公开(公告)号：KR100498259B1

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：KR1020030023458

申请日：2003-04-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변영태 ,  박화선 ,  이석 ,  우덕하 ,  이종창

IPC: G02B6/13

Abstract: 본 발명은 높은 위상변조 효율을 갖는 InGaAsP/InP 리지(Ridge) 도파로 위상변조기의 에피박막층 제조방법에 관한 것이다. 특히, 1.55 ㎛ 파장에서 TE 모드의 위상변화가 역바이어스 전압에 선형 비례함과 동시에 높은 위상변조 효율을 갖도록 제작된 PpnN InGaAsP/InP 리지(ridge) 도파로 위상변조기에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, InGaAsP/InP 도파로 위상 변조기의 수직방향 광구속을 얻기 위한 에피 박막층 제조방법에 있어서, N
+ -InP(≥2×10
18 cm
-3 ) 기판 위에 0.25 두께의 N-InP(3 ×10
17 cm
-3 ) 제 1클래딩층을 형성하는 단계와; 상기 제 1클래딩층 위에 0.25 두께의 n-InGaAsP(1 ×10
17 cm
-3 ) 제 1도파로층과 0.25 두께의 p-InGaAsP(1 ×10
17 cm
-3 ) 제 2도파로층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 제 2도파로층 위에 0.75 두께의 P-InP(1 ×10
17 cm
-3 ) 제 2클래딩층과 0.25 두께의 P-InP(1 ×10
17 cm
-3 ) 제 3클래딩층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 제 3클래딩층 위에 0.2 두께의 p
+ -InGaAs(1 ×10
18 cm
-3 ) 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에피 박막층 제조방법을 제시한다.

公开(公告)号：KR100492480B1

公开(公告)日：2005-05-30

申请号：KR1020020065155

申请日：2002-10-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김영일 ,  윤태훈 ,  이석 ,  우덕하 ,  김선호 ,  김재헌 ,  변영태 ,  전영민 ,  박민철

IPC: G02F3/00

Abstract: 본 발명은 파장가변 전광 NOR 논리소자의 구현방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 EMILD 소자의 구조중 EAM 영역에 순바이어스를 인가하여 SOA의 특성인 이득포화를 유도함으로써 전광 NOR 논리소자를 구현하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 논리소자 구현방법은, EAM 영역의 전면에 AR 코팅을 하는 제1단계; DFB-LD 영역의 후면에 HR 코팅을 하는 제2단계; 상기 EAM 영역과 DFB-LD 영역이 서로 연결된 EMILD 소자의 EAM 영역에 두 입력신호 A와 B를 합쳐서 주입하여 이득포화를 일으키는 제3단계; 및 상기 DFB-LD 영역에서 나오는 CW 신호가 EAM 영역에 주입되어 EAM 영역에서 이득포화에 의해 변조되는 제4단계;를 포함하여 NOR의 논리를 가지고 출력되는 것을 특징으로 한다.
본원발명에 의하면, 파장가변 전광 NOR 논리소자를 구현하면서도 집적소자를 이용하였으므로, 종래의 구성보다 간단하여 시스템의 구성이 용이하고, 결합손실을 줄일 수 있어 증폭기와 같은 시스템 구성요소가 필요없다.

公开(公告)号：KR1020040091797A

公开(公告)日：2004-11-02

申请号：KR1020030025361

申请日：2003-04-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변영태 ,  김재헌 ,  전영민 ,  이석 ,  우덕하 ,  김선호 ,  이종창

