公开(公告)号：FR3023434B1

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：FR1456333

申请日：2014-07-02

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： BATTISTA MARC ,  BAS GILLES ,  TAILLIET FRANCOIS

IPC: H04B1/59

公开(公告)号：FR3040514B1

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：FR1558116

申请日：2015-09-02

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： BRUNEAU NICOLAS

IPC: G06F21/72 ,  H04L9/00

公开(公告)号：FR3040512B1

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：FR1557977

申请日：2015-08-27

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： TEGLIA YANNICK

IPC: G06F21/72 ,  H04L9/00

公开(公告)号：FR3021804B1

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：FR1454891

申请日：2014-05-28

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  NIEL STEPHAN ,  REGNIER ARNAUD

IPC: G11C16/04 ,  H01L27/11 ,  H01L29/66

公开(公告)号：FR3044818A1

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：FR1561730

申请日：2015-12-02

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS ,  ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  ALIERI GINEUVE

IPC: G11C7/00 ,  G11C29/24

Abstract: La mémoire non volatile est effaçable par page et équipée d'un mécanisme de redondance de lignes. En cas de détection d'une ligne défectueuse du plan mémoire, on effectue un stockage de l'adresse de la ligne dans un registre non volatil (RGVN2) et on affecte une ligne redondante (LGD) ayant une nouvelle adresse. En cas d'une tentative d'écriture de ladite ligne défectueuse (LG), on procède à une écriture de la ligne redondante. Lors d'une écriture de la ligne redondante, on effectue un chargement du nouveau contenu de ladite ligne redondante dans un moyen de mémoire volatil (MMV) et à l'issue d'une opération d'écriture de toute autre ligne du plan mémoire, un rechargement dudit nouveau contenu de ladite ligne redondante dans le moyen de mémoire volatil. Lors d'une commande de lecture de ladite ligne redondante, on effectue une lecture du moyen de mémoire volatil de façon à délivrer ledit nouveau contenu de ladite ligne redondante stocké dans ledit moyen de mémoire volatil.

公开(公告)号：FR3044817A1

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：FR1561729

申请日：2015-12-02

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS ,  ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  ALIERI GINEUVE

IPC: G11C7/00 ,  G11C29/24

Abstract: Procédé de gestion du fonctionnement d'une mémoire non volatile équipée d'un système (SYS) de correction d'erreur unique et de détection d'une erreur double, comprenant en cas de détection d'une ligne de bits défectueuse du plan mémoire, une affectation d'une ligne de bit redondante (BLR), et une recopie (43, 45, 48) dans les cellules mémoires de la ligne de bits redondante, des valeurs des bits des cellules mémoire de la ligne de bits défectueuse inversées (46) en cas de détection d'erreurs doubles par ledit système, ou corrigées (44) par ledit système en présence d'erreurs uniques.

公开(公告)号：FR3043245A1

公开(公告)日：2017-05-05

申请号：FR1560515

申请日：2015-11-03

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： TAILLIET FRANCOIS ,  BATTISTA MARC ,  BRECTE VICTORIEN

IPC: G11C7/06

Abstract: Le dispositif (DIS) de mémoire de type mémoire morte électriquement programmable et effaçable, comprend un plan mémoire (PM) de cellules mémoire (CEL), des moyens de lecture (MLEC) comportant un amplificateur de lecture (AMPL) dont une entrée (BUSR) est configurée pour être préchargée à une tension de précharge, et des moyens de commande (MCOM) configurés pour sélectionner une ligne de mots (WL) et une ligne de bits (BL) auxquelles appartient une cellule (CEL), de façon à lire le contenu de ladite cellule (CEL) à travers ledit amplificateur de lecture (AMPL) dont ladite entrée (BUSR) est connectée à la ligne de bits sélectionnée (BL). Selon une caractéristique générale, lesdits moyens de commandes (MCOM) sont configurés pour appliquer à la source du transistor à grille flottante (MN6) de la cellule (CEL) une tension de source supérieure à ladite tension de précharge, une cellule programmée étant alors traversée par un courant de lecture circulant de la cellule (CEL) vers ladite entrée (BUSR) de l'amplificateur de lecture (AMPL).

公开(公告)号：FR3042067A1

公开(公告)日：2017-04-07

申请号：FR1559337

申请日：2015-10-01

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  FORNARA PASCAL ,  ESCALES JEAN-PHILIPPE

IPC: H01L23/60 ,  H01L21/762 ,  H01L23/482

Abstract: Utilisation d'au moins une barrière diélectrique non poreuse (90, 91) insérée entre une partie poreuse (800) d'au moins une région diélectrique et l'un au moins de deux éléments électriquement conducteurs (L3, L4) d'une partie d'interconnexion d'un circuit intégré, pour protéger ledit circuit intégré contre un claquage de ladite au moins une région diélectrique provoqué par une conduction électrique assistée par la présence de défauts au sein de ladite au moins une région diélectrique.

公开(公告)号：DE102016106800A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：DE102016106800

申请日：2016-04-13

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： DEMANGE NICOLAS ,  FORT JIMMY ,  SOUDE THIERRY

IPC: G05F3/16 ,  G06F21/77

Abstract: Das Verfahren zum Glätten des verbrauchten Stromes (Ivdd) beruht auf einer Reihe von Stromspiegelungen (4, 5, 7) und auf einer Stromquelle (61), die einen Referenzstrom (Iset) dergestalt liefert, dass der verbrauchte Strom (Ivcc) hinsichtlich der Stromversorgung nicht von dem Referenzstrom (Iset) abhängt.

公开(公告)号：FR3034274B1

公开(公告)日：2017-03-24

申请号：FR1552588

申请日：2015-03-27

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： WALLIS MARK ,  BOUVET YOANN ,  DEMAJ PIERRE

IPC: H04L27/06 ,  H03D1/04