公开(公告)号：KR1020110044360A

公开(公告)日：2011-04-29

申请号：KR1020090100982

申请日：2009-10-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변영태 ,  김선호 ,  이석 ,  우덕하 ,  김신근 ,  김경헌 ,  김수현

IPC: B82B3/00 ,  H01L21/027 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66477 ,  B82B3/0004 ,  B82B3/0038 ,  G01N27/3272 ,  G01N27/4145 ,  H01L29/78

Abstract: PURPOSE: The selective assembling method of a single-walled carbon nanotube and a method for manufacturing a field effect transistor with a single-walled carbon nanotube multichannel using the same are provided to prevent the dropping phenomenon of the carbon nanotube from the multichannel. CONSTITUTION: The surface of a substrate is processed into the hydrophilic property. One of natural oxide film, a thermal oxide film, a spin-on-glass-based oxide film, a PECVD-based oxide film, or LPCVD-based oxide film is deposited on the substrate. Single-walled carbon nanotube is selectively assembled with the surface of the oxide film, on the surface of which is processed. The selective arranged pattern of the single-walled carbon nanotube is formed using a photo-resist pattern.

Abstract translation: 目的：提供单壁碳纳米管的选择性组装方法和使用其的具有单壁碳纳米管多通道的场效应晶体管的制造方法，以防止来自多通道的碳纳米管的滴落现象。 构成：将基材的表面加工成亲水性。 天然氧化物膜，热氧化膜，旋涂玻璃基氧化物膜，PECVD基氧化物膜或LPCVD基氧化物膜之一沉积在衬底上。 单壁碳纳米管与氧化膜的表面选择性地组装，其表面被加工。 单壁碳纳米管的选择排列图案使用光刻胶图案形成。

公开(公告)号：KR1020110032466A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：KR1020090089968

申请日：2009-09-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변영태 ,  김선호 ,  이석 ,  전영민 ,  김신근 ,  김경헌 ,  김수현

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66477 ,  G03F7/162 ,  G03F7/422 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A selective assembled method of nano-materials by using only photolithography and a fabrication method of a nano-structure multichannel FET devices using thereof are provided to reduce a process step by enabling nano particles to be attached to a substrate through a photolithography and a solution process. CONSTITUTION: In a selective assembled method of nano-materials by using only photolithography and a fabrication method of a nano-structure multichannel FET devices using thereof, an oxide film(SiO2) is formed on a silicon substrate. A random PR pattern is formed on the oxide film through the photo lithography process(S110). A nano-material is absorbed to the surface of a sample through a solution process(S120). A photoresist pattern on the surface of the sample having the nano particles is removed(S130). A multichannel FET device is manufactured by using selectively patterned nano-material.

Abstract translation: 目的：提供通过仅使用光刻法的纳米材料的选择性组装方法和使用其的纳米结构多通道FET器件的制造方法，以通过使纳米颗粒通过光刻和 解决过程。 构成：在仅使用光刻法的纳米材料的选择性组装方法和使用其的纳米结构多通道FET器件的制造方法中，在硅衬底上形成氧化膜（SiO 2）。 通过光刻工艺在氧化膜上形成随机的PR图案（S110）。 通过溶液法将纳米材料吸收到样品的表面（S120）。 除去具有纳米颗粒的样品表面上的光刻胶图案（S130）。 通过使用选择性图案化的纳米材料制造多通道FET器件。

公开(公告)号：KR1020100081643A

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：KR1020090000960

申请日：2009-01-06

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이석 ,  변영태 ,  김선호 ,  우덕하 ,  전영민 ,  김신근 ,  김형석

IPC: H04W4/02 ,  H04W84/18 ,  H04W64/00 ,  H04W88/02

CPC classification number: H04W64/00 ,  H04W84/18 ,  H04W88/02

Abstract: PURPOSE: A system for measuring a position of a mobile device using a wireless short range communication is provided to measure the position of a mobile device by calculating the distance between devices based on the returning time of a wireless communication frame. CONSTITUTION: A position measurement sensor network includes a position detection unit and a position information server. The position detection unit detects a position of a wireless communication unit(10) located in a certain area by using short range wireless communication. The location information management server processes the position information data to create location information contents, and an output device outputs the location information contents.

