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公开(公告)号：KR100301116B1
公开(公告)日：2001-10-20
申请号：KR1019980052529
申请日：1998-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/82
Abstract: 본 발명은 양자점 구조를 갖는 화합물반도체 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판상에 다수의 유전체 박막 패턴을 형성하는 단계와; 상기 다수의 유전체 박막 패턴을 포함하는 기판의 노출된 영역상에 피라미드 형태의 버퍼층 및 장벽층을 차례로 형성하는 단계와; 상기 각각의 장벽층상에 Ga 드롭렛을 형성하는 단계와; 상기 Ga 드롭렛을 GaAs 양자점으로 전환시키는 단계와; 양자효과를 위해, 상기 기판에 열처리를 실시한 후, 상기 GaAs 양자점을 감싸는 보호층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 원하는 위치에 정렬시킨 양자점을 형성하는 양자점 구조(quantum dot)를 간단한 공정을 이용하여 제작하여 반도체 레이저(laser)와 같은 광소자나 트랜지스터 및 기억소자와 같은 전자소자에 이용할 수 있는 양자점 구조를 갖는 화합물반도체 기판의 제조 방법을 제안하고자 한다.-
公开(公告)号：KR100249774B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970062773
申请日：1997-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02502 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , Y10S438/962
Abstract: 별도의 리소그래피 공정을 이용하지 않으므로써 식각 공정에서 야기되는 결함(defect) 및 격자 불일치 물질의 응력을 이용함에 따른 물질의 구조 결함의 생성을 근본적으로 방지할 수 있는 고품위 GaAs 양자점을 CBE(Chemical Beam Epitaxy) 성장장치를 이용하여 성장하는 방법이 개시된다. 본 발명은 화합물반도체 기판상에 CBE 성장법을 이용하여 Ga의 원료물질을 과잉으로 공급하여 초미세 크기의 액상 Ga 상태인 Ga droplet을 형성하고, As의 원료물질인 AsH
3 (arsine)을 공급하여 상기 Ga droplet과 사전에 열 분해되어 공급된 상기 AsH
3 과의 화학반응을 통하여 화합물반도체 기판 상에 초 미세 단결정인 GaAs 양자점을 제작한다. 본 발명은 양자효과를 이용하는 반도체 레이저, 광 검출기, 고속소자 등의 제작에 매우 유용하게 사용할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100243388B1
公开(公告)日：2000-03-02
申请号：KR1019970063248
申请日：1997-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 인듐갈륨비소(InGaAs)/갈륨비소(GaAs) 양자세선(quantum wire)을 수직으로 적층(積層)시켜 양자효율을 증대시킬 수 있는 양자세선 구조를 제공한다. 본 발명에 의한 양자세선의 제조방법에 따르면 V-홈이 형성된 갈륨비소 기판상의 하부부분이 날카로운 형태를 가지는 V-홈이 형성되는 공정 조건으로 갈륨비소 장벽층을 형성하고, 그 위에 하부부분이 둥근 형태를 가지는 V-홈이 형성되는 공정조건으로 인듐갈륨비소 활성층을 복수회 교대로 성장하여 양자 세선을 제조한다. 이와 같은 방법에 의한 인듐갈륨비소(InGaAs)/갈륨비소(GaAs)의 적층 구조로 형성되는 양자 세선은 격자 부정합에 의한 스트레인 (strain)을 가지는 구조로서 양자세선 레이저 제작시 스트레인 효과에 의해 우수한 특성을 나타낸다.
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公开(公告)号：KR100228382B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019960062620
申请日：1996-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
CPC classification number: B25J18/025 , B25J1/08 , Y10S414/135 , Y10T74/18848 , Y10T74/20468 , Y10T403/32467
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
초 고진공용 선형이동장치
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
본 발명은 이동 축을 안테나 또는 낚시대 형태의 접히는 축을 사용하여 선형이동장치의 불필요한 후방 공간을 제거하여 공간을 효율적으로 활용할 뿐 아니라, 후방측으로 돌출하는 것을 제거하여 안전성을 확보한 초고진공용 선형 이동장치를 제공함에 그 목적이 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 횡측으로 관통된 공간부가 형성된 몸체; 상기 몸체의 공간부에 직각방향으로 관통되어 선형이동을 조정하는 회전 손잡이; 상기 몸체의 공간부 내에 장착되며, 회전손잡이의 축에 끼워져 연동하는 수단; 일단이 상기 몸체의 공간부의 소정위치에 삽입, 고정되며, 접고 펼치는 형태의 다단봉으로 형성된 가이드 로드; 일단은 상기 연동수단에 고정되며, 타단은 가이드 로드의 선단부에 고정되어 가이드 로드에 선형이동력을 제공하는 수단; 및 상기 가이드 로드의 외주면을 감싸며, 그의 선형이동에 따라 수축 및 팽창하는 밸로우즈 실을 포함하는 초고진공용 선형이동장치를 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
초고진공하에서 수축 및 팽창을 통한 선형이동제어를 수행하기 위한 것임.-
公开(公告)号：KR102152195B1
公开(公告)日：2020-09-07
申请号：KR1020160095728
申请日：2016-07-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778 , H01L33/00 , H01L29/861 , H01L21/02 , H01L21/8234 , H01L21/768
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160119324A
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：KR1020150046979
申请日：2015-04-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 본발명은상시불통형(normally-off) 질화물반도체소자를제공하기위한것이다. 특히, 본발명은기판표면에패턴된 유전체마스크를이용한선택성장방법을통해기존의건식식각공정을대체하는질화물반도체소자구조및 그제조방법을제공하기위한것이다. 이를위한, 본발명은제1 질화물층을사파이어기판에증착하는단계, 유전체마스크를상기제1 질화물층에패터닝하는단계상기유전체마스크상층에제2 질화물을패터닝하는단계및 상기제2 질화물을유기금속기상성장법을이용하여선택성장시키는단계를포함하는질화물반도체소자구조및 그제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020160024347A
公开(公告)日：2016-03-04
申请号：KR1020150074208
