公开(公告)号：WO02051742A2

公开(公告)日：2002-07-04

申请号：PCT/DE2001/004692

申请日：2001-12-13

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0178

Abstract: The invention relates to a micromechanical component comprising: a substrate (1); a monocrystalline layer (10), which is provided above the substrate (1) and which has a membrane region (10a); a cavity (50) that is provided underneath the membrane region (10a), and; one or more porous regions (150; 150'), which are provided inside the monocrystalline layer (10) and which have a doping (n ; p ) that is higher than that of the surrounding layer (10).

Abstract translation: 本发明提供了一种具有衬底（1）的微机械部件; 一个所提供的单晶层（10），其具有隔膜部（10A）在所述衬底（1）的上方; 一个设置在所述空腔的膜区域（10a）的下面（50）; 包括周围相比增加掺杂的层（10）;（P <+>名词<+>）5;和一个或多个单晶层（10）的多孔区（150“150）内。

公开(公告)号：WO02036484A1

公开(公告)日：2002-05-10

申请号：PCT/DE2001/003839

申请日：2001-10-06

IPC: G01P15/125 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/036 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2203/0136

Abstract: The invention relates to the production of a micromechanical component, comprising a substrate (10), made from a substrate material with a first doping type (p), a micromechanical functional structure arranged in the substrate (10) and a cover layer for the at least partial covering of the micromechanical functional structure. The micromechanical functional structure comprises regions (15; 15a; 15b; 15c; 730; 740; 830) made from the substrate material with a second doping type (n), at least partially surrounded by a cavity (50; 50a-f) and the cover layer comprises a porous layer (30) made from the substrate material.

Abstract translation: 本发明提供具有与第一掺杂型（p）制成的基质材料构成的基板（10）上的微机械部件; 一个在设置于微机械功能结构的衬底（10）; 和用于至少部分地覆盖所述微机械功能结构的盖。 微机械功能结构包括区域（15; 830 15A; 15B; 15C; 730; 740），其通过一腔体（50; 50A-f）至少部分地用第二掺杂类型（n）的衬底材料的被包围，并且 覆盖层具有在基板材料的多孔层（30）。

公开(公告)号：WO02002458A1

公开(公告)日：2002-01-10

申请号：PCT/DE2001/001516

申请日：2001-04-20

IPC: G01L9/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/306 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0115 ,  G01L9/0045 ,  H01L21/3063

Abstract: The invention relates to a method for the production of a semiconductor component (100; ; 2200), in particular, a multi-layered semiconductor component, preferably a micromechanical component, such as, in particular, a pressure sensor, comprising a semiconductor substrate (101), in particular, made from silicon and a semiconductor component produced by said method. The invention particularly relates to the reduction of the production costs of such a semiconductor component by developing the method such that, in a first step, a first porous layer (104; 1001; 1301) is formed in the semiconductor component and, in a second step, a cavity or a cavern (201; 1101; 1201; 1401; 2101; 2201) is formed under, or from, the first porous layer (104; 1001; 1301) in the semiconductor component. Said cavity or cavern can be provided with an external entry opening.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法（100; ...; 2200）的多层半导体元件，优选为微机械部件，如尤其是具有半导体基板（101），如在特定的压力传感器由硅制成，特别地，和 的方法的根据制造的半导体器件。 特别是，为了降低这种半导体器件的制造成本，提出了发展该方法的效果，即在第一步骤中的第一多孔层（104; 1001; 1301）被形成在半导体器件中，而且在第二步骤中，空腔或腔 （201; 1101; 1201; 1401; 2101; 2201），或从所述第一多孔层（104; 1301; 1001）被形成在半导体器件中，其特征在于，所述中空的空间或空腔可设置有一个外部进入开口。

公开(公告)号：KR101454686B1

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：KR1020080091193

申请日：2008-09-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최재영 ,  김종민 ,  이상윤

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H02N2/18 ,  B81B2201/038 ,  B81B2203/0376 ,  B81C1/00103 ,  B81C2201/0115

