公开(公告)号：KR1020080052229A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：KR1020070054875

申请日：2007-06-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오명숙 ,  김호영 ,  홍선의 ,  정영준 ,  남은수

IPC: G01S13/04

Abstract: A laser radar including a micro-lens array is provided to enhance optical efficiency by making an optical detector increase the intensity of an optical signal received after being reflected on an object. A light source unit(210) generates an optical signal of a predetermined band. A light-transmitting optical lens(220) is formed on an optical path in order to emit an optical signal of the light source unit to a target(230). A light-receiving optical lens(240) is formed to collect the optical signal reflected on the target. An optical band pass filter(250) removes a wavelength except for a wavelength band included in the optical signal outputted from the light-receiving optical lens. A micro-lens array(260) collects the optical signal outputted from the optical band pass filter. An optical detector(270) detects the collected optical signal of the micro-lens array.

Abstract translation: 提供包括微透镜阵列的激光雷达，以通过使光学检测器增加在物体上反射之后接收的光信号的强度来提高光学效率。 光源单元（210）产生预定频带的光信号。 在光路上形成透光光学透镜（220），以将光源单元的光信号发射到目标（230）。 形成光接收光学透镜（240）以收集在目标上反射的光信号。 光带通滤波器（250）除去从受光光学透镜输出的光信号中包括的波长带以外的波长。 微透镜阵列（260）收集从光带通滤波器输出的光信号。 光检测器（270）检测所收集的微透镜阵列的光信号。

公开(公告)号：KR100802518B1

公开(公告)日：2008-02-12

申请号：KR1020060055228

申请日：2006-06-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍선의 ,  남은수

IPC: H03F3/45

Abstract: 본 발명은 피크 검출부를 이용한 이득 제어를 통해 다이내믹 레인지를 향상시킬 수 있도록 설계된 광통신용 트랜스임피던스 전치 증폭기에 관한 것으로, 광 수신기로부터 받은 입력 전류 신호를 증폭하는 증폭회로부와, 상기 증폭회로부로부터 신호를 전달받는 제 1 버퍼회로부와, 상기 제 1 버퍼회로부로부터 신호를 전달받아 상기 증폭회로부의 입력단자에 귀환시키는 귀환저항 및 상기 귀환저항과 병렬 접속된 트랜지스터를 포함하는 귀환회로부와, 상기 제 1 버퍼회로부로부터 신호를 전달받는 제 2 버퍼회로부와, 상기 제 2 버퍼회로부로부터 출력되는 신호에서 양 또는 음의 피크 신호를 검출하여 소정 시간 동안 유지하는 피크 검출부와, 상기 소정 시간 동안 상기 피크 검출부의 출력 결과에 따라 상기 귀환회로부의 합성 저항값을 조절하는 전압 조절부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 제안된 트랜스임피던스 전치 증폭기는 트랜스임피던스 전치 증폭기의 다이내믹 레인지를 향상시키며 포토 다이오드로 입력되는 광신호에 민감하지 않은 것을 특징으로 한다.
전치 증폭기, 광 수신기, 이득 제어, 피크 검출부

公开(公告)号：KR1020060031350A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：KR1020040080344

申请日：2004-10-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김호영 ,  남은수 ,  조경익 ,  김보우 ,  오명숙

IPC: G02B6/293

CPC classification number: H01S3/067 ,  H01S3/0675 ,  H01S3/07 ,  H01S3/0809 ,  H01S3/082 ,  H01S3/1055 ,  G02B6/29338

Abstract: Provided is a millimeter-wave band frequency optical oscillator that can be used as an oscillation frequency signal source for a millimeter-wave forwarded to wireless subscribers from a base station of a millimeter-wave wireless subscriber communication system for a next generation (e.g., fifth generation) ultra-high speed wireless internet service. A pair of an optical fiber amplifier and an optical fiber grating mirror is connected to each of input/output ports of a loop mirror in parallel, so that a dual mode laser resonator is formed which can make simultaneous oscillation in two laser modes suitable for each wavelength. Accordingly, it is possible to obtain a light source that is modulated to a ultra-high frequency (over 60 GHz) by a beat phenomenon between the two laser modes.

