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公开(公告)号：KR101846668B1
公开(公告)日：2018-04-09
申请号：KR1020160056093
申请日：2016-05-09
Applicant: 현대자동차주식회사 , 기아자동차주식회사 , 국민대학교산학협력단
CPC classification number: F16C17/042 , F16C39/02 , F16C2360/00
Abstract: 원판형상으로써외경이형성되고, 중앙부가타공되어내경이형성된쓰러스트(Thrust)플레이트; 쓰러스트플레이트의상면에방사상으로배치된복수의범프포일; 복수로구성되어각각의범프포일을덮는패널형상이고, 하면이범프포일의상단에접하는탑포일; 및쓰러스트플레이트의상면에방사상으로배치되며, 범프포일과이격되도록형성된복수의금속블록;을포함하는쓰러스트베어링이소개된다.
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公开(公告)号：KR1020180005004A
公开(公告)日：2018-01-15
申请号：KR1020160084838
申请日：2016-07-05
Applicant: 현대자동차주식회사
IPC: H01L29/16 , H01L29/24 , H01L21/02 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/047 , H01L21/26586 , H01L29/0684 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/4916 , H01L29/66068 , H01L29/861 , H01L21/02167 , H01L29/24 , H01L29/4236 , H01L29/66325 , H01L29/7393
Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체소자는 n+형탄화규소기판의제1면에위치하는 n-형층, 상기 n-형층에위치하며서로이격되어있는제1 트렌치및 제2 트렌치, 상기제1 트렌치의측면및 상기제2 트렌치의측면사이에위치하며, 상기 n-형층위에위치하는 n+형영역, 상기제1 트렌치의내부에위치하는게이트절연막, 상기제2 트렌치의내부에위치하는소스절연막, 상기게이트절연막위에위치하는게이트전극, 상기게이트전극위에위치하는산화막, 상기산화막, 상기 n+형영역, 및상기소스절연막위에위치하는소스전극, 그리고상기 n+형탄화규소기판의제2면에위치하는드레인전극을포함한다.
Abstract translation: 所述第一沟槽和第二沟槽，根据本发明位于所述n-型层的一个实施方式的半导体器件中的第一沟槽，位于n +型碳化硅衬底的第一表面上的n型层，并且彼此间隔开的 侧和设置定位在所述沟槽的侧面之间的第二内部的源极绝缘层和用于n +区设置在所述n-型层上的栅极绝缘膜，位于所述第一沟槽的内部，第二沟槽，其中 即在栅极形成的绝缘膜，氧化物膜，氧化膜，即在栅电极形成在n +型区上的栅电极，和设置在源极的绝缘膜上形成源电极，以及设置在n +型碳化硅衬底的第二表面上的漏电极 它包括。
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公开(公告)号：KR1020170126524A
公开(公告)日：2017-11-20
申请号：KR1020160056093
申请日：2016-05-09
Applicant: 현대자동차주식회사 , 기아자동차주식회사 , 국민대학교산학협력단
CPC classification number: F16C17/042 , F16C39/02 , F16C2360/00 , F16C17/047 , F16C27/02 , F16C2300/22
Abstract: 원판형상으로써외경이형성되고, 중앙부가타공되어내경이형성된쓰러스트(Thrust)플레이트; 쓰러스트플레이트의상면에방사상으로배치된복수의범프포일; 복수로구성되어각각의범프포일을덮는패널형상이고, 하면이범프포일의상단에접하는탑포일; 및쓰러스트플레이트의상면에방사상으로배치되며, 범프포일과이격되도록형성된복수의금속블록;을포함하는쓰러스트베어링이소개된다.
Abstract translation: 一种止推板，其外径形成为圆盘状，其中央部贯通形成内径， 径向设置在推力板的上表面上的多个凸块箔; 当一个面板状覆盖物是由多个凸块各自的箔片，在与凸块箔，顶部箔的上端接触的; 并且多个金属块沿径向设置在止推板的顶表面上并且与波箔片间隔开。
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公开(公告)号：KR1020170097810A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：KR1020160019048
申请日：2016-02-18
CPC classification number: H01M8/04201 , F16K1/2007 , F16K1/2021 , F16K1/22 , F16K31/043 , H01M8/04089 , H01M8/04149 , H01M8/04223 , H01M8/04228
Abstract: 본발명은연료전지시스템용공기밸브장치에관한것으로, 버터플라이타입의밸브를사용하면서연료전지시스템의정지시에공기통로(11)를완전밀폐시킬수 있게됨으로써연료전지시스템의내구성을크게향상시킬수 있도록된 것이다.
