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公开(公告)号：CN1793936A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510107009.3
申请日：2005-09-30
Applicant: 冲电气工业株式会社
Inventor： 池上尚克
CPC classification number: B81B3/0051 , B81B7/0012 , B81B2201/0235 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P15/18 , G01P2015/084 , G01P2015/0842
Abstract: 本发明涉及一种用简单的制造方法提高耐冲击性的加速度传感器，该加速度传感器包括：挠性地支承锤固定部(13)的周边固定部(12)；固定在锤固定部(13)上的锤部(23)；为了与外壳底部(61)等传感器搭载部隔开规定间隔地配置该锤部(23)、而将周边固定部(12)固定在上述传感器搭载部上的台座部(21)；配置在与上述传感器搭载部对置的位置、用于限制锤部(23)位移的止动部(15)。在止动部(15)等上，利用分配器(dispenser)等，按一定量直接涂敷有固化性的弹性粘接剂(例如从液体固化为弹性体的硅类橡胶(50)等)。因此，施加在止动部(15)上的冲击力等通过弹性粘接剂吸收并抑制，加强了止动部(15)，提高了耐冲击性等的机械强度。
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公开(公告)号：CN1591023A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410043143.7
申请日：2004-05-12
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: B81B7/0051 , B81B2201/0235 , B81C2203/0109 , G01P1/026 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814
Abstract: 本发明提供一种防止外力引起的裂缝的传播并谋求减小加速度传感器相对半导体基片主面方向的尺寸的加速度传感器。加速度传感器(2)配备有半导体基片(6)、半导体基片(6)上设置的、加速度传感元件(3)及围绕该传感元件(3)的框架(8)、框架(8)上设置的中间层(34、36)、与中间层(34、36)接合用于密封加速度传感元件的封罩部分(5)。框架(8)及中间层(34、36)上，分别在相对于半导体基片(6)主面方向大致相同的位置上设置框状沟槽，并在整体上形成框状沟槽(38)。
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公开(公告)号：CN1564779A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN02819837.9
申请日：2002-08-02
Applicant: 惠普公司
Inventor： T·W·艾夫斯
CPC classification number: G01P15/08 , B81B3/007 , B81B2201/0235 , B81C2201/0143 , G01P2015/0817
Abstract: 一种形成于微机电系统的衬底内的微机电装置，包含一个质量元件，后者确定一个相关区域。此装置还包含一个支持梁，它将该质量元件支撑得与衬底隔开。此支持梁包含一个由与衬底相连的第一固定端和与质量元件相连的第一自由端确定的第一梁元件。支持梁还包含一个由与衬底相连的第二固定端和与质量元件相连的第二自由端确定的第二梁元件。这些梁元件彼此隔开。一个第一横向元件把第一梁元件和第二梁元件连起来。最好是支持梁包含多个横向元件。可以用两个这种支持梁按桥式结构支撑微机电装置中的一个质量元件。
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公开(公告)号：CN1508547A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN200310122386.5
申请日：2003-12-19
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: G01P15/18 , B81B3/0072 , B81B2201/0235 , B81B2203/0109 , B81B2203/051 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P2015/084
Abstract: 公开了一种即使受到一个在通常处理时可能产生的冲击，弹性支承臂也不断裂的结构的加速度传感器。这种加速度传感器具有一个块状部分、一个固定在块状部分上的块状部分顶片、一个包围块状部分的厚的矩形支承框架、一个固定在框架上的框架顶片、和四个将块状部分悬挂在框架中心的并桥接块状部分顶片和框架顶片的弹性支承臂。在块状部分侧表面和框架内表面上在支承臂的正下方形成横向槽。由于这些槽，块状部分顶片和框架顶片具有它们的粘结在块状部分/框架上的部分和它们的向支承臂凸出的部分。在粘结部分和凸出部分之间的边界处的横截面大于把凸出部分连接到支承臂上的横截面。因为由从外面施加的冲击在块状部分/框架上引起的应变不是直接传递到支承臂上，并且在具有大于支承臂的横截面积的凸出部分被释放，因此防止了弹性支承臂的断裂。
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公开(公告)号：CN1469100A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03138275.4
申请日：2003-05-30
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: G01B7/16
CPC classification number: G01P15/123 , B81B3/0021 , B81B3/0086 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , G01L9/0055 , G01P2015/0828 , Y10S977/956
Abstract: 本发明涉及机械形变量检测传感器。传感器构造体1由硅基片构成，通过对里面一侧的一部分进行各向异性刻蚀形成凹部3，备有矩形框状的支持部分1a、和占据支持部分1a的框内的薄的隔片2。玻璃制的台座4，其中设置用于将流体压力导入凹部3的压力导入孔5，与传感器构造体1的里面接合。在传感器构造体1的表面上在与隔片2两侧的周边部分的中央对应的位置上，为了跨在隔片2和支持部分1a的边界上而设置炭毫微管电阻元件61，62。与这些炭毫微管电阻元件61，62一起，将组成用于取出检测信号的电桥电路的用作基准的电阻元件63，64配置固定在支持部分1a的表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1446379A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN01813971.X