公开(公告)号：KR100559057B1

公开(公告)日：2006-03-10

申请号：KR1020040083336

申请日：2004-10-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오명숙 ,  김호영 ,  남은수

IPC: H01S3/10 ,  G02B5/18

Abstract: 본 발명은 무선 통신에서 요구되는 고주파 신호발생을 위한 밀리미터파 발진기에 관한 것으로, 고주파수를 가지는 밀리미터파 대역의 신호를 발생시키기 위해 일정 위상 관계를 갖는 두 파장이 생성되도록 겹쳐 새겨진 광섬유 회절격자와 광 검출기를 이용하여 밀리미터파 발진기를 제공함으로써, 위상 잠금을 위한 신호 처리 없이 보다 쉽게 밀리미터파 광원을 얻을 수 있는 효과가 있다.
광섬유 회절격자, 광 검출기, 밀리미터파 발진기, 맥놀이, 방향성 결합기, 종 레이저, 광원

Abstract translation: 本发明毫米波至毫米波叠加刻的光纤光栅和光探测器，以使两个波长产生具有恒定的相位关系，以产生具有由所述无线通信所需的振荡器的用于高频信号产生的高频率的一个频带的信号 毫米波振荡器可以更容易地获得，而不需要用于锁相的信号处理。

公开(公告)号：KR100497840B1

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：KR1020020083751

申请日：2002-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임종원 ,  김성일 ,  홍선의 ,  이희태 ,  남은수

IPC: H01L29/737

Abstract: 본 발명은 기판위에 복수의 층을 가진 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT : heterojunction bipolar transistor) 제조용 웨이퍼를 식각하여 위로부터 에미터, 베이스 및 콜렉터를 갖는 HBT를 제조하는 방법에 있어서, HBT 제조용 웨이퍼는 에미터 층 및 베이스층 사이에 에미터 층과는 다른 재질의 제1식각 정지층을 가지며, 콜렉터 층 및 서브 콜렉터층 사이에 콜렉터 층과는 다른 재질의 제2식각 정지층을 가지고, 콜렉터 층과 제1식각 정지층에 대하여 선택적 식각 능력을 가진 식각 용액을 사용하여 콜렉터층을 식각함으로써 베이스 금속 전극 하부에 언더컷(undercut)을 형성시키고, 그 후 제1식각정지층을 식각하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 HBT의 제조 방법, 그 방법에 제조된 HBT 및 상기 HBT의 제조에 사용될 수 있는 다층 웨이퍼에 관한 것이다. 본 발명에 따른 HBT는 제 2식각정지층을 이용하여 충분한 언더컷 확보로 인한 에미터 전극에 자기정렬된 베이스 금속 상에 콜렉터 금속 증착시 콜렉터 금속의 증착으로 인한 베이스 금속층의 두꺼워짐 및 에미터-베이스간의 거리 감소로 인하여 베이스 저항을 감소시키고, 제 1 식각정지층을 이용하여콜렉터 금속전극을 베이스 금속전극에 자기정렬시키므로써 베이스와 콜렉터간의 접합면적을 감소시켜 베이스-콜렉터의 기생 캐패시턴스를 감소시킬 수 있으며, 이로 인하여 고주파 특성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100444820B1

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：KR1020010047655

申请日：2001-08-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남은수 ,  임종원 ,  박민 ,  김해천

IPC: H01L31/12

Abstract: PURPOSE: A photodetector is provided to minimize a tunneling leakage current and improve the capability of a light receiving chip in which the photodetector and a hetero-junction bipolar transistor are integrated into a single chip, by smoothly transferring the charges generated in a light absorbing layer. CONSTITUTION: The first conductive layer of the first conductivity type is formed in a predetermined region on a substrate(40). A light absorbing layer(43) is stacked on the first conductive layer. The second conductive layer of the second conductivity type is stacked on the light absorbing layer. The third conductive layer are formed between the first conductive layer and the light absorbing layer and between the light absorbing layer and the second conductive layer, decreasing a lattice match and a potential energy band difference between the two stack layers to make photoelectrons flow smoothly.

