 레지스트와 하층 간의 반사성을 최소화할 수 있으며, 리쏘그래픽 기술수행시 에칭 선택비가 높고 다중 에칭에 대한 내성이 충분하여, 패턴 형상 및 마진 면에서 우수한 리쏘그래픽 구조물을 제공할 수 있다.
리쏘그래픽, 반사방지, 하드마스크, 방향족 고리-
64.发明公开
公开(公告)号：KR1020120068378A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：KR1020100129982
申请日：2010-12-17
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/004 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/094 , H01L21/02112 , H01L21/0332 , G03F7/0045 , G03F7/004 , G03F7/0047 , G03F7/11 , H01L21/027 , H01L21/0271
Abstract: PURPOSE: A hard mask composition, a method for forming patterns using the same, and a semiconductor integrated circuit device including the same are provided to improve optical characteristic by securing resistance to multiple etching and resistance to etching gas. CONSTITUTION: A hard mask composition includes an aromatic ring-containing compound and a solvent. The aromatic ring-containing compound includes a structural unit represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, A is -CH- or a multi-valent aromatic ring; B is a substituted or non-substituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or non-substituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or non-substituted C6 to C30 arylene group, a substituted or non-substituted C3 to C30 cycloalkenylene group, a substituted or non-substituted C7 to C20 arylalkylene group, a substituted or non-substituted C1 to C20 heteroalkylene group, a substituted or non-substituted C2 to C30 heterocycloalkylene group, a substituted or non-substituted C2 to C30 heteroarylene group, a substituted or non-substituted C2 to C30 alkenylene group, a substituted or non-substituted C2 to C30 alkynylene group, a halogen group, or the combination of the same; and L is a single bond, a substituted or non-substituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or non-substituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or non-substituted C6 to C30 arylene group, a substituted or non-substituted C3 to C30 cycloalkenylene group, a substituted or non-substituted C7 to C20 arylakylene group, a substituted or non-substituted C1 to C20 heteroalkylene group, a substituted or non-substituted C2 to C30 heterocycloalkylene group, a substituted or non-substituted C3 to C30 heteroarylene group, a substituted or non-substituted C2 to C30 alkenylene group, a substituted or non-substituted C2 to C30 alkynylene group, or the combination of the same.
Abstract translation: 目的：提供硬掩模组合物，使用其形成图案的方法以及包含该图案的半导体集成电路器件，以通过确保对多次蚀刻和耐蚀刻气体的抵抗来改善光学特性。 构成：硬掩模组合物包括含芳环的化合物和溶剂。 含芳环的化合物包括由化学式1表示的结构单元。在化学式1中，A是-CH-或多价芳环; 取代或未取代的C 3〜C 30亚环烷基，取代或未取代的C 6〜C 30亚芳基，取代或未取代的C 3〜C 30亚环烯基， 取代或未取代的C 7至C 20芳基亚烷基，取代或未取代的C 1至C 20杂亚烷基，取代或未取代的C 2至C 30杂环亚烷基，取代或未取代的C 2至C 30亚杂芳基， 取代或未取代的C 2至C 30亚炔基，卤素基团或其组合;或未取代的C 2至C 30亚烯基，取代或未取代的C 2至C 30亚炔基， 取代或未取代的C 3〜C 30亚环烷基，取代或未取代的C 6〜C 30亚芳基，取代或未取代的C 3亚烷基，取代或未取代的C 3〜C 30亚环烷基， 取代或未取代的C 1 -C 20杂亚烷基，取代或未取代的C 2至C 30杂环亚烷基，取代或未取代的C 3至C 30亚芳基，取代或未取代的C 1 -C 20亚芳基， 取代或未取代的C 2至C 30亚烯基，取代或未取代的C 2至C 30亚炔基，或其组合。
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公开(公告)号：KR101156488B1
公开(公告)日：2012-06-18
申请号：KR1020080131135
申请日：2008-12-22
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 공중합체 및 상기 공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크 층 형성용 조성물에 관한 것이다.
[화학식 1]
(R1 은 C1~C4의 알킬 치환 또는 비치환된 알킬렌;
R2, R3, R7 및 R8은 서로 독립적으로 수소, 하이드록시, C1~C10의 직쇄, 분지쇄 또는 사이클릭 알킬, 알콕시 또는 C6~C20의 아릴 또는 이들의 혼합물;
R4, R5 및 R6는 서로 독립적으로 수소, 하이드록시, C1~C4의 알킬 에테르, 페닐디알킬렌 에테르 또는 이들의 혼합물;
R9은 알킬렌, 페닐디알킬렌, 하이드록시페닐알킬렌 또는 이들의 혼합물;
x,y는 A부분 내의 두 반복단위의 비율로서 0이상 1이하이며 x+y=1임; n은 1 내지 200의 정수이고 m은 1 내지 200의 정수임)
하드마스크 층, 에칭 선택비, 반사방지-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101156487B1
公开(公告)日：2012-06-18
申请号：KR1020080138773
申请日：2008-12-31
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 본 발명은 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법에 관한 것이다. 상기 방향족 고리 함유 중합체는 하기 화학식 1 및 2로 표시되는 반복단위를 포함하여 반사방지 특성, 및 에칭 선택비 특성이 매우 우수하다. 상기 방향족 고리 함유 중합체는 미세패턴의 형성을 위한 리쏘그래픽 공정에 유용하고, 스핀-온 도포 기법으로 도포 가능한 레지스트 하층막용 조성물에 사용될 수 있다. 본 발명의 중합체 및 조성물은 보다 짧은 파장을 이용한 리쏘그래픽 공정에 유용하고 최소 잔류 산 함량을 보유한다.
