公开(公告)号：FR2930840B1

公开(公告)日：2010-08-13

申请号：FR0852950

申请日：2008-04-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/146

公开(公告)号：FR2977978A1

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：FR1156322

申请日：2011-07-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： TUBERT CEDRIC ,  ROY FRANCOIS ,  MELLOT PASCAL

IPC: H01L31/0352 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

Abstract: L'invention concerne un procédé de transfert de charges photogénérées dans une portion (Ch1, Ch2, Ch3, Ch4) d'une couche semiconductrice délimitée par au moins deux tranchées parallèles (32A, 32B, 32C, 32D, 32E), chaque tranchée comprenant, dans sa longueur, au moins une première et une deuxième régions conductrices isolées entre elles et de la couche semiconductrice, comprenant la répétition d'une première étape de polarisation des premières régions conductrices à une première tension de façon à former une accumulation volumique de trous dans la partie de la portion située entre les premières régions, tandis que les deuxièmes régions conductrices sont polarisées à une deuxième tension supérieure à la première tension, et d'une deuxième étape de polarisation des premières régions à la deuxième tension et des deuxièmes régions à la première tension.

公开(公告)号：DE602007002018D1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：DE602007002018

申请日：2007-06-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: The sensor has a photodiode formed in a surface of a semiconductor substrate (14) and illuminated by a rear surface (44) of the substrate. A stack of insulating layers (34, 36, 38) covers the former surface, and conductive regions are formed on the stack. A transparent and insulating layer (60) covers the latter surface and is covered by a transparent and conductive layer (62). A polarization unit polarizes the conductive layer, where the conductive layer is formed with a base of metal oxide such as tin and indium oxide, and has a thickness lesser than 500 or 200 nanometers. An independent claim is also included for a method of fabrication of image sensors.

公开(公告)号：FR2910709B1

公开(公告)日：2009-06-05

申请号：FR0611097

申请日：2006-12-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: A method of manufacturing a photodiode sensor and an associated charge transfer transistor includes forming an insulation region on a substrate, forming the diode on a first side of the insulation region with the diode being self-aligned on the insulation region, and replacing the insulation region by a gate of the charge transfer transistor. The invention has particular utility in the manufacture of CMOS or CCD image sensors.

公开(公告)号：FR2897472A1

公开(公告)日：2007-08-17

申请号：FR0650536

申请日：2006-02-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FELLOUS CYRIL ,  HOTELLIER NICOLAS ,  AUMONT CHRISTOPHE ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un photodétecteur comprenant une photodiode (D) formée dans un substrat semiconducteur (1) et un élément de guide d'onde (G) constitué d'un bloc d'un matériau à haut indice (7) s'étendant verticalement à l'aplomb de la photodiode dans une couche épaisse d'un diélectrique (5) superposée au substrat, la couche épaisse étant au moins majoritairement constituée d'oxyde de silicium et le bloc étant constitué d'un polymère siloxane.

公开(公告)号：FR2894072A1

公开(公告)日：2007-06-01

申请号：FR0512155

申请日：2005-11-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  GIRAULT THOMAS

IPC: H01L31/0232 ,  H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant une cellule photosensible pourvue d'une face d'entrée, d'un élément photosensible et d'au moins deux éléments (100, 200) formant guide de lumière. Les deux éléments sont placés entre la face d'entrée et l'élément photosensible, le deuxième élément étant situé entre le premier élément et la face d'entrée. Les deux éléments guident la lumière provenant de la face d'entrée vers l'élément photosensible. Chaque élément formant guide de lumière comprend un volume intérieur comprenant au moins un premier matériau diélectrique et un volume extérieur comprenant au moins un second matériau diélectrique dont l'indice de réfraction optique est inférieur à celui du premier matériau. Le volume intérieur présente une première surface (101, 201) située du côté de l'élément photosensible, une deuxième surface (103, 203) située du côté de la face d'entrée et une surface latérale reliant ladite première surface et ladite deuxième surface et séparant les volumes intérieurs et extérieurs, le volume extérieur entourant le volume intérieur sur une partie au moins de la surface latérale. Les deux éléments du guide de lumière sont réalisés de manière que la première surface (201) du volume intérieur du deuxième élément a une superficie plus petite que celle de la deuxième surface (103) du volume intérieur du premier élément.