申请日：2015-05-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C23C16/30
Abstract: 세라믹코팅층의제조방법은 ZnS렌즈상에아연(Zn) 및제1 분자구조의황(S)을제공하고, 아연(Zn)과제1 분자구조의황(S)을가열하는것을포함하고, 제1 분자구조의황(S)을제공하는것은황(S)을포함하는칼코겐소스를증발시켜서제2 분자구조의황(S)을형성하고, 제2 분자구조의황(S)을분해하여서제2 분자구조보다더 적은황(S) 원자들을포함하는분자구조인제1 분자구조의황(S)을형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 制造陶瓷涂层的方法包括在ZnS透镜上提供第一分子结构的锌（Zn）和硫（S）的步骤，以及加热第一分子结构中的锌（Zn）和硫（S）的步骤 分子结构。 提供第一分子结构的硫（S）的步骤包括通过蒸发包括硫（S）的硫族化物源和形成硫（S）的步骤，形成第二分子结构的硫（S）的步骤， 通过溶解第二分子结构的硫（S），包括比第二分子结构少的硫（S）原子的第一分子结构。 本发明的目的是提供在低温下形成陶瓷涂层的方法。
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公开(公告)号：KR1020140102384A
公开(公告)日：2014-08-22
申请号：KR1020130015412
申请日：2013-02-13
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02505 , H01L21/0262 , H01L29/2003
Abstract: The present invention relates to an AlGaN template, a method of manufacturing the same, and a structure thereof. A method of manufacturing an AlGaN template according to one embodiment of the present invention includes a step of forming an AlN layer on a substrate; a step of forming a second AlyGa1-yN layer on a first AlxGa1-xN layer; and a step of forming a third AlzGa1-zN layer on the second AlyGa1-yN layer.
Abstract translation: 本发明涉及一种AlGaN模板，其制造方法及其结构。 根据本发明的一个实施方案的制造AlGaN模板的方法包括在衬底上形成AlN层的步骤; 在第一Al x Ga 1-x N层上形成第二Al y Ga 1-y N层的步骤; 以及在第二Al y Ga 1-y N层上形成第三Al z Ga 1-z N层的步骤。
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公开(公告)号：KR1020130037625A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：KR1020120023634
申请日：2012-03-07
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L2933/0091
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and a manufacturing method are provided to prevent the total reflection of the light generated from a light emitting layer by forming a buffer layer including a recess pattern on a light emitting layer, thereby improving optical extraction efficiency. CONSTITUTION: A light emitting layer(110) is formed on a first electrode layer(109). A second electrode layer(113) is formed on the light emitting layer. A buffer layer(108) having a recess pattern(106) is formed. The recess pattern increases the optical extraction efficiency of the light generated from the light emitting layer. The first and the second electrode layer include n-type gallium nitride and p-type gallium nitride. The buffer layer includes anti-polarity gallium nitride.
Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管及其制造方法，通过在发光层上形成包含凹凸图案的缓冲层，防止发光层产生的光的全反射，从而提高光提取效率。 构成：在第一电极层（109）上形成发光层（110）。 在发光层上形成第二电极层（113）。 形成具有凹部图案（106）的缓冲层（108）。 凹槽图案增加了从发光层产生的光的光学提取效率。 第一和第二电极层包括n型氮化镓和p型氮化镓。 缓冲层包括反极性氮化镓。
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公开(公告)号：KR1020120066438A
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020100127787
申请日：2010-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/068 , H01L29/66439 , H01L29/775 , H01L29/78696 , Y10S977/762
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to simplify a process by injecting impurities to a second nano wire to form a second source/drain area. CONSTITUTION: A substrate(100) includes a first top surface(T1), a second top surface, and a first vertical surface(P1). A first nano wire(110) is separated from the second top surface and is extended from the vertical surface. A second nano wire(112) includes a second impurity area. A gate electrode(116) is arranged on the first nano wire. A dielectric film(114) is interposed between the gate electrode and the first nano wire.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以通过将杂质注入到第二纳米线中以形成第二源极/漏极区域来简化工艺。 构成：衬底（100）包括第一顶表面（T1），第二顶表面和第一垂直表面（P1）。 第一纳米线（110）从第二顶表面分离并从垂直表面延伸。 第二纳米线（112）包括第二杂质区域。 栅电极（116）布置在第一纳米线上。 电介质膜（114）插入在栅电极和第一纳米线之间。
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