Abstract translation: 目的：提供一种使用无线短距离通信来测量移动设备的位置的系统，用于通过基于无线通信帧的返回时间计算设备之间的距离来测量移动设备的位置。 构成：位置测量传感器网络包括位置检测单元和位置信息服务器。 位置检测单元通过使用短距离无线通信来检测位于特定区域中的无线通信单元（10）的位置。 位置信息管理服务器处理位置信息数据以创建位置信息内容，输出设备输出位置信息内容。

公开(公告)号：KR1020100025603A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：KR1020080084201

申请日：2008-08-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변영태 ,  김선호 ,  이석 ,  우덕하 ,  김수현

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/027 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L21/823456 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02603

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nano-wire multi-channel field effect transistor(FET) device is provided to improve current transferability and an electron mobility by arranging one nano-material per the unit channel of a nano-wire array through a solution process. CONSTITUTION: A nano-wire array is manufactured through a laser interference lithography process. A laser beam(10) is expanded through a pin hole to be coherent. The coherent laser beam is transformed into a parallel ray by a collimator(18). The coherency laser beam is arranged toward a lloyds mirror(13) and a sample holder(15) which are perpendicular each other. The nano-wire array self-assembles a nano-material through a solution process. A multi-channel FET device is manufactured using the self-assembled nano-wire.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造纳米线多通道场效应晶体管（FET）器件的方法，以通过在溶液过程中通过将纳米线阵列的单位通道布置一个纳米材料来改善电流转移性和电子迁移率 。 构成：通过激光干涉光刻工艺制造纳米线阵列。 激光束（10）通过针孔扩展成相干。 相干激光束被准直器（18）转换成平行光线。 相干激光束朝向相互垂直的劳合镜（13）和样品架（15）排列。 纳米线阵列通过溶液工艺自组装纳米材料。 使用自组装纳米线制造多通道FET器件。

公开(公告)号：KR100766027B1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：KR1020060008217

申请日：2006-01-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변영태 ,  송종한 ,  김선호

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/04

Abstract: 본 발명은 고에너지 이온 주입에 의한 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층과 그 제조방법에 관한 것으로서, 고에너지 이온 주입에 의한 밴드갭 파장 이동을 극대화할 수 있는 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층과, 이온 주입 및 열처리 공정의 최적화 등 양자우물 혼합 과정을 최적화하여 최소 100nm 이상의 밴드갭 파장 이동을 얻을 수 있는 에피박막층의 제조방법에 관한 것이다.
고에너지, 이온 주입, 격자 정합, 양자우물, 열처리, 무질서화, 밴드갭, 에피박막층, 활성층, 클래딩층, 보호층, 덮개층, 광전소자, 광집적회로, 반도체 레이저

公开(公告)号：KR100587519B1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：KR1020030023559

申请日：2003-04-15

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 전영민 ,  김재헌 ,  변영태 ,  이석 ,  우덕하 ,  김선호 ,  박민철

IPC: H01S3/10

Abstract: 본 발명은 편광유지 레이저 공진기를 이용한 펄스진폭 균일화방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 편광모드에 의한 불안정성이 없는 편광유지 레이저 공진기를 이용하여 광변조기 대역폭보다 높은 반복율의 레이저 펄스를 얻을 수 있는 유리 고조 모드록킹에서 발생하는 펄스진폭의 불균일성을 제거함으로써 추가적인 펄스진폭 균일화 장치 없이 기존 광변조기의 변조지수의 최적화만을 통하여 펄스진폭 균일화를 구현할 수 있는 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 편광유지 특성을 갖는 광학부품과 광섬유로 구성되는 레이저 공진기를 이용, 유리 고조 모드록킹을 하여 변조주파수의 정수배인 레이저 펄스열을 얻되, 상기 광학부품 중에서 광변조기에 인가하는 전기변조신호의 출력을 최적화하여 펄스진폭이 균일한 유리 고조 모드록킹된 펄스를 얻음을 특징으로 한다.
균일화, 유리 고조 모드록킹, 레이저 공진기, 편광유지

公开(公告)号：KR100537039B1

公开(公告)日：2005-12-16

申请号：KR1020030064638

申请日：2003-09-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김재헌 ,  김병채 ,  변영태 ,  전영민 ,  이석 ,  우덕하 ,  김선호 ,  이종창

IPC: G02F3/00

Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기의 이득포화현상 특성을 가지는 인버터 원리를 이용하여 전광 AND 논리소자를 구현하는 방법에 관한 것으로서, 하나의 반도체 광증폭기(SOA2)에는 일정한 주기의 클락신호(CLOCK)가 제1 조사신호로서 제1 펌프신호( )와 함께 입사되어 이득변조된 출력값(부울리안 )이 얻어지고, 다른 하나의 반도체 광증폭기(SOA1)에는 제2 조사신호( )와 함께 상기 이득변조된 출력값(부울리안 )이 제2 펌프신호로서 입사되어 AND 신호(