公开(公告)号：FR2880990A1

公开(公告)日：2006-07-21

申请号：FR0500408

申请日：2005-01-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： PRIMA JENS ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L31/02 ,  H01L21/60 ,  H01L27/14

Abstract: Dispositif semi-conducteur optique et procédé de fabrication d'un tel dispositif, comprenant, dans une zone (5), une structure de diodes photo-sensibles comprenant une matrice (6) d'électrodes inférieures (7), une couche intermédiaire (9) en un matériau photosensible formée sur ladite matrice d'électrodes inférieures et au moins une électrode supérieure (10a) formée sur ladite couche intermédiaire, dans lesquels des moyens de liaison électrique (3a) comprenant au moins un plot de contact électrique (7a) et au moins un plot de liaison électrique (16a) sont réalisés en dessous de ladite couche intermédiaire, au moins un via de connexion électrique (14) est réalisé au travers de ladite couche intermédiaire et relie ladite électrode supérieure audit plot de contact électrique et au moins un puits (15a) est formé à l'extérieur de ladite zone (5) et traverse au moins ladite couche intermédiaire (9) pour découvrir ledit plot de liaison électrique (16a).

公开(公告)号：FR2846147A1

公开(公告)日：2004-04-23

申请号：FR0212851

申请日：2002-10-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CAZAUX YVON ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/363 ,  H04N5/374 ,  H04N3/15

Abstract: The device is designed for controlling a photosensitive cell comprising a photodiode which can be discharged into the read mode (S) by the intermediary of a MOS transfer transistor. The device provides a signal (T) for controlling the gate of the transfer transistor so that at the low signal level the transfer transistor is nonconducting and at the high signal level the transfer transistor is conducting. The device also provides a signal for controlling the transition between two levels of a determined average slope. The device which is the last stage of a control circuit providing the charge-transfer control signal (T) in response to a control signal (C) comprises two complementary MOS transistors connected in series with one constant current source (I) in the first embodiment, or two constant current sources (I,I') in the second embodiment. The gates of the two transistors are connected together and receive the binary control signal (C). The control signal (T) has a finite slope between two levels, and a plateau intermediate between two levels. The duration (Td) of the transition can be adjusted by the intensity of the current provided by the constant current source and is greater than 50 ns; the maximum value is about 0.5 microsecond. The control signal (T) is output simultaneously to the gates of the transfer transistors of several photosensitive cells. The method (claimed) for controlling a photosensitive cell comprising a photodiode is implemented by the device (claimed).

公开(公告)号：FR2833408A1

公开(公告)日：2003-06-13

申请号：FR0116047

申请日：2001-12-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H04N5/335 ,  H01L27/144

Abstract: The invention concerns a photodiode comprising an upper junction PN (D1) formed on a top layer and an intermediate layer supported by a portion of a semiconductor substrate. A lower junction is formed between the intermediate layer and the substrate portion. The voltage activating direct conduction of the upper junction (D1) is lower than the voltage activating direct conduction of the lower junction (D2). The method consists in allowing storage of loads in the photodiode until activation of direct conduction of the upper junction so as to promote (F1) the recombination of carriers derived from the intermediate layer with carriers of the top layer.

公开(公告)号：FR2820883B1

公开(公告)日：2003-06-13

申请号：FR0101883

申请日：2001-02-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0352

Abstract: A monolithic photodetector including a photodiode, a precharge MOS transistor, a control MOS transistor, a read MOS transistor, and a transfer MOS transistor, the photodiode and the transfer transistor being formed in a same substrate of a first conductivity type, the photodiode including a first region of the second conductivity type formed under a second region of the first conductivity type more heavily doped than the first region, and above a third region of the first conductivity type more heavily doped than the substrate, the first region being the source of the second conductivity type of the transfer transistor, the second and third regions being connected to the substrate and being at a fixed voltage.