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公开(公告)号：KR1019950003859A
公开(公告)日：1995-02-17
申请号：KR1019930013359
申请日：1993-07-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/01
Abstract: 본 발명은 높은 광학적 온과 오프의 비율을 갖는 양자우물 구조를 조합한 초고속 광 스위칭 소자 구조에 관한 것으로, 종래의 GaAs 계열의 양자 우물구조는 비교적 높은 비율을 가지나, 광전자와 격자등에 의한 소멸시간에 의해 수 나노초 내지 수십 나노초의 광 스위칭 시간을 가지므로, 일반적인 초고속 전자소자의 속도보다 느린 스위칭 시간을 갖는 문제가 있는데에 따라서, 본 발명은 이 두개의 양자 우물구조를 이용하여 하나는 표백현상에 의한 은의 역의 역할을 하는 기능을 갖고, 다른 하나는 흡수기능을 주어 수 피코초 이내의 짧은 스위칭 시간을 갖는다.
상기 두개의 우물구조는 기판위에 Al
X Ga
1-X As층과 GaAs층이 교대로 되는 구조로서 스위칭의 효과는 조절광, 입사광, 투과광에 의해 동작되어 미래의 광통신과 광 컴퓨터인 정보통신 분야에 사용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019940011744B1
公开(公告)日：1994-12-23
申请号：KR1019910008667
申请日：1991-05-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: This invent is about the sample holder for CBE/ALE systems which is able easily to heat samples, to move toward all directions, and to rorate by 360 degree. The suggested sample holder is composed of a long manipulator (1) moving by 100 cm, a sample carrier holder (3), a sample fixing board (2), a heating plate (9), a reflecting plate (10), a fixed screws(11), a bearing (12), and a bevel gears (13) as shown in the figure, and is designed to increase the temperature of the sample fixing board to 200 through 1100 deg.C. This sample holder is useful especially when the compound semiconductor is grown epitaxially by CBE/ALE systems.
Abstract translation: 本发明涉及用于CBE / ALE系统的样品架，其能够容易地加热样品，向各个方向移动，并且360度旋转。 建议的样品架由100cm移动的长操纵器（1），样品载体保持架（3），样品固定板（2），加热板（9），反射板（10），固定 螺钉（11），轴承（12）和锥齿轮（13），并且被设计成将样品固定板的温度提高到200至1100℃。 当化合物半导体由CBE / ALE系统外延生长时，该样品保持器是有用的。
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公开(公告)号：KR1019940017023A
公开(公告)日：1994-07-25
申请号：KR1019920024320
申请日：1992-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
Abstract: 본 발명은 메사(mesa) 패턴이 형성된 기판을 사용하여 표면방출형 레이저 다이오드 소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에서 메사패턴을 형성하는 공정과, 메사패턴이 형성된 반도체 기판상에 식각중지층, n형 클래드층, 활성층, P형 클래드층 및 P형 콘택트층을 차례로 형성하는 공정과, P형 콘택트층 상에 소정 패턴의 포토레지스트를 형성한 다음 건식식각 마스크용 절연막을 형성하여 레이저 발진부분을 정의하는 공정과, 절연막을 마스크로 사용하여 식각중지층의 상면까지 식각하여 레이저 발진부분을 형성하는 공정과 레이저 발진부분의 P형 콘택트층의 상부에 P형 전극을 형성하고 아울러 이 레이저 발진부분과 대응하는 기판의 하부에 N형 전극을 형성하는 공정과, 메사패턴의 경사진 부분과 상하부의 일부분 상에 반사경을 형성한 공정을 포함한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020030094711A
公开(公告)日：2003-12-18
申请号：KR1020020031972
申请日：2002-06-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
Abstract: PURPOSE: An anti-guide type surface emitting laser and a method for manufacturing the same are provided to realize a high power with a low current at a single mode since the output light is small in size and it scarcely diverges, thereby reducing the manufacturing cost thereof. CONSTITUTION: An anti-guide type surface emitting laser includes a lower Bragg mirror layer(102), a resonance layer(103), a beam width control layer(113) and an upper Bragg mirror layer(109). The beam width control layer(113) formed on top of the resonance layer(103) includes a first thin film(104) defining the central portion as a current injection region, a second thin film layer(105) for generating an effective refraction index difference between the peripheral portion and the central portion and a third thin film(107) formed between the first thin film(104) and the second thin film(105). The lower Bragg mirror layer(102) is formed on a semiconductor substrate and the resonance layer(103) is formed on top of the lower Bragg mirror layer(102). The upper Bragg mirror layer(109) formed on top of the beam width control layer(113) has a step at a boundary between the edge portion and the central portion by the second thin film(105).