Abstract translation: 本发明的燃料涉及的电池系统中，空气阀装置，以便使用一个蝶形阀sikilsu通过如此sikilsu大大完全密封11在燃料电池系统的停止时空气通道提高了燃料电池系统的耐用性 这将花费。
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公开(公告)号：KR101755775B1
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020140176051
申请日：2014-12-09
Applicant: 현대자동차주식회사
CPC classification number: G01N33/0036 , G01N27/04 , G01N27/046 , H01M8/04686 , H01M8/0675 , H01M8/0687 , H01M2250/20 , Y02T90/32
Abstract: 본발명은황 화합물과같은공기의이물질또는불순물에의해오염된연료전지의화학필터의교체여부를판단할수 있도록하는연료전지필터오염감지장치를제공한다. 본발명의일실시예에따른연료전지필터오염감지장치는 1개이상의신호를송신하는신호송신부, 상기신호송신부로부터 1개이상의신호를수신하는신호수신부및 상기신호송신부및 상기신호수신부사이에구비되며, 화학반응에의해저항이가변될수 있는은 화합물이구비된저항부를포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种燃料电池过滤器污染检测装置，其允许能够确定更换化学过滤器的由异物或空气中的杂质，例如硫化合物的燃料电池污染是否。 根据本发明的一个实施方式的燃料电池过滤器污染检测装置包括：信号接收单元，用于从所述信号发射器，用于发送至少一个信号的信号传输单元接收至少一个信号，并且该信号发射器和信号接收器之间设置 并且设置电阻部分，该电阻部分可以通过化学反应改变其电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170070507A
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：KR1020150178098
申请日：2015-12-14
Applicant: 현대자동차주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/66 , H01L21/265 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7806 , H01L21/047 , H01L21/0495 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7813
Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체소자는 n+ 형탄화규소기판의제1면에위치하는 n- 형에피층, 상기 n- 형에피층에위치하며서로이격되어있는제1 트렌치및 제2 트렌치, 상기제1 트렌치의측면및 코너를감싸는 p형영역, 상기 p형영역과상기제1 트렌치및 상기제2 트렌치사이의상기 n- 형에피층위에위치하는 n+ 영역, 상기제2 트렌치내에위치하는게이트절연막, 상기게이트절연막위에위치하는게이트전극, 상기게이트전극위에위치하는산화막, 상기산화막위, 상기 n+ 영역위 및상기제1 트렌치내에위치하는소스전극, 그리고상기 n+ 형탄화규소기판의제2면에위치하는드레인전극을포함하고, 상기소스전극은상기제1 트렌치의하부에위치하는상기 n- 형에피층과접촉한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体器件包括位于n +型碳化硅衬底的第一表面上的n型外延层，位于n型外延层上并且彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽， 围绕第一沟槽的侧面和角部的p型区域，位于p型区域与第一沟槽和第二沟槽之间的n型外延层上的n +区域，位于第二沟槽内的栅极， 位于第一沟槽中的源电极以及位于栅绝缘膜上的栅电极，位于栅电极上，氧化物膜上，n +区上以及n +碳化硅衬底的第二表面上的氧化物膜 并且源电极与位于第一沟槽下方的n型发射极层接触。
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公开(公告)号：KR1020170070505A
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：KR1020150178095
申请日：2015-12-14
Applicant: 현대자동차주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L29/16 , H01L21/02 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/0619 , H01L29/0684 , H01L29/1608 , H01L29/78 , H01L29/7828
Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체소자는 n+ 형탄화규소기판의제1면에차례로위치하는제1 n- 형에피층및 제2 n- 형에피층, 상기제2 n- 형에피층에위치하며서로이격되어있는제1 트렌치및 제2 트렌치, 상기제1 트렌치의측면및 하부면둘러싸는 p형영역, 상기 p형영역과상기제2 n- 형에피층위에위치하는 n+ 영역, 상기제2 트렌치내에위치하는게이트절연막, 상기게이트절연막위에위치하는게이트전극, 상기게이트전극위에위치하는산화막, 상기산화막위, 상기 n+ 영역위 및상기제1 트렌치내에위치하는소스전극, 그리고상기 n+ 형탄화규소기판의제2면에위치하는드레인전극을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体器件包括顺序地设置在n +型碳化硅衬底的第一表面上的第一n型外延层和第二n型外延层， 第一沟槽和第二沟槽彼此间隔开，围绕第一沟槽的侧表面和底表面的p型区域，位于p型区域和第二n型区域上的n +区域， 位于栅绝缘膜上的栅电极，位于栅电极上的氧化物膜，位于氧化物膜上，位于n +区和第一沟槽中的源电极以及位于n +型碳化硅衬底上的栅电极 位于议程两侧的漏电极。
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公开(公告)号：KR1020170014635A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150108330
申请日：2015-07-30
Applicant: 현대자동차주식회사
IPC: H01L23/495 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/32245
Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체패키지는기판, 상기기판위에배치되어있는하부리드프레임, 상기하부리드프레임위에배치되어있는제1 반도체소자및 제2 반도체소자, 상기제1 반도체소자및 상기제2 반도체소자위에배치되어있는중간리드프레임, 상기중간리드프레임위에배치되어있는제3 반도체소자및 제4 반도체소자, 그리고상기제3 반도체소자및 상기제4 반도체소자위에배치되어있는상부리드프레임을포함하고, 상기제3 반도체소자및 상기제4 반도체소자는각각상기제1 반도체소자및 상기제2 반도체소자와중첩하고, 상기제1 반도체소자및 상기제2 반도체소자는상기하부리드프레임및 상기중간리드프레임과전기적으로접합되고, 상기제3 반도체소자및 상기제4 반도체소자는상기중간리드프레임및 상기상부리드프레임과전기적으로접합된다.
