-
公开(公告)号：KR100238441B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019970055644
申请日：1997-10-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/45
Abstract: 본 발명은 공통 소스 구조와 CMOS 인버터 구조를 갖는 초고주파용 CMOS 저잡음 증폭기 회로에 관한 것이다. 본 발명의 초고주파용 CMOS 저잡음 증폭기 회로는 공통소스 구조를 갖는 nMOSFET 소자와, 상기 nMOSFET 소자에 바이어스를 인가하기 위한 바이어스회로와, 일단이 상기 바이어스회로 및 입력단자에 접속되고 타단이 상기 nMOSFET의 게이트에 접속된 입력정합용 제 1인덕터와, 일단이 상기 nMOSFET 소자의 소스에 접속되고 타단이 접지에 접속된 입력정합용 제 2인덕터와, 일단이 전원에 접속되고 타단이 상기 nMOSFET 소자의 드레인에 접속된 출력정합용 제 3인덕터와, 일단이 상기 제 3인덕터와 상기 nMOSFET 소자의 드레인 사이에 접속되고 타단이 둘째단에 접속된 출력정합용 제 1커패시터를 구비한 첫째단과, CMOS 인버터 구조를 갖는 nMOSFET 소자 및 pMOSFET 소자와, 일단이 상기 첫째단에 접속되고 타단이 pMOSFET 소자와 nMOSFET 소자의 게이트 사이에 접속되어 상기 pMOSFET 소� �� 및 상기 nMOSFET 소자에 바이어스를 인가하기 위한 저항과, 일단이 상기 저항에 접속되고 타단이 출력단자에 접속된 출력정합용 제 4인덕터와, 일단이 상기 저항과 상기 제 4인덕터 사이에 접속되고 타단이 접지에 접속된 출력정합용 제 2커패시터를 구비한 둘째단으로 이루어진다.
-
公开(公告)号：KR1019990085977A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019980018711
申请日：1998-05-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/62
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
본 발명은 소신호 선형화 장치에 관한 것임.
2. 발명이 해결하고자하는 기술적 요지
본 발명은 증폭된 소신호의 비선형 성분과 반대 위상을 갖는 비선형신호를 발생시켜, 증폭된 소신호의 비선형 성분을 제거하므로써, 소신호의 선형성을 향상시킬 수 있는 소신호 선형화 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
본 발명은, 외부로부터 문턱전압 보다 큰 제 1 직류 바이어스를 인가받아 비선형신호를 출력하는 적어도 하나의 비선형신호 발생수단; 상기 적어도 하나의 비선형신호 발생수단으로부터 전달된 비선형신호를 궤환하기 위한 궤환수단; 및 외부로부터 문턱전압 보다 큰 제 2 직류 바이어스를 인가받아 직류신호가 제거된 입력신호를 증폭하여 출력단으로 출력하고, 상기 궤환수단을 통해 궤환된 비선형신호를 위상이 반전된 상태로 증폭하여 상기 출력단으로 출력하여, 상기 출력단에서 비선형신호가 상쇄되도록 하는 증폭수단을 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 단말기 등에 송수신되는 소신호의 선형성을 향상시키는데 이용됨.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990079632A
公开(公告)日：1999-11-05
申请号：KR1019980012314
申请日：1998-04-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/40
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
본 발명은 소신호 선형화 장치에 관한 것임.
2. 발명이 해결하고자하는 기술적 요지
본 발명은 증폭된 소신호의 비선형 성분과 반대 위상을 갖는 비신호신호를 발생시켜 증폭된 소신호의 비선형 성분을 제거하므로써, 소신호의 선형성을 향상시킬 수 있는 소신호 선형화 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
본 발명은 외부로부터 문턱전압 보다 큰 제 1 직류 바이어스를 인가받아 직류신호가 제거된 입력신호를 증폭하여 출력단을 통해 출력하는 증폭수단; 및 상기 증폭수단과 병렬 연결되고, 외부로부터 문턱전압 보다 낮은 제 2 직류 바이어스를 인가받아 상기 증폭수단으로부터 출력된 증폭신호의 비선형 신호와 반대 위상을 갖는 비선형 신호를 상기 출력단으로 출력하여 두 비선형신호가 서로 상쇄되도록하는 적어도 하나의 비선형신호 상쇄수단을 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 소신호 또는 중간신호의 선형성을 향상시키는 이용됨.-
公开(公告)号：KR100211956B1
公开(公告)日：1999-08-02
申请号：KR1019960014321
申请日：1996-05-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 다층 금속배선 제조방법에 관한 것으로, 종래의 제조방법이 1차 배선, 비아 홀, 2차 배선의 순서로 진행하는 반면, 본 발명은 비아 홀 대신에 비아 기둥을 이용하며, 1차 배선과 비아 기둥을 하나의 금속도전층으로 금속막의 식각시 감광제와의 선택비 차이를 이요하여 한꺼번에 형성하며, 이어서 PECVD 산화막과 SOG 박막을 이용하여 1차 금속배선의 갭-채움과 평탄화를 수행하고 CMP 또는 애치백 등의 기술을 이용하여 비아기둥의 최상단면이 노출되고 완전히 평탄화가 이루어진 상태에서 2차 금속배선을 완성하는 것으로, 2차 금속배선 이전까지의 단계를 반복 수행함으로써, 다층 금속배선을 쉽게 가능토록 한다.
-
公开(公告)号：KR100198804B1
公开(公告)日：1999-07-01
申请号：KR1019960031376
申请日：1996-07-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/96
Abstract: 본 발명은 스피럴 인덕터(spiral inductor) 제조 방법에 관한 것으로 모놀리틱 고주파용 집적회로에 적용되는 스피럴 인덕터의 금속선이 지나갈 부분에 가는 홈(groove)을 등간격으로 형성하고 상기 등간격으로 형성된 홈안에 금속을 도포하므로써 기생 저항을 줄여 양호도(Q) 및 자기 공진 주파수를 크게할 수 있는 스피럴 인덕터 제조 방법이 개시된다.
-
公开(公告)号：KR1019980044524A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960062617
申请日：1996-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01F17/00
Abstract: 무선주파수 집적회로(Radio Frequency Integrated Circuits) 설계에서 임피던스 정합을 위해 사용되는 인덕터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 제공되는 집적형 인덕터 소자에 있어서는, 인덕터 배선 주위에 전극을 추가 배치하고, 기판과 전극 사이에 역전압을 인가하므로써, 기판 내부에 공핍층을 형성한다. 따라서 기판 변환이 이루어져 인덕터 금속선과 기판사이의 기생 커패시턴스를 감소시킴으로써 향상된 성능을 가진 인덕터를 제조할 수 있다. 본 발명은 또한 금속배선 및 패드를 가진 다른 반도체 소자에도 적용될 수 있다.
-
-
-
-
-
-
Search Results
67
records
(took 0.023 seconds)