IPC: G02F3/00

Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for producing an electro-optic NOR logic device are provided to produce a 10Gbit/s electro-optic NOR device using gain saturation characteristic of a semiconductor optical amplifier. CONSTITUTION: An apparatus for producing an electro-optic NOR device includes a pump signal generator, a scan signal generator, and a NOR producing unit. The pump signal generator uses an input signal pattern A and an input signal pattern B to generate the signal A+B corresponding to the sum of the input signal patterns and uses the signal A+B as a pump signal. The scan signal generator generates a clock signal from the input signal A and uses the clock signal as a scan signal. The NOR producing unit simultaneously inputs the scan signal and pump signal to a semiconductor optical amplifier in opposite directions.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电光NOR逻辑器件的装置和方法，以使用半导体光放大器的增益饱和特性来产生10Gbit / s的电光NOR器件。 构成：用于制造电光NOR装置的装置包括泵信号发生器，扫描信号发生器和NOR产生单元。 泵浦信号发生器使用输入信号模式A和输入信号模式B产生对应于输入信号模式之和的信号A + B，并使用信号A + B作为泵浦信号。 扫描信号发生器从输入信号A产生时钟信号，并使用时钟信号作为扫描信号。 NOR产生单元同时将扫描信号和泵浦信号输入到相反方向的半导体光放大器。

公开(公告)号：KR1020040089371A

公开(公告)日：2004-10-21

申请号：KR1020030023458

申请日：2003-04-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변영태 ,  박화선 ,  이석 ,  우덕하 ,  이종창

IPC: G02B6/13

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating epi-layer of an InGaAsP/InP ridge waveguide phase modulator having high phase modulation efficiency is provided to reduce the manufacturing cost and enhance the reliability by using a semiconductor including chemical compounds of a third and a fourth group. CONSTITUTION: A first cladding layer(20) of N-InP is formed on an N¬+-Inp substrate(10). A first waveguide layer(30) of n-InGaAsP and a second waveguide layer(40) of p-InGaAsP are formed on the first cladding layer sequentially. A second cladding layer(50) of P-InP and a third cladding layer(60) of P-InP are sequentially formed on the second waveguide layer. A p+-InGaAs electrode layer(70) is formed on the third cladding layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有高相位调制效率的InGaAsP / InP脊波导相位调制器的外延层的方法，以通过使用包括第三和第四组的化合物的半导体来降低制造成本并提高可靠性。 构成：N-InP衬底（10）上形成N-InP的第一覆层（20）。 n-InGaAsP的第一波导层（30）和p-InGaAsP的第二波导层（40）依次形成在第一覆层上。 P-InP的第二包层（50）和P-InP的第三包层（60）依次形成在第二波导层上。 在第三包覆层上形成p + -InGaAs电极层（70）。

公开(公告)号：KR1020040037732A

公开(公告)日：2004-05-07

申请号：KR1020020066339

申请日：2002-10-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김영일 ,  윤태훈 ,  이석 ,  우덕하 ,  김재헌 ,  김선호

IPC: G02F3/00

CPC classification number: G02F3/00 ,  G02B26/08 ,  G02F2/004

Abstract: PURPOSE: An all-optical memory device using an EMILD(Electro-absorption Modulator Integrated Laser Diode) structure is provided to measure optical bistability features by using an EMILD structure, and to realize an all-optical flip-flop function by using the measured features, thereby reducing cost. CONSTITUTION: A variable laser(100) selects a wavelength of an input light. A pattern generator(110) forms the input light as 'set' and 'reset' pattern optical signals. An optical attenuator(120) controls strength of the pattern optical signals. A circulator(130) determines a path of the pattern optical signals. A phase controller(140) is applied with the pattern optical signals, and controls phases. An EMILD(150) is applied with the pattern optical signals, and obtains optical bistability features. A wavelength variable filter(160) filters an output light signal, and obtains a selected wavelength signal only. An optical measurer(170) obtains all-optical flip-flop wavelength features by using the optical bistability features.

Abstract translation: 目的：提供使用EMILD（电吸收式调制器集成激光二极管）结构的全光存储器件，通过使用EMILD结构来测量光学双稳态特性，并通过使用测量特征实现全光触发器功能 ，从而降低成本。 构成：可变激光（100）选择输入光的波长。 图案生成器（110）将输入光形成为“设置”和“复位”图案光信号。 光衰减器（120）控制图案光信号的强度。 循环器（130）确定图案光信号的路径。 相位控制器（140）被施加图案光信号，并且控制相位。 EMILD（150）被应用于图案光信号，并获得光学双稳态特性。 波长可变滤波器（160）对输出光信号进行滤波，仅获得所选择的波长信号。 光学测量器（170）通过使用光学双稳态特征获得全光触发器波长特征。