公开(公告)号：KR1020050090625A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：KR1020040015790

申请日：2004-03-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변영태 ,  김형권 ,  우덕하 ,  김선호 ,  우형주

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 실리콘 박막분리를 위한 표면기포 형성방법에 관한 것으로서 특히 스마트 컷(Smart-cut) 방법에 의해 SOI 웨이퍼가 제조될 때, 박막층 분리의 필수 조건인 수소에 의해 유기된 미세균열(microcrack)이 형성된 결과로서 나타나는 표면 기포가 형성되는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 SOI 기판의 박막 분리를 위한 표면기포 형성방법에 있어서, 제 1기판의 일정 두께를 열산화하는 제 1단계와; 상기 제 1기판의 열산화막 두께 보다 깊은 일정 깊이로 이온 주입하는 제 2단계와; 상기 이온 주입된 제 1기판을 제 2기판과 접합하는 제 3단계와; 상기 접합된 제 1 및 제 2기판을 300 ~ 600℃ 범위에서 10 ~ 30분 동안 열처리함으로써 미세균열에 의해 표면 기포가 형성된 이온 주입 박막을 분리하는 제 4단계; 및 상기 분리된 박막 표면을 연마하는 제 5단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면기포 형성방법을 제시한다.
따라서 본 발명은 스마트 컷(Smart-cut) 기술로 SOI 웨이퍼가 제조될 때, 열처리 시간의 감소와 표면 기포의 형성 여부로 박막분리의 여부를 결정함으로써 이온 주입된 실리콘 웨이퍼의 박막분리 공정 에러를 줄일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050035412A

公开(公告)日：2005-04-18

申请号：KR1020030071073

申请日：2003-10-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김영일 ,  윤태훈 ,  이석 ,  우덕하 ,  김선호 ,  김희중 ,  이관수 ,  김성규 ,  박민철 ,  손창완

IPC: G02B6/12

CPC classification number: G02F1/0955 ,  G02B6/2813 ,  G02F2001/212 ,  G02F2001/217

Abstract: 본 발명은 다중모드 간섭형(Multi-Mode Interference : MMI) 구조 및 자기 광학 물질로 이루어진 클래딩층 이용하여 광 진행시 발생하는 불필요한 반사광들을 제거하고 단길이 집적화가 가능한 MMI 구조의 집적 광 아이솔레이터를 구현하는 것으로서, 광의 진행방향에 따라 광학적 성질들이 변화하는 비가역적 위상변위 효과를 이용한다.
광도파로 형태의 광 아이솔레이터를 구현하기 위해서는 입력되는 광을 동일한 파워를 가지는 두개의 광도파로로 나눠야 한다. 즉, 광 아이솔레이터 소자의 길이를 줄이기 위해서는 입력광을 두개의 도파로로 분리하는데 필요한 길이가 짧아져야 한다. MMI 구조의 광도파로는 입력광을 두개의 도파로로 나누는데 필요한 길이가 마하 젠더 형태의 광도파로보다 훨씬 짧기 때문에 광 아이솔레이터 소자의 길이를 줄일 수 있게 된다. 또한 MMI 구조는 제작상의 허용오차가 크므로 제작이 용이한 장점을 가진다.

公开(公告)号：KR100459922B1

公开(公告)日：2004-12-04

申请号：KR1020020002911

申请日：2002-01-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박민철 ,  김창호 ,  한석기 ,  이석 ,  우덕하 ,  김선호 ,  강광남

IPC: H04N5/913

Abstract: PURPOSE: A watermark embedding method for a digital image by area division is provided to protect the CONSTITUTION: A watermark embedding method for a digital image by area division includes the steps of extracting a region of high semantic importance by region segmentation of an original image(1,2), embedding encoded watermark information to the extracted region(3), segmenting a partial region in which a user is interested in from the image in which the watermark is embedded(4), synthesizing the segmented partial area with a certain background image(5,6), and extracting the watermark from the synthesized image(7).

Abstract translation: 目的：提供一种通过区域分割的数字图像的水印嵌入方法，以保护数字图像。一种通过区域划分的数字图像的水印嵌入方法，包括以下步骤：通过原始图像的区域分割来提取高语义重要性的区域 1,2），将编码后的水印信息嵌入提取的区域（3），从嵌入水印的图像中分割用户感兴趣的部分区域（4），合成具有特定背景的分割的部分区域 图像（5,6），并从合成图像（7）中提取水印。