申请日：2001-06-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/84 , G01P15/125
CPC classification number: B81C1/00666 , B81B2201/0235 , B81C2201/0164 , B81C2201/0169 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , H01G4/33 , H01G5/16
Abstract: 本发明的目的在提供一种薄膜结构体及其制造方法，是关于使用半导体加工技术而形成的薄膜结构体及其制造方法，特别是构成半导体加速传感器的薄膜结构体及其制造方法，不仅可简便地进行薄膜体的应力控制，同时可很容易将薄膜体的膜厚予以加厚。为了达成上述目的，半导体加速传感器的质量体(3)、梁(7)及构成固定电极(5)的薄膜体(8)，是由多个的经掺杂的多晶硅薄膜(33，35)所构成，而该经掺杂的多晶硅薄膜(33，35)，则是薄由进行多次一边掺杂做为杂质的磷一边使多晶硅成膜的程序而层叠而成。
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公开(公告)号：CN109641741A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780053215.1
申请日：2017-07-05
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： J·克拉森
CPC classification number: B81C1/00309 , B81B3/0005 , B81B7/0051 , B81B7/0061 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81C1/00301 , B81C1/00325 , B81C1/00968 , B81C2201/0125 , B81C2201/0132 , B81C2201/0178 , B81C2201/112 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , H04R19/005 , H04R31/006
Abstract: 本发明涉及一种用于制造微机械传感器的方法(100)，所述方法具有以下步骤：提供具有MEMS衬底(1)的MEMS晶片(10)，其中，在所述MEMS衬底(1)中在膜片区域(3a)中构造限定数量的蚀刻沟，其中，所述膜片区域构造在第一硅层(3)中，该第一硅层以与所述MEMS衬底(1)隔开限定的间距的方式布置；提供罩晶片(20)；将所述MEMS晶片(10)与所述罩晶片(20)键合；并且通过所述MEMS衬底(1)的磨削构造通向所述膜片区域(3a)的介质入口(6)。
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公开(公告)号：CN109231153A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810959206.5
申请日：2018-08-22
Applicant: 深圳市奥极医疗科技有限公司
CPC classification number: B81B7/0058 , B81B2201/0235 , B81C1/00047 , B81C1/00261 , B81C1/00888 , B81C3/001 , G01P15/00
Abstract: 本发明提供一种微加速度传感器的芯片级封装结构，包括盖板单晶硅圆片、微加速度传感器结构，微加速度传感器结构上的金属引线通过盖板单晶硅圆片的凸点转移到盖板单晶硅圆片上，盖板单晶硅圆片下部的空腔通过圆片对准键与所述微加速度传感器结构形成一个密封的真空腔体结构，本发明的有益效果在于：采用圆片级封装将微加速度传感器进行封装组合，可以大大提高器件封装效率，封装后器件的体积也可以大大减小，并且封装后器件可以通过贴片的方式与外围电路连接，不需要采用金属管壳，封装成本亦可大大降低；同时，由于在芯片分割前，进行了封装，这就保护了器件的敏感元件不受后续工艺的影响，提高了器件的成品率。
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公开(公告)号：CN106145025B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201510849489.4
申请日：2015-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00293 , B81C2201/0112 , B81C2203/0145 , B81C2203/019 , B81C2203/0785
Abstract: 本发明的实施例提供了一种集成电路(IC)器件。该IC器件包括第一衬底，第一衬底具有前侧和背侧。背侧包括延伸至第一衬底内的第一空腔。介电层设置在第一衬底的背侧上，并且包括对应于第一空腔的开口以及远离开口横向延伸并且终止于气体入口凹槽处的沟槽。位于第一衬底的前侧中的凹槽从前侧向下延伸至介电层。凹槽具有邻接下部侧壁的基本垂直的上部侧壁，下部侧壁从基本垂直的侧壁至介电层上的围绕气体入口凹槽的位置处向内锥形化。共形密封剂层布置在第一衬底的前侧上方、沿着基本垂直的上部侧壁和沿着下部侧壁。密封剂层气密密封气体入口凹槽。
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公开(公告)号：CN108117035A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710511666.7
申请日：2017-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/0051 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C2201/0133 , B81C2203/032 , B81C2203/035 , B81C2203/0792
Abstract: 本申请涉及堆叠裸片间具有电触点的半导体集成器件及相应制造工艺。提供一种集成器件，其具有：第一裸片；第二裸片，沿着竖直轴以堆叠的方式耦合在该第一裸片上；耦合区域，安排在第一裸片与第二裸片的沿竖直轴面向彼此并位于与竖直轴正交的水平平面内的面对表面之间，耦合区域用于机械耦合第一裸片与第二裸片；电接触元件，由第一裸片和第二裸片的这些面对表面承载，这些电接触元件沿着竖直轴成对地对准；以及导电区域，安排在由第一裸片和第二裸片的这些面对表面承载的这些电接触元件对之间，这些导电区域用于电耦合第一裸片与第二裸片。支撑元件安排在第一裸片与第二裸片之间的至少一者的面对表面处并且弹性地支撑对应的电接触元件。
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