Abstract: 인가된 신호의 에너지를 전기 에너지로 변환할 수 있는 에너지 변환 장치 및 방법이 개시된다. 상기 에너지 변환 장치는 인가된 신호에 의해 공진하는 나노와이어를 포함할 수 있다. 나노와이어는 공진하여 전극에 접촉할 수 있으며, 전극과 나노와이어 사이의 쇼트키 접합(Schottky contact)에 의해 전극 및 나노와이어에 전류가 흐를 수 있다. 또한 상기 에너지 변환 방법은, 나노와이어에 신호를 인가하여 나노와이어를 공진시키고, 공진하는 나노와이어와 전극의 접촉에 의해 전류를 생성하도록 구성될 수 있다.
나노와이어, 압전, 쇼트키, 에너지 변환, 공진

公开(公告)号：KR1020140061287A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：KR1020137014255

申请日：2011-11-03

Applicant: 솔렉셀, 인크.

Inventor： 크라메르,칼-조세프 ,  모스레히,메흐르다드엠. ,  타밀마니,수브라마니안 ,  카미안,제오르제 ,  애쉬제이제이 ,  요네하라타카오

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/306

CPC classification number: B81C99/0025 ,  B81C2201/0115 ,  C25D11/005 ,  C25D11/32 ,  C25D17/001 ,  C25D17/06 ,  C25F3/12 ,  C25F7/00 ,  H01L21/306 ,  H01L31/0284 ,  H01L31/18

Abstract: 본 개시 내용은, (단일 다공성 층 또는 다중 다공성 층들을 포함하는, 다공성 실리콘 등의 단층 또는 다층 다공성 반도체들로 이루어진) 균일한 다공성 반도체층들의 고 생산성 제어 제조를 가능하게 한다. 일부 응용들은, 다이 분리 및 MEMS 디바이스 제조를 위한 MEMS 분리 및 희생층들의 제조, 멤브레인 형성, 및 (최적의 다공성과 후속하는 산화를 이용하는 다공성 실리콘 형성에 의한) 샬로우 트렌치 분리(STI) 다공성 실리콘을 포함한다. 또한, 본 개시 내용은, 독립형이거나, 집적 반도체 마이크로일렉트로닉스, 반도체 마이크로일렉트로닉스 칩 및 옵토일렉트로닉스와 일체형으로 된 센서와 액추에이터를 포함한, 광기전력 기술, MEMS의 일반적인 분야들에 적용 가능하다.

公开(公告)号：KR100692593B1

公开(公告)日：2007-03-13

申请号：KR1020050006283

申请日：2005-01-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하병주 ,  이창승

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81C1/0092 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00952 ,  B81C2201/0115

Abstract: 개시된 MEMS 구조체 제조방법은 캐비티가 형성될 영역을 취하여 기판의 상부를 다공층으로 형성하고, 이후, 다공층의 하부에 위치하는 기판을 소정 두께로 식각하여 캐비티를 형성하고, 캐비티를 실링하도록 기판의 상면에 멤브레인층을 형성하고, 멤브레인층의 상부에 구조체를 형성하는 것을 포함한다. 상술한 구성을 기초로 하여 멤브레인층상에 외팔보구조체를 형성한 후 멤브레인층을 식각하면, 외팔보구조체가 캐비티상에 부유 하는 형태로 제조 가능하다. 이때, 멤브레인층을 증착하지 않고 다공층상에 직접 외팔보구조체를 형성할 수 있다. 또한, 상술한 구성을 통해 다공층 및 멤브레인층상에 적어도 하나의 인렛홀과 적어도 하나의 아웃렛홀을 형성하여 밀봉된 유체채널을 형성할 수도 있다.