公开(公告)号：KR100405940B1

公开(公告)日：2003-12-18

申请号：KR1020010010094

申请日：2001-02-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김대신 ,  이석 ,  강병권 ,  박윤호 ,  우덕하 ,  김재헌 ,  김선호

IPC: H01S3/136

Abstract: PURPOSE: A horizontal coupled type laser diode is provided to widen a variable wavelength range by using two active elements having different propagation constants. CONSTITUTION: A horizontal coupled type laser diode is formed by coupling horizontally the first resonator including a laser diode(100) with the second resonator including an optical amplifier(200). The optical amplifier(200) has a propagation constant which is different from the laser diode(100). The first electrode(110) and the second electrode(210) are installed in an upper end portion and a lower end portion of the laser diode(100) in order to apply current to the laser diode(100) and the optical amplifier(200), respectively. Active layers of the laser diode(100) and the optical amplifier(200) are formed by InGaAsP of a multiple quantum well structures.

Abstract translation: 目的：提供水平耦合型激光二极管以通过使用具有不同传播常数的两个有源元件来扩大可变波长范围。 组成：水平耦合型激光二极管通过将包括激光二极管（100）的第一谐振器与包括光放大器（200）的第二谐振器水平耦合而形成。 光放大器（200）具有与激光二极管（100）不同的传播常数。 第一电极（110）和第二电极（210）安装在激光二极管（100）的上端部分和下端部分中，以便将电流施加到激光二极管（100）和光放大器（200） ）， 分别。 激光二极管（100）和光放大器（200）的有源层由多量子阱结构的InGaAsP形成。

公开(公告)号：KR100383287B1

公开(公告)日：2003-05-12

申请号：KR1020000005620

申请日：2000-02-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강병권 ,  이석 ,  박윤호 ,  김선호 ,  우덕하 ,  김동환

IPC: H01S5/20

Abstract: PURPOSE: A semiconductor fiber amplifier integration type wavelength converter is provided to perform easily broadband wavelength conversion and control arbitrarily a width of an output signal by integrating a semiconductor fiber amplifier and a DFB laser. CONSTITUTION: A semiconductor fiber amplifier(100) has a predetermined gain fixed point and amplifies an input optical signal. A DFB(Distributed FeedBack) laser(110) has another gain fixed point and oscillates the amplified signal to a single wavelength. An electrical separator(120) separates electrically the semiconductor fiber amplifier(100) and the DFB laser(110). A buried active waveguide(130) has a multi-quantum well structure. A grating(140) is formed on the edge portion of the buried active waveguide(130) and reflects or transmits the light.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体光纤放大器集成型波长转换器，用于通过集成半导体光纤放大器和DFB激光器来执行容易的宽带波长转换并任意控制输出信号的宽度。 构成：半导体光纤放大器（100）具有预定的增益固定点并放大输入光信号。 DFB（分布式反馈）激光器（110）具有另一个增益固定点，并且将放大的信号振荡到单个波长。 电分离器（120）电分离半导体光纤放大器（100）和DFB激光器（110）。 埋入式有源波导（130）具有多量子阱结构。 光栅（140）形成在掩埋有源波导（130）的边缘部分上并反射或透射光。

公开(公告)号：KR100368789B1

公开(公告)日：2003-01-24

申请号：KR1020000005561

申请日：2000-02-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강병권 ,  이석 ,  박윤호 ,  김선호 ,  우덕하 ,  최원준 ,  변영태 ,  한일기 ,  김회종

IPC: G01B9/00

Abstract: PURPOSE: A method for measuring a sectional reflexibility of a field absorption type device is provided to measure easily an optical variable by using an optical current. CONSTITUTION: A lens type fiber(21) transfers a laser beam emitted from a variable wavelength laser(10). The laser beam passing through the lens type filter(21) is irradiated on a section of a device(15). A chopper(11) turns on or off the variable wavelength laser(10). An optical rotator(14) is formed at a position adjacent to a polarization controller(13) in order to control a path of the laser beam. An optical detector(16) is connected with the optical rotator(14) in order to measure a change of reflective intensity of a reflected beam. A lock-in amplifier(17) is connected with the chopper(11) in order to detect a modulated variable wavelength laser beam. A power supply(18) supplies power to each component. A voltage separator(18) separates a signal influence between the device(15) and the lock-in amplifier(17).

