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    61.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE19947030A1

    公开(公告)日：2001-04-19

    申请号：DE19947030

    申请日：1999-09-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WIRTH RALPH ,  STREUBEL KLAUS

    IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00

    Abstract: Structured-surface light-emitting diode having a light generating layer and a relatively thick, transparent current-spreading layer, vertical structuring of the top surface of the current-spreading layer serves to improve the decoupling of light, while at the same time, a second electrical contact layer with a distributed, lateral structure operates to achieve substantially uniform coupling of electrical current into the current-spreading layer.

    Optoelektronisches Halbleiterbauteil
    62.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102014108188A1

    公开(公告)日：2015-12-17

    申请号：DE102014108188

    申请日：2014-06-11

    Applicant: OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LANGE STEFAN ,  STÖPPELKAMP VERA ,  JERMANN FRANK ,  BIEBERSDORF ANDREAS ,  WIRTH RALPH

    IPC: H01L33/50 ,  F21V9/40 ,  H01L33/52

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung. Mindestens ein Leuchtstoff (3) zur teilweisen oder vollständigen Umwandlung der Primärstrahlung in eine langwelligere Sekundärstrahlung, die im sichtbaren Spektralbereich liegt, ist dem Halbleiterchip (2) nachgeordnet. Weiterhin weist das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Filterstoff (4) zur teilweisen Absorption der Sekundärstrahlung auf. Der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) sind dabei innig mit dem Halbleiterchip (2) verbunden.

    Optoelektronische Vorrichtung
    63.
    发明专利
    Optoelektronische Vorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102008064149A1

    公开(公告)日：2010-07-01

    申请号：DE102008064149

    申请日：2008-12-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WIRTH RALPH ,  KLEIN MARKUS

    IPC: G05D25/02 ,  H05B44/00

    Abstract: Eine optoelektronische Vorrichtung zur Mischlichtabstrahlung in einem ersten und einem davon verschiedenen zweiten Wellenlängenbereich umfasst eine erste bzw. zweite Halbleiterlichtquelle (1, 2) mit einer ersten bzw. zweiten lichtemittierenden Diode (11, 21), die bei Anlegen eines ersten bzw. zweiten Stroms (41, 42) Licht mit einer ersten bzw. zweiten charakteristischen Wellenlänge im ersten bzw. zweiten Wellenlängenbereich und mit einer ersten bzw. zweiten Intensität abstrahlt, einen optischen Sensor (3) zur Umwandlung eines Teils (110, 510) des von den Halbleiterlichtquellen (1, 2) jeweils abgestrahlten Lichts in ein erstes bzw. zweites Sensorsignal (341, 342), und eine Regelungsvorrichtung (4) zur Regelung des ersten und zweiten Stroms (41, 42) in Abhängigkeit vom ersten und zweiten Sensorsignal (341, 342), wobei die charakteristischen Wellenlängen und Intensitäten des jeweils von der ersten und zweiten Halbleiterlichtquelle (1, 2) abgestrahlten Lichts eine erste bzw. eine davon verschiedene zweite Temperatur-, und/oder Strom- und/oder Alterungsabhängigkeit (931, 932, 941, 942) aufweisen, der optische Sensor (3) im ersten bzw. zweiten Wellenlängenbereich eine erste bzw. zweite wellenlängenabhängige Sensitivität aufweist, die an die erste und zweite Temperaturabhängigkeit (931, 932, 941, 942) angepasst sind, und die Regelungsvorrichtung (4) den ersten und zweiten Strom (41, 42) derart regelt, dass das erste zum zweiten Sensorsignal (341, 342) ein vorbestimmtes ...

    65.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008045028A1

    公开(公告)日：2010-03-04

    申请号：DE102008045028

    申请日：2008-08-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LINDER NORBERT ,  WIESMANN CHRISTOPHER ,  WIRTH RALPH ,  STANLEY ROSS ,  HOUDRE ROMUALD

    IPC: H01L33/00 ,  H01S5/12 ,  H01S5/20

    Abstract: A semiconductor chip is specified, comprising an active layer provided for emitting an electromagnetic radiation, and a two-dimensional arrangement of structural units, which is disposed downstream of the active layer in a main emission direction of the semiconductor chip. The structural units are arranged in an arbitrary statistical distribution. Such an arrangement of structural units makes it possible to realize a semiconductor chip having a directional emission characteristic.

    67.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102007049799A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：DE102007049799

    申请日：2007-10-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WIRTH RALPH

    IPC: G02B1/00 ,  G02B1/10 ,  G02B3/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56

    Abstract: An optoelectronic component comprising the following features is disclosed, at least one semiconductor body (1) provided for emitting electromagnetic radiation of a first wavelength range, an inner radiation-permeable shaped body (2), into which the semiconductor body (1) is embedded, a wavelength-converting layer (6) on an outer side (5) of the inner shaped body (2), said layer comprising a wavelength conversion substance (8) suitable for converting radiation of the first wavelength range into radiation of a second wavelength range, which is different from the first wavelength range, a coupling-out lens (10), into which the inner shaped body (2) and the wavelength-converting layer (6) are embedded, wherein the coupling-out lens (10) has an inner side enclosed by an inner hemisphere area having a radius Rconversion, and an outer side enclosing an outer hemisphere area having a radius Router, and the radii Rconverstion and Router meet the Weierstrass condition: Router>=Rconversion*nlens/nair, where nlens is the refractive index of the coupling-out lens and nair is the refractive index of the surroundings of the coupling-out lens.

    68.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102006051745A1

    公开(公告)日：2008-05-15

    申请号：DE102006051745

    申请日：2006-11-02

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HEIDBORN PETER ,  WIRTH RALPH ,  WINDISCH REINER

    IPC: H01L33/08

    Abstract: An LED semiconductor element including at least one first radiation-generating active layer and at least one second radiation-generating active layer which is stacked above the first active layer in a vertical direction and is connected in series with the first active layer, wherein the first active layer and the second active layer are electrically conductively connected by a contact zone.

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