公开(公告)号：KR1020060085426A

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：KR1020050006283

申请日：2005-01-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하병주 ,  이창승

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81C1/0092 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00952 ,  B81C2201/0115

Abstract: 개시된 MEMS 구조체 제조방법은 캐비티가 형성될 영역을 취하여 기판의 상부를 다공층으로 형성하고, 이후, 다공층의 하부에 위치하는 기판을 소정 두께로 식각하여 캐비티를 형성하고, 캐비티를 실링하도록 기판의 상면에 멤브레인층을 형성하고, 멤브레인층의 상부에 구조체를 형성하는 것을 포함한다. 상술한 구성을 기초로 하여 멤브레인층상에 외팔보구조체를 형성한 후 멤브레인층을 식각하면, 외팔보구조체가 캐비티상에 부유 하는 형태로 제조 가능하다. 이때, 멤브레인층을 증착하지 않고 다공층상에 직접 외팔보구조체를 형성할 수 있다. 또한, 상술한 구성을 통해 다공층 및 멤브레인층상에 적어도 하나의 인렛홀과 적어도 하나의 아웃렛홀을 형성하여 밀봉된 유체채널을 형성할 수도 있다.

公开(公告)号：US11866323B2

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：US17053253

申请日：2019-05-07

Applicant: Robert Bosch GmbH

Inventor： Renate Mueller ,  Tobias Sebastian Frey

IPC: G01N27/18 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  G01N27/18 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0115

Abstract: A method for manufacturing at least one membrane system for a micromechanical sensor for the calorimetric detection of gases. A wafer-shaped substrate is provided. At least one reference volume is introduced from a front side into the wafer-shaped substrate with the aid of a surface or volume micromechanical process while forming a reference membrane covering the reference volume at least in some areas. At least one measuring volume, which is adjacent to the at least one reference volume, is introduced into the substrate from a back side or the front side of the wafer-shaped substrate while forming a measuring membrane. A wafer-shaped cap substrate is applied onto the front side of the wafer-shaped substrate. A membrane system and a component are described.

公开(公告)号：US20160355396A1

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：US15237300

申请日：2016-08-15

Applicant: Xiang Zheng Tu

Inventor： Xiang Zheng Tu

IPC: B81C1/00 ,  G01N27/18

CPC classification number: B81C1/0069 ,  B81B2201/0214 ,  B81C2201/0115 ,  G01N27/18

Abstract: A single silicon wafer micromachined thermal conduction sensor is described. The sensor consists of a heat transfer cavity with a flat bottom and an arbitrary plane shape, which is created in a silicon substrate. A heated resistor with a temperature dependence resistance is deposed on a thin film bridge, which is the top of the cavity. A heat sink is the flat bottom of the cavity and parallel to the bridge completely. The heat transfer from the heated resistor to the heat sink is modulated by the change of the thermal conductivity of the gas or gas mixture filled in the cavity. This change can be measured to determine the composition concentration of the gas mixture or the pressure of the air in a vacuum system.

公开(公告)号：US20150097260A1

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：US14045555

申请日：2013-10-03

Applicant: Xiang Zheng Tu

Inventor： Xiang Zheng Tu

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01N25/18

CPC classification number: B81C1/0069 ,  B81B2201/0214 ,  B81C2201/0115 ,  G01N27/18

Abstract: A single silicon wafer micromachined thermal conduction sensor is described. The sensor consists of a heat transfer cavity with a flat bottom and an arbitrary plane shape, which is created in a silicon substrate. A heated resistor with a temperature dependence resistance is deposed on a thin film bridge, which is the top of the cavity. A heat sink is the flat bottom of the cavity and parallel to the bridge completely. The heat transfer from the heated resistor to the heat sink is modulated by the change of the thermal conductivity of the gas or gas mixture filled in the cavity. This change can be measured to determine the composition concentration of the gas mixture or the pressure of the air in a vacuum system.

Abstract translation: 描述了单个硅晶片微加工热传导传感器。 传感器由在硅衬底中产生的具有平坦底部和任意平面形状的传热腔组成。 具有温度依赖性电阻的加热电阻器被放置在薄膜桥上，该薄膜桥是空腔的顶部。 散热器是空腔的平坦底部，并且完全平行于桥。 从加热的电阻器到散热器的热传递通过填充在空腔中的气体或气体混合物的热导率的变化来调节。 可以测量该变化以确定气体混合物的组成浓度或真空系统中空气的压力。