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    MULTILAYER CARBON-BASED FIELD EMISSION ELECTRON DEVICE FOR HIGH CURRENT DENSITY APPLICATIONS
    61.
    发明公开
    MULTILAYER CARBON-BASED FIELD EMISSION ELECTRON DEVICE FOR HIGH CURRENT DENSITY APPLICATIONS 审中-公开
    多层含碳电子场发射装置技术应用在高电流密度

    公开(公告)号：EP1327255A1

    公开(公告)日：2003-07-16

    申请号：EP00967311.2

    申请日：2000-10-04

    Applicant: Extreme Devices, Inc.

    Inventor： PATTERSON, Donald, E. ,  JAMISON, Keith, D.

    IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

    CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446

    Abstract: An electron field emission device is provided by placing a substrate in a reactor, heating the substrate and supplying a mixture of hydrogen and a carbon-containing gas at a concentration of about 8 to 13 per cent to the reactor while supplying energy to the mixture of gases near the substrate for a time to grow a first layer of carbon-based material to a thickness greater than about 0.5 micrometers, subsequently reducing the concentration of the carbon-containing gas and continuing to grow a second layer of carbon-based material, the second layer being much thicker than the first layer. The substrate is subsequently removed from the first layer and an electrode is applied to the second layer. The device is free-standing and can be used as a cold cathode in a variety of electronic devices such as cathode ray tubes, amplifiers and traveling wave tubes. The surface of the substrate may be patterned before growth of the first layer to produce a patterned surface on the field emission device.

    DEVICE FOR GENERATING X-RAYS AND USE OF SUCH A DEVICE
    62.
    发明申请
    DEVICE FOR GENERATING X-RAYS AND USE OF SUCH A DEVICE 审中-公开
    用于产生X射线的装置和这种装置的使用

    公开(公告)号：WO2007073172A3

    公开(公告)日：2007-10-18

    申请号：PCT/NL2006000655

    申请日：2006-12-22

    Applicant: TNO ,  GUBBELS GODEFRIDUS HENDRICUS M ,  ZIJP JOHANNES PETRUS

    Inventor： GUBBELS GODEFRIDUS HENDRICUS M ,  ZIJP JOHANNES PETRUS

    IPC: H01J35/06 ,  H01J1/312 ,  H01J1/316

    CPC classification number: H01J1/30 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J35/065 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/308

    Abstract: Device for generating X-rays, comprising: -a field emission cathode (10) configured to emit electrons when an electrical field is applied to the cathode (10); and -an anode (20), the anode being configured to generate X-rays as a result of receiving electrons from the field emission cathode (10); wherein the cathode (10) comprises an electron emission surface (S) extending opposite the anode (20), the cathode (10) being configured to emit electrons substantially from the electron emission surface (S) during use.

    Abstract translation: 用于产生X射线的装置，包括：场发射阴极（10），配置为当电场施加到阴极（10）时发射电子; 和阳极（20），所述阳极被配置为由于从所述场致发射阴极（10）接收电子而产生X射线; 其中所述阴极（10）包括与所述阳极（20）相对延伸的电子发射表面（S），所述阴极（10）被配置为在使用期间基本上从所述电子发射表面（S）发射电子。

    電子放出材料とその製造方法ならびにこれを用いた電子放出素子
    65.
    发明申请
    電子放出材料とその製造方法ならびにこれを用いた電子放出素子 审中-公开
    电子发射材料，其制造方法和使用该发光材料的电子发射体

    公开(公告)号：WO2005066993A1

    公开(公告)日：2005-07-21

    申请号：PCT/JP2005/000110

    申请日：2005-01-07

    Applicant: 松下電器産業株式会社 ,  田尾本昭 ,  出口正洋 ,  橋本充 ,  尾崎豊一 ,  柴田元司

    Inventor： 田尾本昭 ,  出口正洋 ,  橋本充 ,  尾崎豊一 ,  柴田元司

    IPC: H01J9/02

    CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446 ,  Y02E60/324

    Abstract: 　電子放出特性に優れる電子放出材料とその製造方法、ならびに、電子放出素子を提供する。高分子膜を焼成して得た炭素材料を含む電子放出材料の製造方法であって、金属酸化物および金属炭酸化物から選ばれる少なくとも１種の金属化合物が分散したポリアミド酸溶液を調製し、調製したポリアミド酸溶液を成膜およびイミド化して、金属化合物を含むポリイミド膜を形成し、形成したポリイミド膜を焼成して炭素材料を形成する製造方法とすればよい。また、炭素材料を含み、表面に窪みを有する隆起が炭素材料の表面に形成されており、この隆起が金属元素を含む電子放出材料とすればよい。

    Abstract translation: 公开了具有优异的电子发射特性的电子发射材料。 还公开了制造这种电子发射材料和电子发射体的方法。 具体公开了一种制备含有通过焙烧聚合物膜得到的碳材料的电子发射材料的方法。 在该方法中，制备其中分散有选自金属氧化物和金属碳酸盐的至少一种金属化合物的聚酰胺酸溶液; 由如此制备的聚酰胺酸溶液形成膜，然后进行酰亚胺化，从而形成含有金属化合物的聚酰亚胺膜; 并且通过烧制由此形成的聚酰亚胺膜获得碳材料。 电子发射材料包含这样一种碳材料，其表面上设置有一个在表面上具有凹槽的凸起，该凸起包含金属元素。

    電界電子放出特性を利する自己造形的表面形状を有するｓｐ3結合性窒化ホウ素薄膜とその製造方法及びその用途
    66.
    发明申请
    電界電子放出特性を利する自己造形的表面形状を有するｓｐ3結合性窒化ホウ素薄膜とその製造方法及びその用途 审中-公开
    sp 3具有自制形成表面形状的BORON NONRIDE薄膜在发射电场电子的展示性能方面有优势，其制备方法及其用途

    公开(公告)号：WO2005022578A1

    公开(公告)日：2005-03-10

    申请号：PCT/JP2004/012775

    申请日：2004-08-27

    Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  小松 正二郎 ,  守吉 佑介 ,  清水 禎樹 ,  岡田 勝行

    Inventor： 小松 正二郎 ,  守吉 佑介 ,  清水 禎樹 ,  岡田 勝行

    IPC: H01J1/304

    CPC classification number: H01J1/304 ,  C23C16/342 ,  C23C16/482 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446 ,  Y10T428/24355

    Abstract: 高い耐電界強度を有し、大きな電流密度で電子を放出する、材料劣化のない電界電子放出性に優れた材料を提供する。　その解決手段は、ホウ素源及び窒素源を含む反応ガスを導入し、反応空間内の基板温度を室温～１３００℃の範囲に調整し、プラズマを発生し、あるいは発生せずして、基板上に紫外光を照射し、気相からの反応によって基板上に、電界電子放出特性に優れた表面形状が自己造形的に形成された、電界電子放出特性に優れたｓｐ 3 結合性窒化ホウ素膜体を生成させることによって解決する。

    Abstract translation: 制备sp 3结合氮化硼膜的方法表现出优异的电场电子发射特性，其包括将含有硼源和氮源的反应气体引入反应容器中，将基板的温度调节至室温 温度至1300℃，并且在产生或不产生等离子体的情况下用紫外线照射基板，由此通过自相关的气相的反应形成基板上的电场电子发射特性优异的表面结构， 形成方式。 通过上述方法制备的膜是除了上述特性之外具有高电场强度的材料，可以以大的电流密度发射电子，并且不会劣化。

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