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公开(公告)号：KR101655153B1
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020140179659
申请日：2014-12-12
Applicant: 현대자동차주식회사
IPC: H01L29/72
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66719
Abstract: 본발명은반도체소자에관한것으로, 구체적으로온 저항을줄여전류의양을증가시킬수 있는반도체소자및 그제조방법에관한것이다. 이를위해, 본발명의일 실시예에따른반도체소자는 n+형탄화규소기판의일면에형성되는 n-형에피층; 상기 n-형에피층상에형성되는 n+ 영역; 상기 n-형에피층및 상기 n+ 영역을관통하는제1 및제2 트렌치; 상기제1 및제2 트렌치각각의내측에형성되는제1 및제2 게이트절연막; 상기제1 및제2 게이트절연막상에형성되는제1 및제2 게이트전극; 상기제1 및제2 트렌치중 하나의트렌치양측에형성되는 p형영역; 상기제1 및제2 게이트전극상에형성되는산화막; 상기 n+ 영역및 상기산화막상에형성되는소스전극; 및상기 n+형탄화규소기판의타면에형성되는드레인전극을포함하고, 상기제1 및제2 트렌치각각의양측에제1 및제2 채널이형성될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160056636A
公开(公告)日：2016-05-20
申请号：KR1020140157200
申请日：2014-11-12
Applicant: 현대자동차주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/16
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/7812
Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체소자는 n+형탄화규소기판의제1면에배치되어있는 n-형에피층, 상기 n-형에피층위에배치되어있는 p형영역, 상기 p형영역을관통하고, 상기 n-형에피층에배치되어있는트렌치, 상기 p형영역위에배치되어있으며, 상기트렌치의양쪽에각각배치되어있는 p+형영역, 상기트렌치와상기 p형영역및 상기 p+형영역사이에배치되어있는 n+형영역, 상기트렌치내부에배치되어있는게이트전극, 상기게이트전극과상기트렌치의내부측면및 하부면사이에배치되어있는제1 게이트절연막, 상기제1 게이트절연막및 상기게이트전극위에배치되어있는제2 게이트절연막, 상기 n+형영역, 상기 p+형영역및 상기제2 게이트절연막위에배치되어있는소스전극, 그리고상기 n+형탄화규소기판의제2면에배치되어있는드레인전극을포함하고, 상기제2 게이트절연막의상부면은상기 n+형영역및 상기 p+형영역의상부면과동일선상에위치한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的半导体器件，其可以减小单元电池的面积，包括：n型外延层，设置在n +型碳化硅衬底的第一表面上; 设置在所述n型外延层上的p型区域; 穿过p型区并设置在n型外延层上的沟槽; p +型区域，设置在p型区域上，分别设置在沟槽的两侧; 设置在沟槽与p型区域和p +型区域之间的n +型区域; 设置在沟槽中的栅电极; 设置在所述栅极电极与所述沟槽的内侧表面和下表面之间的第一栅极绝缘层; 设置在所述第一栅极绝缘层和所述栅电极上的第二栅极绝缘层; 设置在n +型区域上的源电极，p +型区域和第二栅极绝缘层; 以及设置在n +型碳化硅衬底的第二表面上的漏电极。 第二栅极绝缘层的上表面与n +型区域和p +型区域的上表面在同一条线上。
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