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 2에서 R
1 내지 R
7 , v, w, x, y 및 z의 정의는 명세서에 기 재된 바와 같다.
방향족 고리, 레지스트 하층막, 반사방지 특성-
67.发明公开칼릭스 알렌이 함유된 고 내에칭성 반사방지 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴화된 재료 형상의 제조방법 有权具有CALIXARENE的抗反射性能的高耐蚀HARDMASK组合物及其使用生产图案材料的方法
公开(公告)号：KR1020110013819A
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：KR1020090071458
申请日：2009-08-03
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: C07C39/17 , C08G8/10 , C08L61/06 , G03F7/004 , G03F7/0041 , G03F7/0045
Abstract: PURPOSE: A hardmask composition is provided to ensure high etching selectivity and enough resistance to multiple etching, and to minimize reflectivity between a resist and a backside layer. CONSTITUTION: A calixarene compound is represented by chemical formulas 1 or 2. An antireflective hard mask composition includes (a) a calixarene compound represented by chemical formulas 1 or 2, (b) initiator, and (c) organic solvent. The calixarene compound has an average molecular weight of 100~30,000. The initiator is one kind selected from the group consisting of peroxide, persulfate, and azo compounds.
Abstract translation: 目的：提供硬掩模组合物以确保高蚀刻选择性和足够的多次蚀刻电阻，并使抗蚀剂和背面层之间的反射率最小化。 组合物：杯芳烃化合物由化学式1或2表示。抗反射硬掩模组合物包含（a）由化学式1或2表示的杯芳烃化合物，（b）引发剂和（c）有机溶剂。 杯芳烃化合物的平均分子量为100〜30,000。 引发剂是选自过氧化物，过硫酸盐和偶氮化合物的一种。
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68.发明公开레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이 조성물을 이용한 소자의 패턴 형성 방법 有权用于耐下层的芳族环包含聚合物，包括其的抗蚀剂层的组合物，以及使用该方法制备装置的方法
公开(公告)号：KR1020110013332A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：KR1020100074307
申请日：2010-07-30
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/11 , C08G61/12 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08G61/127 , G03F7/0043 , H01L21/0273 , H01L21/0274
Abstract: PURPOSE: An aromatic ring-containing polymer for a resist lower film is provided to prevent the production of pollution due to an acid catalyst. CONSTITUTION: An aromatic ring-containing polymer for a resist lower film contains a unit structure of chemical formula 1. In chemical formula 1, R1 and R2 are independently hydrogen, an alkyl group of 1-10 carbon atoms, or an aromatic group; A is a functional group induced from aromatic ring-containing compound; and R3 and R4 are independently hydrogen, a hydroxy group, a low alkyl group of C1-C4, or an alkoxy group.
Abstract translation: 目的：提供用于抗蚀剂下膜的含芳环的聚合物，以防止由酸催化剂引起的污染。 构成：用于抗蚀剂下膜的含芳环的聚合物含有化学式1的单元结构。在化学式1中，R 1和R 2独立地为氢，1-10个碳原子的烷基或芳基; A是由含芳环的化合物引发的官能团; R3和R4独立地是氢，羟基，C1-C4的低级烷基或烷氧基。
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公开(公告)号：KR1020100080137A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080138773
申请日：2008-12-31
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: C08G61/02 , C08G61/10 , C08L65/00 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0047
Abstract: PURPOSE: An aromatic ring-containing polymer is provided to ensure enough resistance to multi-etching and etching selectivity and to minimize reflection between a resist and back layer. CONSTITUTION: An aromatic ring-containing polymer contains a repeat unit of chemical formulas 1 and 2. In chemical formula 1 and 2, R1-R7 are same or different and are independently selected from a group consisting of hydrogen, hydroxyl group, halogen group, substituted or non-substituted alkyl group, substituted or non-substituted aryl group, substituted or non-substituted hetero aryl group.
Abstract translation: 目的：提供含芳环的聚合物，以确保足够的耐多种蚀刻和蚀刻选择性，并使抗蚀剂和背层之间的反射最小化。 构成：含芳环的聚合物含有化学式1和2的重复单元。在化学式1和2中，R 1 -R 7相同或不同，独立地选自氢，羟基，卤素基， 取代或未取代的烷基，取代或未取代的芳基，取代或未取代的杂芳基。
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公开(公告)号：KR100930673B1
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：KR1020070136059
申请日：2007-12-24
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/091
Abstract: A polymer composition includes an aromatic ring-containing polymer represented by Formula 1: wherein m and n satisfy the relations 1≦̸m
Abstract translation: 的聚合物组合物包括由式1表示的含芳环的聚合物：其中m和n满足关系1安培; NLE; M＆LT; 190，0安培; NLE; N＆LT; 190，和1安培; NLE; M + N＆LT; 190。
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