Abstract translation: 目的：提供一种光电探测器，以最小化隧道泄漏电流，并通过将光吸收层中产生的电荷平稳地转移到光电探测器中，从而提高其中光电探测器和异质结双极晶体管集成到单个芯片中的光接收芯片的能力 。 构成：第一导电类型的第一导电层形成在衬底（40）上的预定区域中。 光吸收层（43）堆叠在第一导电层上。 第二导电类型的第二导电层堆叠在光吸收层上。 所述第三导电层形成于所述第一导电层与所述光吸收层之间以及所述光吸收层与所述第二导电层之间，减少所述两层叠层之间的晶格匹配和势能差，使光电子顺利流动。

公开(公告)号：KR100440431B1

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：KR1020020071501

申请日：2002-11-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성일 ,  임종원 ,  홍선의 ,  남은수

IPC: G02B6/12

Abstract: PURPOSE: A submount for electro optical device of a high speed electro optical module is provided to reduce the transmission loss and the reflection loss of the data by drastically reducing the parasitic effect remained at the peripheral of the wire bonding. CONSTITUTION: A submount for electro optical device of a high speed electro optical module includes a dielectric material(20), a pair of ground lines(22a,22c), a signal line(22b), a bias line(22d), a ground plane(28) and a via hole. The dielectric material(20) is in the shape of "L". The pair of ground lines(22a,22c), the signal line(22b) and the bias line(22d) are stacked on the top surface of the dielectric material(20) by using a co-planar waveguide-ground(CPW-G). The ground plane(28) is positioned inside of the dielectric material(20). And, the via hole is connected the ground lines(22a,22c) to the ground plane(28).

Abstract translation: 目的：提供一种高速电光学组件的电子光学装置的基座，通过大幅度降低导线键合周边残留的寄生效应，减少数据的传输损耗和反射损耗。 本发明提供一种高速电光学模块的电光学装置的基座，其包括介电材料20，一对接地线22a，22c，信号线22b，偏压线22d， 平面（28）和通孔。 介电材料（20）呈“L”形。 通过使用共面波导接地（CPW-G）将一对接地线（22a，22c），信号线（22b）和偏置线（22d）堆叠在介电材料（20）的顶表面上 ）。 接地平面（28）位于电介质材料（20）的内部。 并且，通孔将接地线（22a，22c）连接到接地平面（28）。

公开(公告)号：KR1020040053486A

公开(公告)日：2004-06-24

申请号：KR1020020080045

申请日：2002-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍선의 ,  임종원 ,  김성일 ,  이희태 ,  남은수

IPC: H03F3/45

Abstract: PURPOSE: A transimpedance amplifier for high-speed optical receiver is provided to enlarge a frequency band and lower the loss of the input/output reflection by performing an amplifying process twice and feeding back the amplified signal. CONSTITUTION: A transimpedance amplifier for high-speed optical receiver includes the first amplifier, the second amplifier, a feedback circuit, and a buffer. The first amplifier(110) is used for converting an optical current to a voltage and amplifying the converted voltage. The second amplifier(120) is used for amplifying an output of the first amplifier. The feedback circuit(130) feeds back an output of the second amplifier to the first amplifier. The buffer(140) buffers an output signal of the feedback circuit.

Abstract translation: 目的：提供一种用于高速光接收机的跨阻放大器，通过进行两次放大处理并反馈放大信号来放大频带并降低输入/输出反射损耗。 构成：用于高速光接收器的跨阻放大器包括第一放大器，第二放大器，反馈电路和缓冲器。 第一放大器（110）用于将光电流转换成电压并放大转换的电压。 第二放大器（120）用于放大第一放大器的输出。 反馈电路（130）将第二放大器的输出反馈到第一放大器。 缓冲器（140）缓冲反馈电路的输出信号。

公开(公告)号：KR1020040043282A

公开(公告)日：2004-05-24

申请号：KR1020020071501

申请日：2002-11-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성일 ,  임종원 ,  홍선의 ,  남은수

