금속산화물 반도체 잉크 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
    61.
    发明公开
    금속산화물 반도체 잉크 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 有权
    金属氧化物半导体墨水组合物及其薄膜晶体管的制造方法

    公开(公告)号:KR1020130062478A

    公开(公告)日:2013-06-13

    申请号:KR1020110128712

    申请日:2011-12-05

    Abstract: PURPOSE: A metal-oxide semiconductor ink composition is provided to easily obtain printing processability by introducing a chemical additive, and to improve performance of a device. CONSTITUTION: A metal-oxide semiconductor ink composition comprises a metal cation precursor, a solvent, a stabilizer, and additives. The ratio of the additives to the solvent is 90:10-60:40. The amount of the metal cation precursor is 0.01-1.0 M. A manufacturing method of a thin film transistor comprises a step of forming a metal semiconductor thin film by spreading the metal-oxide semiconductor ink composition onto a substrate; and a step of heat-treating the metal semiconductor thin film at 100-600 °C.

    Abstract translation: 目的:提供金属氧化物半导体油墨组合物,通过引入化学添加剂容易地获得印刷加工性能,并提高装置的性能。 构成:金属氧化物半导体油墨组合物包含金属阳离子前体,溶剂,稳定剂和添加剂。 添加剂与溶剂的比例为90:10-60:40。 金属阳离子前体的量为0.01-1.0M。薄膜晶体管的制造方法包括通过将金属氧化物半导体油墨组合物铺展到基底上来形成金属半导体薄膜的步骤; 以及在100-600℃下对金属半导体薄膜进行热处理的步骤。

    탄소나노튜브 표면에 저차산화티타늄을 코팅하는 방법
    64.
    发明授权
    탄소나노튜브 표면에 저차산화티타늄을 코팅하는 방법 失效
    碳纳米管上低级二氧化钛的涂覆方法

    公开(公告)号:KR100798131B1

    公开(公告)日:2008-01-28

    申请号:KR1020060065119

    申请日:2006-07-11

    Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 표면에 저차산화티타늄을 코팅하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 습식환원법을 이용하여 탄소나노튜브 표면에서 저차산화티타늄 나노입자의 핵 생성과 동시에 성장을 유도하여 탄소나노튜브 표면에 균일하게 코팅하여, 전기전도도, 내화성 및 내구성이 우수하여 전계방출 소재용으로 적용이 용이한 탄소나노튜브 표면에 저차산화티타늄을 코팅하는 방법에 관한 것이다.
    저차산화티타늄 나노입자 코팅, 탄소나노튜브, 용액환원법

    저 HOMO 에너지 준위 유기반도체재료를 이용한 양자점발광소자
    65.
    发明授权
    저 HOMO 에너지 준위 유기반도체재료를 이용한 양자점발광소자 有权
    使用低HOMO有机半导体的量子点发光二极管

    公开(公告)号:KR100764847B1

    公开(公告)日:2007-10-09

    申请号:KR1020060028205

    申请日:2006-03-29

    Abstract: 본 발명은 저 HOMO 준위를 갖는 p-형 유기반도체 화합물을 양자점 활성층에 포함으로서 보다 효과적으로 정공을 주입하여 양자점 발광소자의 효율을 증대시킨 양자점 발광소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 애노드; 캐소드; 상기 애노드와 캐소드 사이에 구비되는 활성층;으로 이루어지며, 상기 활성층은 HOMO의 에너지 준위가 -5.5eV 이하인 p-형 유기반도체 화합물과 양자점으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
    양자점 발광소자, 정공이동보조층, 플루오르화 폴리(페닐렌비닐렌), HOMO

    변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터
    66.
    发明授权
    변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터 失效
    具有SU-8抗蚀剂的碳纳米管晶体管涂覆在电极中

    公开(公告)号:KR100692916B1

    公开(公告)日:2007-03-12

    申请号:KR1020050057443

    申请日:2005-06-30

    Abstract: 본 발명은 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 쉽게 패터닝이 가능한 네가티브 포토레지스트인 SU-8 을 탄소 나노튜브 트랜지스터의 전극부분에 코팅하여 탄소 나노튜브 트랜지스터에 안정적인 p 도핑을 유도하고, 바이오센서로 이용하기 위해 전극을 절연시킬 수 있도록 한 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터에 관한 것이다.
    이를 위해, 본 발명은 탄소나노튜브의 양단부에 각각 전기적으로 접촉되는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 탄소나노튜브 트랜지스터에 있어서,
    상기 전극에 포토레지스트, 저분자 자기조립막 및 기타 폴리머 중 어느 하나가 코팅되는 것을 특징으로 하는 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터를 제공한다.
    SU-8 네가티브 포토레지스트, 탄소 나노튜브, 트랜지스터, 저분자 자기조립막, 폴리머

    소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계금속 나노 졸의 미세라인 형성방법
    67.
    发明授权
    소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계금속 나노 졸의 미세라인 형성방법 有权
    用于喷墨法的表面改性ITO玻璃上的金属纳米溶胶微生物线的制备方法