Abstract translation: 目的：提供反导型表面发射激光器及其制造方法，由于输出光的尺寸小，几乎不发散，因此以单模的低电流实现高功率，从而降低制造成本 它们。 反导型表面发射激光器包括下布拉格镜层（102），谐振层（103），光束宽度控制层（113）和上布拉格镜层（109）。 形成在谐振层（103）的顶部的光束宽度控制层（113）包括限定中心部分作为电流注入区域的第一薄膜（104），用于产生有效折射率的第二薄膜层（105） 周边部分和中心部分之间的差异以及形成在第一薄膜（104）和第二薄膜（105）之间的第三薄膜（107）。 下半布拉格镜层（102）形成在半导体衬底上，共振层（103）形成在下布拉格镜层（102）的顶部。 形成在光束宽度控制层113的顶部的上部布拉格镜层109通过第二薄膜105在边缘部和中央部之间的边界处具有台阶。
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公开(公告)号：KR100304369B1
公开(公告)日：2001-11-05
申请号：KR1019990052687
申请日：1999-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본발명은 InP 반도체기판위에 InAlAs, InGaAs, InP 등의에피층이길러진구조물을매우안정적이고도부드럽게식각할수 있는새로운활성이온식각법(RIE: Reactive Ion Etching)에관한것이다. 본발명에서제시하는 RIE 식각법은적절한비율의 BCl, Cl, CH, H혼합플라즈마를발생시킨후 적절한진공도에서식각을진행하는것이다. 본발명의특징적작용효과는 100℃이하의낮은온도에서도깨끗한식각이가능하며그렇기때문에용융점이낮은기존의포토리지스트도마스크물질로사용할수 있다는사실이다. 또한마스크물질로서일반적으로많이사용되는실리콘질화물(SiNx)의경우에도 InAlAs 식각속도의약 1/9에불과하다. 본발명의또 다른장점은 InAlAs, InGaAs, InP 세가지물질시스템에있어서거의비슷한식각속도를준다는점과식각면이매우부드럽다는점이다. 이러한장점을가진본 발명은앞으로수요가확대되고있는광통신용광소자의제작에있어서필수적인공정으로사용되어질 것이다.
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公开(公告)号：KR100280831B1
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：KR1019970046097
申请日：1997-09-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/40
Abstract: 본 발명은 여러 입력과 출력의 파장 채널로 광 신호의 경로차 없고 작은 손실의 초고속 광신호의 파장 분할 광 다중/역다중기에 관한 것이다. 종래 파장 분할 광 다중 /역다중기에서 광도파로 격자간의 경로차에 의한 광도파로의 굴곡등에서 벌생되는 빛의 손실을 막기 위한 본 발명은 광 다중역/다중기는 두 개의 동일한 구조의 광커플러가 광도파로 격자에 의해 연결되어 있고, 광도파로 격자는 중심 파장에서의 광의 진행 길이가 같아 서로 경로차가 없는 여러 개의 광도파로로 구성된다. 상기 각 광도파로는 파장에 따른 분산 특성이 다른 물질로 구성된 두 개의 광도파로의 결합으로 이루어 진다. 따라서, 본 발명의 광 다중/역다중기는 광도파로의 길이 차이를 이용하지 않고 광도파로의 분산 특성을 이용하므로 광도파로간의 경로차 없이 초고속 광 다중/역다중이 가능한 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100261274B1
公开(公告)日：2000-07-01
申请号：KR1019980004653
申请日：1998-02-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/2581 , H04B10/25
Abstract: PURPOSE: A waveguide type optical detector is provided to have a wavelength demultiplexing function and a filter function, so as to cancel optical loss and error factors, and to cancel unnecessary devices. CONSTITUTION: If a multiplex wavelength input unit(11) inputs transmitted optical signals of a multiple wavelength, and outputs the optical signals to an N times one multiplex wavelength divider(12). The N times one multiplex wavelength divider(12) divides the optical signals into N single wavelength optical signals, and outputs the divided single wavelength optical signals to optical waveguides(13). The optical waveguides(13) transmit the divided single wavelength optical signals, respectively. A wavelength filter(14) connected to the optical waveguides(13) filters the transmitted optical signals, and outputs the optical signals to N optical detectors(15). The optical detectors(15) detect the filtered optical signals and convert the optical signals into N electric signals, then output the electric signals.
Abstract translation: 目的：提供一种具有波长解复用功能和滤波功能的波导型光检测器，以消除光损耗和误差因素，并消除不必要的设备。 构成：如果复用波长输入单元（11）输入多个波长的透射光信号，并将光信号输出到N倍的多路分波器（12）。 N倍复用波分复用器（12）将光信号分割为N个单波长光信号，并将划分的单波长光信号输出到光波导（13）。 光波导（13）分别传输分开的单波长光信号。 连接到光波导（13）的波长滤波器（14）对所传输的光信号进行滤波，并将光信号输出到N个光检测器（15）。 光检测器（15）检测滤波后的光信号，并将光信号转换为N个电信号，然后输出电信号。
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