公开(公告)号：KR101945765B1

公开(公告)日：2019-02-11

申请号：KR1020160152812

申请日：2016-11-16

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김진상 ,  백승협 ,  김성근 ,  현도빈 ,  권범진 ,  최지원 ,  강종윤 ,  노임준

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L35/32

公开(公告)号：KR101907549B1

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：KR1020170057942

申请日：2017-05-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최정혜 ,  김성근 ,  박재홍

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/02

Abstract: 실시예들은제1 도전형반도체물질층및 상기제1 도전형반도체물질층상에수직적층된제2 도전형반도체물질층을포함하되, 상기제1 도전형반도체물질층과상기제2 도전형반도체물질층은 2차원물질층인것을특징으로하는발광진동수제어가가능한 2차원 PN 접합구조를갖는발광소자및 그제조방법에관련된다.

公开(公告)号：KR101891668B1

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：KR1020170095660

申请日：2017-07-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최지원 ,  송용원 ,  이현정 ,  김진상 ,  강종윤 ,  김성근 ,  백승협 ,  김상태 ,  이현석

IPC: G02B27/02 ,  G02B1/04 ,  G02C7/04 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/058 ,  H01M2/30

CPC classification number: G02B27/022 ,  G02B1/04 ,  G02C7/04 ,  H01M2/30 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/058 ,  H01M2220/30 ,  H01M2300/0068

Abstract: 유연한기판, 양극집전체, 양극, 고체상전해질, 음극, 음극집전체를포함하는전고상박막이차전지가장착된스마트웨어러블렌즈가개시된다. 해당전고상박막이차전지가장착된스마트웨어러블렌즈는안정적이고지속적인전원공급이가능하며, 자가방전률이매우낮다. 또한, 인체에거부감이극소화될수 있으며, 곡면을가지는렌즈특히콘텍트렌즈와같은초소형렌즈에적합하게사용될수 있다.

公开(公告)号：KR101884643B1

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：KR1020170085991

申请日：2017-07-06

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최지원 ,  김진상 ,  강종윤 ,  김성근 ,  백승협 ,  김상태 ,  조윤호

IPC: H01B1/02 ,  H01B5/14 ,  C01G19/00 ,  C03C17/36 ,  H01B13/00

Abstract: 투명전도성박막은 ZnSnO(여기서, x는 0

公开(公告)号：KR101831150B1

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：KR1020150159168

申请日：2015-11-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백승협 ,  정성진 ,  권범진 ,  김성근 ,  최지원 ,  강종윤 ,  현도빈 ,  김진상

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/12 ,  H01L35/32 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18

Abstract: 본발명은열전물성의재현성을향상시킴과함께열전소재의캐리어농도를선택적으로제어할수 있는냉간변형을이용한열전소재제조장치및 방법에관한것으로서, 본발명에따른냉간변형을이용한냉간변형을이용한열전소재제조방법은열전물질을용융, 냉각하여열전재료덩어리를제조하는단계; 열전재료덩어리에압력을가하는냉간변형을실시하여, 열전재료덩어리내부의캐리어농도를증가시키는단계; 및냉간변형이실시된열전재료를열간압출하여열전소재를제조하는단계;를포함하여이루어지는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101758146B1

公开(公告)日：2017-07-17

申请号：KR1020150110995

申请日：2015-08-06

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김진상 ,  백승협 ,  현도빈 ,  최지원 ,  강종윤 ,  김성근 ,  권범진 ,  정성진

IPC: H01L35/12 ,  H01L35/34 ,  H01L35/14 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18

Abstract: 본발명의실시예는혼합분말이되도록, 다결정의모재료와이종나노물질을용기에넣고분쇄하는단계및 혼합분말을소결시키는단계를포함하는이종나노입자를이용한열전물질제조방법에관련된다.

公开(公告)号：KR1020170004113A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：KR1020150094016

申请日：2015-07-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백승협 ,  김진상 ,  최지원 ,  강종윤 ,  김성근 ,  권범진 ,  김신익

IPC: G01L1/20 ,  G01L9/02 ,  G01Q60/24 ,  H01L21/66

Abstract: 본발명은제1 기판, 상기제1 기판상에형성되는제1 박막층, 상기제1 박막층또는제1 기판에압력을가하는나노구조물및 상기압력에의해상기제1기판과상기제1박막층사이의전류변화를감지함으로써상기압력을측정하는압력측정부를포함하는나노압력센싱소자및 이를이용한압력센싱방법을개시한다.

公开(公告)号：KR1020160136109A

公开(公告)日：2016-11-29

申请号：KR1020150069849

申请日：2015-05-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백승협 ,  김진상 ,  최지원 ,  강종윤 ,  김성근 ,  권범진 ,  권효진

IPC: H01L21/316 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은음이온의화학양론제어를통해투명성및 높은전기전도도특성을갖는단결정구조의주석질산화물박막및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른주석질산화물단결정박막의제조방법은스퍼터링공정을통해기판상에 SnON(0.35

公开(公告)号：KR101572614B1

公开(公告)日：2015-11-30

申请号：KR1020140100441

申请日：2014-08-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최지원 ,  윤석진 ,  김진상 ,  강종윤 ,  백승협 ,  김성근 ,  임해나 ,  류소연

IPC: H01B3/10 ,  H01B17/56

CPC classification number: B82Y40/00 ,  H01B3/10 ,  H01B17/56

Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는, 고유전율및 저유전손실을갖는나이오베이트유전체조성물및 이를사용하는나노시트박막을제공한다. KSrCuNbO(화학식 1) (상기식에서, x는 0

Abstract translation: 本发明提供了具有高介电常数和低介电损耗的铌酸盐电介质组合物，并由化学式1表示。此外，本发明提供了使用其的纳米片薄膜。 在化学式1中，x大于零且小于或等于0.7。

公开(公告)号：KR1020150124901A

公开(公告)日：2015-11-06

申请号：KR1020150058767

申请日：2015-04-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최지원 ,  강종윤 ,  강효민 ,  권범진 ,  김성근 ,  김진상 ,  백승협 ,  윤석진

IPC: H01B3/10 ,  C23C14/08

Abstract: 본발명은고유전율과낮은유전손실특성을갖는칼슘구리티타늄산화물기반의유전체박막및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른칼슘구리티타늄산화물기반의유전체박막은유전체박막이 CaCuTiO(0

Abstract translation: 本发明涉及具有高介电常数和低介电损耗特性的钙 - 铜 - 氧化钛基电介质薄膜及其制造方法。 根据本发明，通过将电介质薄膜与CaxCuyTizO_12（0