Abstract translation: 目的：提供一种用于测量场吸收型器件的截面反射率的方法，以通过使用光学电流容易地测量光学变量。 构成：透镜型光纤（21）传输从可变波长激光器（10）发射的激光束。 穿过透镜型滤波器（21）的激光束照射在装置（15）的一部分上。 斩光器（11）打开或关闭可变波长激光器（10）。 在与偏振控制器（13）相邻的位置处形成旋光器（14）以控制激光束的路径。 光检测器（16）与旋光器（14）连接以测量反射光束的反射强度的变化。 锁定放大器（17）与斩波器（11）连接以便检测调制的可变波长激光束。 电源（18）为每个组件供电。 电压分离器（18）分离装置（15）和锁定放大器（17）之间的信号影响。

公开(公告)号：KR1020010103086A

公开(公告)日：2001-11-23

申请号：KR1020010058131

申请日：2001-09-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김재헌 ,  변영태 ,  전영민 ,  이석 ,  우덕하 ,  김선호 ,  강광남

IPC: H03K19/14

CPC classification number: G02F3/00

Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기를 이용한 전광 ＸＯＲ 논리소자의 구현방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 반도체 광증폭기에 주입되는 전류와 입사되는 조사신호 및 펌프신호로 조절이 가능한 반도체 광증폭기의 인버터 특성을 이용하여 전광 XOR 논리소자를 구현할 수 있는 기술에 관한 것이다.
본 발명에 따른 XOR 논리소자의 구현방법은, 두개의 반도체 광증폭기에 펌프신호와 조사신호를 같이 입사시켜 상기 반도체 광증폭기의 이득포화와 파장변환에 의해 생기는 인버터 특성의 출력신호를 합하여 전광 XOR 논리소자의 동작특성을 얻음을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 반도체 광증폭기의 인버터 특성을 이용하여 전광 XOR 논리소자를 구현하기 때문에 광섬유에 기반을 둔 소자들보다 안정적이고 다른 논리소자와의 결합이 용이하며, 클록 신호를 만들어 줄 필요가 없으므로 논리소자의 규모 및 속도 제한이 크게 줄어드는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020010077667A

公开(公告)日：2001-08-20

申请号：KR1020000005620

申请日：2000-02-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강병권 ,  이석 ,  박윤호 ,  김선호 ,  우덕하 ,  김동환

IPC: H01S5/20

Abstract: PURPOSE: A semiconductor fiber amplifier integration type wavelength converter is provided to perform easily broadband wavelength conversion and control arbitrarily a width of an output signal by integrating a semiconductor fiber amplifier and a DFB laser. CONSTITUTION: A semiconductor fiber amplifier(100) has a predetermined gain fixed point and amplifies an input optical signal. A DFB(Distributed FeedBack) laser(110) has another gain fixed point and oscillates the amplified signal to a single wavelength. An electrical separator(120) separates electrically the semiconductor fiber amplifier(100) and the DFB laser(110). A buried active waveguide(130) has a multi-quantum well structure. A grating(140) is formed on the edge portion of the buried active waveguide(130) and reflects or transmits the light.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体光纤放大器积分型波长转换器，通过集成半导体光纤放大器和DFB激光器，轻松实现宽带波长转换和任意控制输出信号的宽度。 构成：半导体光纤放大器（100）具有预定的增益固定点并放大输入光信号。 DFB（分布反馈）激光器（110）具有另一个增益固定点，并将放大的信号振荡到单个波长。 电分离器（120）将半导体光纤放大器（100）和DFB激光器（110）电分离。 掩埋有源波导（130）具有多量子阱结构。 在掩埋有源波导（130）的边缘部分上形成光栅（140）并反射或透射光。