    公开(公告)号:KR100620121B1

    公开(公告)日:2006-09-19

    申请号:KR1020040068606

    申请日:2004-08-30

    Abstract: 본 발명은 소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계 금속 나노 졸의 미세라인 형성방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 양이온 고분자 전해질 또는 비이온성 계면활성제를 사용한 적층기법(layer-by-layer)에 의하여 소수성 기판을 개질하여 친수화 시킴으로써 금속염 수용액에 고분자 전해질을 첨가하여 고분자-금속염 착체를 형성시킨 후 이를 환원제 처리하여 제조한 100 ㎚ 이하 크기의 고농도 수계 금속나노 졸을 이용하여 직접 잉크젯 기법으로 기판상에 미세라인을 형성할 수 있도록 한 소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계 금속 나노 졸의 미세라인 형성방법에 관한 것이다.
    고분자 전해질, 금속 나노 졸, 표면개질제, 소수성 기판

    구상 성형체의 제조 방법
    68.
    发明授权
    구상 성형체의 제조 방법 有权
    珠生产方法

    公开(公告)号:KR100577355B1

    公开(公告)日:2006-05-10

    申请号:KR1020040027592

    申请日:2004-04-21

    Abstract: 본 발명은 구상 성형체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 세라믹 또는 금속 분말이 유기 라디칼 모노머 용액 중에 분산된 고농도의 수계 슬러리(slurry)를 제조하고, 상기 수계 슬러리를 오일상에 균일하게 분산시켜 구형의 액적을 제조하여 겔화(gelation)시켜서 강도를 부여하고, 이를 하소 및 소결하는 공정으로 이루어진 구상 성형체의 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명에 의하면 구의 직경의 조절이 용이하여 직경이 1 ㎜ 이하인 구상 성형체를 제조할 수 있고, 오일상에 분산 후 겔화에 의하여 고화시키므로 찌그러짐이나 응집이 없는 진구에 가깝고 직경 분포가 좁은 구 형태로 성형할 수 있으며, 상기 겔화에 의하여 강도가 부여된 구를 하소 및 소결을 거쳐 밀도 및 강도가 높은 구상 성형체를 용이하게 대량으로 제조할 수 있다.
    구상 성형체, 수계 슬러리, 겔화, 고화

    구상 성형체의 제조 방법
    69.
    发明授权
    구상 성형체의 제조 방법 有权
    制造球形体的方法

    公开(公告)号:KR100576801B1

    公开(公告)日:2006-05-10

    申请号:KR1020040027593

    申请日:2004-04-21

    Abstract: 본 발명은 구상 성형체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 세라믹 또는 금속 분말이 유기 라디칼 모노머 용액 중에 분산된 고농도의 수계 슬러리(slurry)를 제조하고, 상기 수계 슬러리를 중합개시제와 계면활성제를 포함하는 오일상에 균일하게 분산시켜 구형의 액적을 제조하여 겔화(gelation)시켜서 강도를 부여하고, 이를 하소 및 소결하는 공정으로 이루어진 구상 성형체의 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명에 의하면 기존과는 달리 수계 슬러리가 아닌 오일상에 중합개시제와 계면활성제를 주입한 후 수계 슬러리를 분산시킴으로써, 오일상에 분산시키기 전 수계 슬러리의 저장시간이 길어져서 제조공정 중 불안요인이 제거되며, 상기 수계 슬러리의 겔화 방지를 위한 저온 제어장치가 필요없어 공정설비의 단순화를 달성할 수 있고, 전체적인 공정의 제어가 용이하면서, 제조된 구가 찌그러짐이나 응집이 없는 진구에 가깝고 직경 분포가 좁은 구 형태로 단시간에 성형할 수 있는 효과가 있다.
    구상 성형체, 수계 슬러리, 겔화

    Abstract translation: 本发明涉及一种生产球形模制品,和更具体地说,涉及一种陶瓷或金属粉末的方法包括将所述含水浆料(浆料)聚合引发剂和在制造表面活性剂,和水浆的高浓度分散在有机基团的单体溶液 通过将球状液滴均匀地分散在油相上而产生球状液滴,通过凝胶化而赋予强度,煅烧并烧结球状液滴,从而制造球状液滴的工序。

    팔라듐이 코팅된 탄소 나노튜브 수소센서
    70.
    发明公开
    팔라듐이 코팅된 탄소 나노튜브 수소센서 无效
    氢气传感器使用铂包覆碳纳米管

    公开(公告)号:KR1020050039016A

    公开(公告)日:2005-04-29

    申请号:KR1020030074363

    申请日:2003-10-23

    Abstract: 본 발명은 팔라듐이 코팅된 탄소 나노튜브 수소센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 수소를 선택적으로 흡착하여 해리시키는 촉매 금속인 팔라듐을 탄소 나노튜브 표면에 코팅하고 이를 수소센서의 전극 사이에 위치시킨 것으로써, 팔라듐이 수소분자를 수소원자로 해리시키고, 이때 해리된 수소원자가 탄소 나노튜브 표면에 흡착되면서 전자가 수소에서 탄소 나노튜브로 이동되어 탄소 나노튜브의 정공 (hole) 농도를 감소시키고 동시에 탄소 나노튜브의 전기전도도를 감소시켜 효과적이면서 고감도로 수소가스를 검출할 수 있는 팔라듐이 코팅된 탄소 나노튜브 수소센서에 관한 것이다.

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