IPC: G02B6/12

Abstract: PURPOSE: A submount for electro optical device of a high speed electro optical module is provided to reduce the transmission loss and the reflection loss of the data by drastically reducing the parasitic effect remained at the peripheral of the wire bonding. CONSTITUTION: A submount for electro optical device of a high speed electro optical module includes a dielectric material(20), a pair of ground lines(22a,22c), a signal line(22b), a bias line(22d), a ground plane(28) and a via hole. The dielectric material(20) is in the shape of "L". The pair of ground lines(22a,22c), the signal line(22b) and the bias line(22d) are stacked on the top surface of the dielectric material(20) by using a co-planar waveguide-ground(CPW-G). The ground plane(28) is positioned inside of the dielectric material(20). And, the via hole is connected the ground lines(22a,22c) to the ground plane(28).

Abstract translation: 目的：提供高速电光模块的电子光学装置的底座，通过大大减少引线键合周边残留的寄生效应，减少数据的传输损耗和反射损耗。 构成：高速电光模块的电光装置用基座包括电介质材料（20），一对接地线（22a，22c），信号线（22b），偏置线（22d），接地 平面（28）和通孔。 电介质材料（20）为“L”形。 该一对接地线（22a，22c），信号线（22b）和偏置线（22d）通过使用共面波导 - 接地（CPW-G）堆叠在电介质材料（20）的顶表面上 ）。 接地平面（28）位于电介质材料（20）的内部。 并且，通孔将接地线（22a，22c）连接到接地平面（28）。

公开(公告)号：KR1020030092749A

公开(公告)日：2003-12-06

申请号：KR1020020030541

申请日：2002-05-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남은수 ,  김해천

IPC: H01L29/737

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/105

Abstract: PURPOSE: An optical receiver that selectively detects light of a specific wavelength is provided to selectively detect an optical signal of a specific wavelength and amplify a converted electrical signal by integrating a waveguide-type optical detector and an n+InP/p+InGaAs/n-InGaAs/n+InGaAsP heterojunction bipolar transistor(HBT) on a half-insulated InP substrate wherein the optical detector uses a quantum well structure as a light absorbing layer and the HBT amplifies an electrical signal converted by the optical detector. CONSTITUTION: A p+InGaAsP layer(202), an i-InGaAsP/i-InGaAsP layer(203) of a multi quantum well structure and an n+InGaAsP sub-collector layer(204) are stacked in a predetermined region on the half-insulated InP substrate(201). An n-InGaAs layer and a p+InGaAs base layer are stacked in a predetermined region on the n+InGaAsP sub-collector layer to transfer high speed current. An n+InP emitter layer and an n+InGaAs ohmic layer are stacked in a predetermined region on the p+InGaAs base layer. An emitter electrode(211) is formed on the n+InGaAs ohmic layer. A base electrode(212) is formed in a predetermined region on the p+InGaAs base layer. A collector electrode(213) is formed in a predetermined region on the n+InGaAsP sub-collector layer.

Abstract translation: 目的：提供选择性地检测特定波长的光的光学接收器，以选择性地检测特定波长的光信号，并通过集成波导型光学检测器和n + InP / p + InGaAs / n来放大转换的电信号 在半绝缘InP衬底上的InGaAs / n + InGaAsP异质结双极晶体管（HBT），其中光学检测器使用量子阱结构作为光吸收层，并且HBT放大由光学检测器转换的电信号。 构成：多量子阱结构的p + InGaAsP层（202），i-InGaAsP / i-InGaAsP层（203）和n + InGaAsP子集电极层（204）堆叠在一半的预定区域 - 绝缘InP衬底（201）。 在n + InGaAsP子集电极层上的预定区域中堆叠n-InGaAs层和p + InGaAs基层以传送高速电流。 在p + InGaAs基层上的预定区域中堆叠n + InP发射极层和n + InGaAs欧姆层。 在n + InGaAs欧姆层上形成发射电极（211）。 在p + InGaAs基层的规定区域形成有基极（212）。 集电极（213）形成在n + InGaAsP副集电极层的规定区域。