Abstract:
PURPOSE: A metal-oxide semiconductor ink composition is provided to easily obtain printing processability by introducing a chemical additive, and to improve performance of a device. CONSTITUTION: A metal-oxide semiconductor ink composition comprises a metal cation precursor, a solvent, a stabilizer, and additives. The ratio of the additives to the solvent is 90:10-60:40. The amount of the metal cation precursor is 0.01-1.0 M. A manufacturing method of a thin film transistor comprises a step of forming a metal semiconductor thin film by spreading the metal-oxide semiconductor ink composition onto a substrate; and a step of heat-treating the metal semiconductor thin film at 100-600 °C.
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본발명은 a) 자가정렬분자전구체용액을제조하는단계; b) 상기전구체용액을유리및 세라믹기판에코팅하는단계; 및 c) 상기코팅된기판에전도성나노잉크를프린팅하는단계;를포함하는미세전도성패턴제조방법에관한것이다. 본발명에따른미세전도성패턴제조방법은기존의일반적인프린팅공정으로제조된미세전도성패턴의문제점인낮은접착성을해결하여패턴과기판간의부착성을증진시킬수 있다.
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본 발명은 a) 자가 정렬 분자 전구체 용액을 제조하는 단계; b) 상기 전구체 용액을 유리 및 세라믹 기판에 코팅하는 단계; 및 c) 상기 코팅된 기판에 전도성 나노 잉크를 프린팅하는 단계;를 포함하는 미세 전도성 패턴 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 미세 전도성 패턴 제조방법은 기존의 일반적인 프린팅 공정으로 제조된 미세 전도성 패턴의 문제점인 낮은 접착성을 해결하여 패턴과 기판간의 부착성을 증진시킬 수 있다.
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본 발명은 탄소나노튜브 표면에 저차산화티타늄을 코팅하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 습식환원법을 이용하여 탄소나노튜브 표면에서 저차산화티타늄 나노입자의 핵 생성과 동시에 성장을 유도하여 탄소나노튜브 표면에 균일하게 코팅하여, 전기전도도, 내화성 및 내구성이 우수하여 전계방출 소재용으로 적용이 용이한 탄소나노튜브 표면에 저차산화티타늄을 코팅하는 방법에 관한 것이다. 저차산화티타늄 나노입자 코팅, 탄소나노튜브, 용액환원법
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본 발명은 저 HOMO 준위를 갖는 p-형 유기반도체 화합물을 양자점 활성층에 포함으로서 보다 효과적으로 정공을 주입하여 양자점 발광소자의 효율을 증대시킨 양자점 발광소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 애노드; 캐소드; 상기 애노드와 캐소드 사이에 구비되는 활성층;으로 이루어지며, 상기 활성층은 HOMO의 에너지 준위가 -5.5eV 이하인 p-형 유기반도체 화합물과 양자점으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 양자점 발광소자, 정공이동보조층, 플루오르화 폴리(페닐렌비닐렌), HOMO
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본 발명은 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 쉽게 패터닝이 가능한 네가티브 포토레지스트인 SU-8 을 탄소 나노튜브 트랜지스터의 전극부분에 코팅하여 탄소 나노튜브 트랜지스터에 안정적인 p 도핑을 유도하고, 바이오센서로 이용하기 위해 전극을 절연시킬 수 있도록 한 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 탄소나노튜브의 양단부에 각각 전기적으로 접촉되는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 탄소나노튜브 트랜지스터에 있어서, 상기 전극에 포토레지스트, 저분자 자기조립막 및 기타 폴리머 중 어느 하나가 코팅되는 것을 특징으로 하는 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터를 제공한다. SU-8 네가티브 포토레지스트, 탄소 나노튜브, 트랜지스터, 저분자 자기조립막, 폴리머
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본 발명은 소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계 금속 나노 졸의 미세라인 형성방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 양이온 고분자 전해질 또는 비이온성 계면활성제를 사용한 적층기법(layer-by-layer)에 의하여 소수성 기판을 개질하여 친수화 시킴으로써 금속염 수용액에 고분자 전해질을 첨가하여 고분자-금속염 착체를 형성시킨 후 이를 환원제 처리하여 제조한 100 ㎚ 이하 크기의 고농도 수계 금속나노 졸을 이용하여 직접 잉크젯 기법으로 기판상에 미세라인을 형성할 수 있도록 한 소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계 금속 나노 졸의 미세라인 형성방법에 관한 것이다. 고분자 전해질, 금속 나노 졸, 표면개질제, 소수성 기판
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본 발명은 구상 성형체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 세라믹 또는 금속 분말이 유기 라디칼 모노머 용액 중에 분산된 고농도의 수계 슬러리(slurry)를 제조하고, 상기 수계 슬러리를 오일상에 균일하게 분산시켜 구형의 액적을 제조하여 겔화(gelation)시켜서 강도를 부여하고, 이를 하소 및 소결하는 공정으로 이루어진 구상 성형체의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 구의 직경의 조절이 용이하여 직경이 1 ㎜ 이하인 구상 성형체를 제조할 수 있고, 오일상에 분산 후 겔화에 의하여 고화시키므로 찌그러짐이나 응집이 없는 진구에 가깝고 직경 분포가 좁은 구 형태로 성형할 수 있으며, 상기 겔화에 의하여 강도가 부여된 구를 하소 및 소결을 거쳐 밀도 및 강도가 높은 구상 성형체를 용이하게 대량으로 제조할 수 있다. 구상 성형체, 수계 슬러리, 겔화, 고화
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본 발명은 구상 성형체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 세라믹 또는 금속 분말이 유기 라디칼 모노머 용액 중에 분산된 고농도의 수계 슬러리(slurry)를 제조하고, 상기 수계 슬러리를 중합개시제와 계면활성제를 포함하는 오일상에 균일하게 분산시켜 구형의 액적을 제조하여 겔화(gelation)시켜서 강도를 부여하고, 이를 하소 및 소결하는 공정으로 이루어진 구상 성형체의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 기존과는 달리 수계 슬러리가 아닌 오일상에 중합개시제와 계면활성제를 주입한 후 수계 슬러리를 분산시킴으로써, 오일상에 분산시키기 전 수계 슬러리의 저장시간이 길어져서 제조공정 중 불안요인이 제거되며, 상기 수계 슬러리의 겔화 방지를 위한 저온 제어장치가 필요없어 공정설비의 단순화를 달성할 수 있고, 전체적인 공정의 제어가 용이하면서, 제조된 구가 찌그러짐이나 응집이 없는 진구에 가깝고 직경 분포가 좁은 구 형태로 단시간에 성형할 수 있는 효과가 있다. 구상 성형체, 수계 슬러리, 겔화
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본 발명은 팔라듐이 코팅된 탄소 나노튜브 수소센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 수소를 선택적으로 흡착하여 해리시키는 촉매 금속인 팔라듐을 탄소 나노튜브 표면에 코팅하고 이를 수소센서의 전극 사이에 위치시킨 것으로써, 팔라듐이 수소분자를 수소원자로 해리시키고, 이때 해리된 수소원자가 탄소 나노튜브 표면에 흡착되면서 전자가 수소에서 탄소 나노튜브로 이동되어 탄소 나노튜브의 정공 (hole) 농도를 감소시키고 동시에 탄소 나노튜브의 전기전도도를 감소시켜 효과적이면서 고감도로 수소가스를 검출할 수 있는 팔라듐이 코팅된 탄소 나노튜브 수소센서에 관한 것이다.