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    Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips
    2.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102009018286A1

    公开(公告)日：2010-10-28

    申请号：DE102009018286

    申请日：2009-04-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RODE PATRICK ,  WIESMANN CHRISTOPHER ,  BAUR ELMAR ,  HEINDL ALEXANDER ,  BOEHM BERND

    IPC: H01L33/00

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben, mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Verbunds (3) von strahlungsemittierenden Halbleiterchips (310) mit einer Strahlungsauskoppelschicht (300), die auf einem III-Nitrid Halbleitermaterial basiert; - Bereitstellen eines Wafers (1), welcher eine strukturierte Oberfläche (11) aufweist; - Aufbringen eines Fotolacks (2) auf die Außenflächen der Strahlungsauskoppelschicht (300); - Strukturieren der der Strahlungsauskoppelschicht (300) abgewandten Oberfläche des Fotolacks (2) durch Abdrucken der strukturierten Oberfläche (11) des Wafers (1) in den Fotolack (2); - Anwendung eines Strukturierungsverfahrens (6) auf die strukturierte Oberfläche (21) des Fotolacks (2), wobei - die auf dem Fotolack (2) aufgebrachte Struktur zumindest stellenweise auf die Außenfläche der Strahlungauskoppelschicht (300) übertragen wird.

    3.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008045028A1

    公开(公告)日：2010-03-04

    申请号：DE102008045028

    申请日：2008-08-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LINDER NORBERT ,  WIESMANN CHRISTOPHER ,  WIRTH RALPH ,  STANLEY ROSS ,  HOUDRE ROMUALD

    IPC: H01L33/00 ,  H01S5/12 ,  H01S5/20

    Abstract: A semiconductor chip is specified, comprising an active layer provided for emitting an electromagnetic radiation, and a two-dimensional arrangement of structural units, which is disposed downstream of the active layer in a main emission direction of the semiconductor chip. The structural units are arranged in an arbitrary statistical distribution. Such an arrangement of structural units makes it possible to realize a semiconductor chip having a directional emission characteristic.

    RADIATION-EMITTING COMPONENTS FOR PRODUCING LINEARLY POLARIZED LIGHT
    4.
    发明申请
    RADIATION-EMITTING COMPONENTS FOR PRODUCING LINEARLY POLARIZED LIGHT 审中-公开
    辐射发射元件FOR GENERATING直线偏振光

    公开(公告)号：WO2009039804A2

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：PCT/DE2008001301

    申请日：2008-08-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WINDISCH REINER ,  ENGL KARL ,  WIESMANN CHRISTOPHER

    Inventor： WINDISCH REINER ,  ENGL KARL ,  WIESMANN CHRISTOPHER

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/44

    CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/38

    Abstract: A radiation-emitting component is provided, comprising a layer stack based on a semiconductor material, said layer stack having an active layer sequence (A, C1, C2) for producing electromagnetic radiation, characterized in that - on a last layer (C2) of the layer stack in the radiation direction (e) a plurality of metal surfaces (M) are applied, - the metal surfaces (M) have different dimensions (a1, a2) in a first direction (d1) and in a second direction (d2) different from the first, and - the metal surfaces (M) are disposed periodically in the first direction (d1) and periodically in the second direction (d2).

    Abstract translation: 它是基于半导体材料层堆叠，用于产生电磁辐射的有源层序列（A，C1，C2），其特征在于，上一个因子所指示的发射辐射的器件 - 层堆叠中的最后层（C2）上（在照射e方向 在第一方向（D1）的金属表面（M），以及它们中的一个是不同的尺寸（A1，A2）的不同的第二方向（D2），以及 - - ）的多个金属表面（M）被施加，金属表面（M） 周期性地在所述第一方向（D1），和定期在第二方向（D2）被布置。

    Optoelektronisches Bauelement, Modul mit mindestens zwei optoelektronischen Bauelementen und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
    6.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement, Modul mit mindestens zwei optoelektronischen Bauelementen und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102016224090A1

    公开(公告)日：2018-06-07

    申请号：DE102016224090

    申请日：2016-12-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BRICK PETER ,  STREPPEL ULRICH ,  WIESMANN CHRISTOPHER

    IPC: H01L33/50 ,  G03B15/05 ,  H01L33/58

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement aufweisend wenigstens einen Halbleiterchip (101, 201, 301, 401, 501, 601, 701, 801, 901) zur Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung, ein Konversionselement (102) zur zumindest teilweisen Umwandlung der vom Halbleiterchip (101, 201, 301, 401, 501, 601, 701, 801, 901) emittierten Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung, wobei das Konversionselement (102) dem Halbleiterchip (101, 201, 301, 401, 501, 601, 701, 801, 901) in Abstrahlrichtung nachgeordnet und auf dem Halbleiterchip (101, 201, 301, 401, 501, 601, 701, 801, 901) angeordnet ist, und ein dem Konversionselement (102) in Abstrahlrichtung nachgeordnetes optisches Element (104, 304, 704, 714, 804, 904), wobei das Konversionselement (102) in einzelne Teilstücke (103) unterteilt ist.Die vorliegende Erfindung betrifft des Weiteren ein Modul mit mindestens zwei optoelektronischen Bauelementen sowie ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements.

    Strahlungsemittierendes Bauelement mit organischem Schichtenstapel
    7.
    发明专利
    Strahlungsemittierendes Bauelement mit organischem Schichtenstapel 未知

    公开(公告)号：DE102013110024A1

    公开(公告)日：2015-03-12

    申请号：DE102013110024

    申请日：2013-09-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WIESMANN CHRISTOPHER ,  WEHLUS THOMAS

    IPC: H01L51/52 ,  F21V5/00

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement (1) mit einem organischen Schichtenstapel (2), der auf einem Substrat (4) angeordnet ist, angegeben, wobei – auf einer dem organischen Schichtenstapel zugewandten Seite des Substrats eine Auskoppelstruktur (5) angeordnet ist; – zwischen dem Substrat und der Auskoppelstruktur eine optische Zusatzschicht (3) angeordnet ist; und – die optische Zusatzschicht einen Brechungsindex aufweist, der kleiner als der Brechungsindex des Substrats ist, oder die optische Zusatzschicht einen winkelselektiven Spiegel bildet, der nur solches im organischen Schichtenstapel im Betrieb erzeugtes Licht passieren lässt, das an einer der organischen Schichtenfolge abgewandten Grenzfläche (40) des Substrats aus dem Substrat ausgekoppelt werden kann.

    OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG UND ANZEIGEEINRICHTUNG
    8.
    发明专利
    OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG UND ANZEIGEEINRICHTUNG 未知

    公开(公告)号：DE102016100063A1

    公开(公告)日：2017-07-06

    申请号：DE102016100063

    申请日：2016-01-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WIESMANN CHRISTOPHER ,  BRICK PETER

    IPC: F21V7/04 ,  G02B5/124 ,  G02F1/13357 ,  H01L25/075 ,  H01L33/58

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, umfassend: – einen Reflektor aufweisend eine Reflektorfläche, – ein beabstandet zur Reflektorfläche und der Reflektorfläche gegenüberliegend angeordnetes optisches Bauteil, – ein auf der Reflektorfläche angeordnetes lichtemittierendes Bauelement aufweisend eine lichtemittierende Fläche, – wobei das optische Bauteil mehrere unterschiedlich ausgebildete Reflexionselemente für eine Reflexion von von der lichtemittierenden Fläche emittierter elektromagnetischer Strahlung in Richtung der Reflektorfläche aufweist. Die Erfindung betrifft ferner eine Anzeigeeinrichtung.

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